公开(公告)号：CN113016074A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202180001018.1

申请日：2021-02-19

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 赵起越 ,  高吴昊 ,  林锋明

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335

摘要： 一种半导体器件包括栅极电极，第一和第二钝化层，第一和第二场板。栅极电极设置在氮基半导体层上方。第一钝化层覆盖栅极电极。第一场板设置在第一钝化层上。第一钝化层具有被第一场板覆盖的第一部分和未被第一场板覆盖的第二部分。第二钝化层覆盖第一场板。第二场板设置在第二钝化层上方。第二钝化层有被第二场板覆盖的第一部分和未被第二场板覆盖的第二部分。第一钝化层的第一和第二部分之间的厚度差小于第二钝化层的第一和第二部分之间的厚度差。

公开(公告)号：CN115332245B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211022269.0

申请日：2020-10-20

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 杜卫星 ,  游政昇

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L23/538 ,  H01L29/06

公开(公告)号：CN114175268B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202180004637.6

申请日：2021-09-07

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 何川 ,  蒲小庆 ,  郝荣晖 ,  章晋汉 ,  黃敬源

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层、掺杂III‑V半导体层、栅极、源极电极和漏极电极。所述掺杂III‑V半导体层安置于所述第二氮化物基半导体层之上，且具有相对的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述掺杂III‑V半导体层的在侧壁之间的主体向内凹陷，以形成位于所述掺杂III‑V半导体层的底部处的弯曲轮廓。所述栅极电极安置于所述掺杂III‑V半导体层上方。所述源极电极和所述漏极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述栅极电极位于所述源极电极与所述漏极电极之间。

公开(公告)号：CN114503282B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202180005094.X

申请日：2021-12-31

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 杨超 ,  周春华 ,  赵起越 ,  沈竞宇

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、氮化物基多半导体层、栅电极、栅极绝缘体层和源电极。所述第一氮化物基半导体层包含漂移区和至少两个掺杂势垒区，所述掺杂势垒区在所述漂移区中限定孔。所述氮化物基多半导体层结构安置在所述第一氮化物基半导体层之上且具有彼此分隔开的第一异质结和第二异质结。所述栅电极由所述氮化物基多半导体层结构接收且与所述漂移区中的所述孔竖直对准。所述栅极绝缘体层安置在所述氮化物基多半导体层结构和所述栅电极之间。所述源电极安置在所述第一氮化物基半导体层之上且邻接所述氮化物基多半导体层结构的所述第一和第二异质结。

公开(公告)号：CN114175273B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202180004467.1

申请日：2021-08-19

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 何川 ,  郝荣晖 ,  黃敬源

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/335

摘要： 一种氮化物基半导体电路包括氮化物基半导体载体、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、连接器、连接线和电源线。第一氮化物基半导体层配置在氮化物基半导体载体上方。第二氮化物基半导体层配置在第一氮化物基半导体层上。连接器配置在第二氮化物基半导体层上。连接线电连接到连接器中的一个。电源线电连接到氮化物基半导体载体。异质结形成于第一氮化物基半导体层与第二氮化物基半导体层之间。电势差施加在电源线与连接线之间。

公开(公告)号：CN112470289B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202080003452.9

申请日：2020-10-28

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 张安邦

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、经掺杂III‑V族半导体层和栅极层。所述第一氮化物半导体层具有第一表面。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层的第一表面上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述经掺杂III‑V族半导体层处于所述第二氮化物半导体层上方。所述经掺杂III‑V族半导体层包含具有不同厚度的第一部分和第二部分。所述栅极层安置于所述经掺杂III‑V族半导体层的所述第一部分和所述第二部分上。

公开(公告)号：CN114391305B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202180004494.9

申请日：2021-05-06

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 姚卫刚 ,  周春华

IPC分类号： H05K1/18 ,  H05K3/30

摘要： 包括可移除地压配在形成于印刷电路板(50A)中的腔(510A)中的半导体装置(30A)的半导体模块(10A)及其制造方法。所述半导体装置(30A)和所述印刷电路板(50A)的腔(510A)可彼此配合并分别充当电插头和电插座。可以免去在所述印刷电路板(50A)上焊接所述半导体装置(30A)。因此，封装过程可以更加灵活，且焊料接头的可靠性问题可被去除。

公开(公告)号：CN114303248B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180003758.9

申请日：2021-06-11

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 孟流畅 ,  陈泓宇 ,  樊开明

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

摘要： 一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、两个或更多个源极/漏极(S/D)电极、栅极电极、掺杂的III‑V族半导体层、栅极保护层和第一钝化层。掺杂的III‑V族半导体层设置在第二氮基半导体层和栅极电极之间。栅极保护层覆盖栅极电极和掺杂的III‑V族半导体层，并且与S/D电极分离。第一钝化层覆盖第二氮基半导体层和栅极保护层，并且紧靠S/D电极的侧壁，其中S/D电极的侧壁通过第一钝化层与栅极保护层分离。

公开(公告)号：CN115831962A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211284000.X

申请日：2021-05-25

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 赵起越 ,  周春华 ,  李茂林 ,  高吴昊 ,  杨超 ,  杨观深 ,  程绍鹏

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

摘要： 本公开提供一种具有衬底电位管理能力的氮化物基双向切换器件及其制造方法。所述器件具有控制节点、第一电力/负载节点、第二电力/负载节点和主衬底，且包括：氮化物基双侧晶体管；和衬底电位管理电路，其配置成用于管理所述主衬底的电位。通过实施所述衬底电位管理电路，可将衬底电位稳定到所述双侧晶体管的第一源极/漏极和第二源极/漏极的电位中的较低一个，而不管所述双向切换器件在哪个方向上操作。因此，所述双侧晶体管可在两个方向上以稳定衬底电位操作以用于传导电流。

公开(公告)号：CN115769089A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180039990.8

申请日：2021-02-26

申请人： 英诺赛科(苏州)科技有限公司

发明人： 陈常 ,  周春华 ,  李思超 ,  杨荣 ,  白栋桦 ,  黄家标

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明提供一种用于测量GaN基受测试装置(DUT)的间歇运行寿命(IOL)的系统和方法。所述系统可在加压模式、冷却模式和测量模式中运行。采用功率调节方法，确保具有相同热阻的DUT在IOL测试期间具有相同的温升。本发明消除了测试电路寄生参数的影响以及装置本身阈值电压和漏极‑源极电阻的不一致性。通过功率调节，直接控制的是装置的结温，而不是装置的壳体温度。因此，可以实现更高的测量精度。