多孔球状二氧化硅和其制造方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116406344A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202280007405.0

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 提供:杂质少(碱金属含有率低)、粒度分布窄、D50(体积基准的累积50%粒径)为规定范围、孔容为规定范围、且作为研磨剂、化妆品成分有用的多孔球状二氧化硅。一种多孔球状二氧化硅,其利用激光衍射散射法而得到的D50为2~200μm,D10/D90为0.3以上,孔容为0.5ml/g以上且8ml/g以下,将加荷速率设为38.7363mN/秒而求出的、针对10个颗粒的试样破坏时的试验的算术平均值为1.0×101~1.0×102mN,碱金属含有率为50ppm以下。通过将气相二氧化硅分散液作为水相形成W/O乳液,使其通过pH调节、加热等进行凝胶化后,进行回收、干燥,从而可以制造。

    熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法

    公开(公告)号:CN111629998B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN201980009517.8

    申请日:2019-02-13

    Abstract: 本发明要解决的问题为,提供二氧化硅粉末,为了确保流动性在一定程度上包含粒径较大的粒子,又将粒子内存在的气泡量减少至在用于晶圆级/封装型半导体的封装材料用填充材料等用途时也实质上没有问题的水平。本发明涉及熔融球状二氧化硅粉末,其特征在于,在通过激光衍射进行测定时,累积体积95%粒径(d95)在5μm~30μm的范围,将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼,对固化后的固化体的一部分进行研磨,在对露出的二氧化硅截面以1000倍显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm2固化体研磨面为50个以下。该熔融球状二氧化硅粉末通过如下方式得到:以经疏水化处理的气相二氧化硅为原料,将二氧化硅供给量、火焰温度设为特定范围,对熔融/球状化得到的熔融二氧化硅进行分级。

    光致变色化合物、光致变色固化性组合物、固化物、透镜以及眼镜

    公开(公告)号:CN116194515A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180057893.1

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种光致变色化合物,其能不依赖于基质而表现出光致变色特性,在光学基材成形过程(固化过程)中,稳定地分散存在而不发生聚集。根据本发明,通过具有与固体基质的相容性比较优异的低聚物链基、和与固体基质的相容性差的低聚物链基的嵌段聚合物状的基团的高分子光致变色化合物,由此在固体基质中形成纳米至微米级的相分离结构,能够不依赖于固体基质而提高分散性、抑制聚集,其结果能够发挥高度的光致变色特性。

    固化性组合物及其固化物
    44.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116096774A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202180058373.2

    申请日:2021-08-04

    Abstract: 本发明为一种固化性组合物,其包含:(A)导入有至少3个以上的末端导入有聚合性官能团的侧链的含侧链环状分子((A)环状多官能单体),和(B)具有能与上述含侧链环状分子聚合的聚合性官能团的聚合性单体((B)其他聚合性单体)。根据本发明,提供一种固化性组合物,其可形成耐磨性高且能够表现出优异的机械特性和光致变色性的固化物。特别是可提供一种固化性组合物,其可形成可适宜用作抛光用垫或光致变色眼镜镜片的固化物。

    半导体晶片用处理液
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116057208A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202180058168.6

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 本发明提供一种半导体晶片用处理液以及蚀刻的方法,所述半导体晶片用处理液为用于对半导体晶片上的过渡金属进行蚀刻的处理液,所述半导体晶片用处理液包含:(A)次卤酸离子或高碘酸离子、(B)下述式(1)所示的烷基铵盐,所述蚀刻方法中,通过使所述半导体晶片用处理液与在半导体形成工序中使用的过渡金属接触,对过渡金属进行蚀刻。(式中,a为6~20的整数,R1、R2、R3独立地为氢原子、或碳原子数1~20的烷基,X-为含溴的离子。)

    多晶硅破碎块及其制造方法

    公开(公告)号:CN115989192A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202180052523.9

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种不仅表面的铜浓度低,铁和锌这两者表面浓度也低的多晶硅破碎块。本发明的多晶硅破碎块的特征在于,表面金属浓度为15.0pptw以下,该表面金属浓度中,铜浓度为0.30pptw以下,进一步,该表面金属浓度中,铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下,优选的是,铁浓度为1.25pptw以下,锌浓度为0.75pptw以下。

    牙科切削加工用坯料及其制造方法

    公开(公告)号:CN113840590B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202080036779.6

    申请日:2020-05-13

    Abstract: 提供牙科切削加工用坯料、及其制造方法,所述牙科切削加工用坯料具有由树脂系材料形成的被切削加工部,树脂系材料包含无机粒子分散于树脂基体中而成的复合材料,无机粒子包含一个或多个同一粒径球状粒子群(G‑PID)和超微细粒子群(G‑SFP)而成,所述同一粒径球状粒子群(G‑PID)由具有特定的平均一次粒径的无机球状粒子的集合体形成,所述同一粒径球状粒子群(G‑PID)粒度分布幅度窄、且具有比树脂基体的折射率小的折射率,构成树脂基体中的全部同一粒径球状粒子群的无机球状粒子的排列结构具有满足特定条件的短程有序结构。

    氮化硅烧结体的连续制造方法

    公开(公告)号:CN115715278A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202180043686.0

    申请日:2021-06-29

    Inventor: 草野大

    Abstract: 提供一种氮化硅烧结体的连续制造方法,其能够通过使用了β化率高的氮化硅粉末的烧结连续地进行氮化硅烧结体的制造。将收纳有含有烧结助剂和β化率为80%以上、比表面积为7m2/g~20m2/g的氮化硅粉末、且铝元素的总含量调整为800ppm以下的被烧成体(1)的烧成用治具(2)供给至连续烧成炉,在非活性气体气氛下和0MPa·G以上且小于0.1MPa·G的压力下,加热至1200℃~1800℃的温度,对氮化硅进行烧结,该连续烧成炉具备:在端部具有上述烧成用治具的供给用开闭门(3)和排出用开闭门(4)的密闭式的烧成容器(5)、设置于上述烧成容器(5)的主体部外周的加热机构(6)、用于将前述烧成用治具向烧成容器内供给排出的输送机构、以及用于向烧成容器内供给非活性气体的气体供给机构。

    光学材料用组合物和光学材料

    公开(公告)号:CN113166311B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN201980082234.6

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明为一种光学材料用组合物以及含有该组合物的光学材料,所述光学材料用组合物的特征在于,含有(A)聚合性单体100质量份、和(B)极大吸收波长为360nm以上且小于380nm的具有特定结构的紫外线吸收剂0.001~0.3质量份。根据本发明,可以提供长期保存稳定性良好的含有紫外线吸收剂的光学材料用组合物及含有其的光学材料,特别是可以提供能够形成对蓝光的阻挡率高的塑料透镜的光学材料用组合物。

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