带有被配置为减少钛到磁记录层中的扩散的垫层的磁记录介质

    公开(公告)号:CN117594073A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310843224.8

    申请日:2023-07-11

    IPC分类号: G11B5/66 G11B5/65

    摘要: 本发明公开了各种装置、系统、方法和介质以提供热辅助磁记录(HAMR)介质,该HAMR介质具有在氧化镁‑氧化钛(MTO)垫层上的磁记录层,其中该MTO垫层包含与钛化学键合的添加剂材料。在一些示例中,该添加剂材料包括氧化铁、铁、碳或各种氧化铝。通过向MTO提供与该MTO的该钛化学键合的该添加剂材料,减轻了钛从该MTO垫层到该磁记录层中的扩散,以提供实现改善的面密度的改善的记录层。在一些实施方案中,还提供了附加的氧化镁‑氮垫层,其可以包含更多的该添加剂材料。

    包括具有减缩厚度和减缩盘平坦度的盘的磁记录装置

    公开(公告)号:CN113632166B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202080006754.1

    申请日:2020-06-19

    IPC分类号: G11B5/73

    摘要: 本发明提供了一种用于磁记录装置的盘。该盘包括具有第一表面和第二表面的基底,其中该基底具有基底厚度。该盘包括设置在基底的第一表面上方的第一涂层,其中第一涂层具有第一涂层厚度。该盘包括设置在基底的第二表面上方的第二涂层,其中第二涂层具有第二涂层厚度。该盘具有盘厚度,其中盘厚度包括基底厚度。第一涂层厚度与第二涂层厚度之间的最大厚度差是盘厚度的平方的函数。

    用于高容量硬盘驱动器的装载/卸载坡道

    公开(公告)号:CN117409822A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202310812815.9

    申请日:2023-07-04

    IPC分类号: G11B5/74 G11B5/82 G11B5/012

    摘要: 本发明提供了用于硬盘驱动器的多坡度装载/卸载坡道,该多坡度装载/卸载坡道包括具有非水平的第一坡度的内部第一部分和具有不同的非水平的第二坡度的相邻的外部第二部分。该第一坡度可以比该第二坡度更陡,并且该坡道还可包括第三部分,该第三部分与该第二部分相邻并且还具有比该第二坡度更陡的第三坡度,其中该坡道被配置用于将该第一部分和该第二部分定位成与该磁盘重叠,同时该第三区段可以部分地在该磁盘的外部。该第二坡度可以比该第一坡度更陡,其中该坡道被配置用于将该第一部分定位成与该磁盘重叠,而该第二部分可以部分地在该磁盘的外部。因此,任何滑块从较陡部分的回弹将发生在该磁盘的外部,并且避免滑块‑磁盘碰撞。

    隔离有问题的存储器平面以避免相邻平面干扰

    公开(公告)号:CN117337469A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202280036242.9

    申请日:2022-05-03

    发明人: 袁家辉 张可 李靓

    IPC分类号: G11C29/00

    摘要: 描述了用于在诸如编程或擦除等多平面操作中检测并隔离存储器单元的缺陷块的装置及技术。在一个方面,对于每个平面中的一个块,编程操作在多平面模式中开始。如果在已执行触发数量的编程循环时少于所有块完成编程,则在单平面模式中一次一个地对一个或多个未通过的块进一步编程。如果当已执行最大允许数量的编程循环时该一个或多个未通过的块未完成编程,则它们被标记为坏块并且禁止进一步操作。在另一方面,当已执行触发数量的编程循环时,一个或多个未通过的块经受字线泄漏检测操作。

    具有镁捕获层的热辅助磁记录(HAMR)介质

    公开(公告)号:CN117321684A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280035565.6

    申请日:2022-05-02

    IPC分类号: G11B5/73

    摘要: 公开了用于提供具有镁(Mg)捕获层的热辅助磁记录(HAMR)介质的各种装置、系统、方法和介质,该Mg捕获层被配置为减轻HAMR介质中的Mg迁移,从而防止由解离的Mg与近场换能器(NFT)中使用的化合物反应所引起的NFT损坏。在一个示例中,HAMR介质可以包括基板、在基板上并且包括MgO的晶种层、在晶种层上的磁记录层、以及Mg捕获层,该Mg捕获层在基板上并且被配置为减轻Mg从晶种层向磁记录层上方的HAMR介质的表面的迁移。

    底部钉扎SOT-MRAM位结构和制造方法

    公开(公告)号:CN117198352A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311032300.3

    申请日:2016-10-24

    IPC分类号: G11C11/16 H10B61/00 G11C11/18

    摘要: 本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统,更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率,所以引线的总电阻率减小,导致改进的功率效率和信噪比。

    数据存储系统和可读介质以及用于多阶段解码的相关方法

    公开(公告)号:CN111406370B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN201980005893.X

    申请日:2019-02-07

    发明人: 陈娘助 陶俊

    摘要: 描述数据存储系统、非暂时性机器可读介质以及用于多阶段解码的相关方法。可基于包含第一解码成功指示符和第二解码成功指示符的解码成功指示符的趋势来确定用于解码操作的读取电平电压序列。从更近成功解码操作获得所述第一解码成功指示符。可将所述序列中的第一个设定成所述第一解码成功指示符的读取电平电压。如果所述第一解码成功指示符的所述读取电平电压小于所述第二解码成功指示符的读取电平电压,那么所述趋势是下降,且可将所述序列中的第二个设定成小于所述序列中的所述第一个的读取电平电压的读取电平电压。在执行一个或多个解码操作之后,可基于当前成功解码操作的所述读取电平电压来更新所述解码成功指示符。

    补偿模拟存算一体(ACIM)模块劣化的系统和方法

    公开(公告)号:CN116982053A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202280018807.0

    申请日:2022-02-01

    IPC分类号: G06N3/063

    摘要: 本公开的某些方面提供了用于执行存算一体(CIM)计算的技术。一种设备包括CIM模块,该CIM模块被配置为使用乘法累加操作将多个模拟权重施加到数据以生成输出。该设备进一步包括数字权重存储单元,该数字权重存储单元被配置为存储数字权重参考,其中一个数字权重参考对应于该多个模拟权重中的一个模拟权重。该设备还包括设备控制器,该设备控制器被配置为基于该数字权重参考将该多个模拟权重编程到该CIM模块,并且确定一个或多个模拟权重降级。该数字权重存储单元中的这些数字权重参考填充有来自主机设备的值。CIM模块中的降级模拟权重替换为来自数字权重存储单元的对应数字权重参考,而不参考主机设备。

    补偿模拟存算一体(ACIM)模块劣化的系统和方法

    公开(公告)号:CN116982051A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202280018509.1

    申请日:2022-02-01

    IPC分类号: G06N3/02

    摘要: 本公开的某些方面提供了用于执行存算一体(CIM)计算的技术。一种设备包括CIM模块,该CIM模块被配置为使用乘法累加操作将模拟权重施加到输入数据以生成输出。该设备进一步包括数字权重存储单元,该数字权重存储单元被配置为存储数字权重参考,其中一个数字权重参考对应于这些模拟权重中的一个模拟权重。该设备还包括设备控制器,该设备控制器被配置为将这些模拟权重编程到该CIM模块、使该CIM模块处理该输入数据并对降级的一个或多个模拟权重进行重新编程。该数字权重存储单元中的这些数字权重参考填充有来自主机处理设备的值。该CIM模块中的降级模拟权重基于来自该数字权重存储单元的该对应数字权重参考重新编程,而不参考该主机处理设备。