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公开(公告)号：CN114351248B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111339283.9
申请日：2017-04-27
Abstract: 本发明提供一种SiC基板的制造装置，其包括：在加热处理时使内部空间产生Si蒸气和C蒸气的SiC容器；和能够在Si环境下对所述SiC容器进行加热的高温真空炉。
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公开(公告)号：CN114430781B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202080055202.X
申请日：2020-08-05
IPC: H01L21/324 , C30B23/06 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02
Abstract: 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。
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公开(公告)号：CN112513348B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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公开(公告)号：CN116745471A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202280008934.2
申请日：2022-01-07
IPC: C30B33/08
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种用于在生长和蚀刻同时进行的热处理中测量蚀刻量的新技术。本发明包括：第一衬底厚度测量步骤(S10)，测量热处理前的半导体衬底(10)的厚度(10D)；第二衬底厚度测量步骤(S20)，测量热处理后的半导体衬底(20)的厚度(20D)；生长层厚度测量步骤(S30)，测量通过热处理而晶体生长的生长层(21)的厚度(21D)；以及蚀刻量计算步骤(S40)，基于热处理前的半导体衬底(10)的厚度(10D)、热处理后的半导体衬底(20)的厚度(20D)和生长层(21)的厚度(21D)来计算蚀刻量(ED)。
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公开(公告)号：CN116607019A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310141338.8
申请日：2023-02-14
Applicant: 泰星能源解决方案有限公司 , 国立大学法人九州大学 , 丰田通商株式会社 , 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及从镍矿浸出镍的方法以及硫酸镍的制造方法。提供能够进行使废弃物的生成量少并且实施简便的硫酸镍的制造方法的、从氧化镍矿浸出镍的方法。在此公开的使镍浸出至有机相中的方法包括使镍矿与有机相接触。所述有机相含有疏水性深共晶溶剂和有机酸，所述疏水性深共晶溶剂包含氢键供体和氢键受体。所述氢键供体为酸性的氢键供体。所述有机酸为强酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116348640A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180070316.6
申请日：2021-10-27
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种评价热处理环境的新技术。本发明是一种热处理环境的评价方法，包括：图像取得步骤(S20)，以相对于热处理后的SiC衬底(10)的{0001}面的法线(N)倾斜的入射角度(θ)入射电子射线(PE)而取得图像(I)；以及环境评价步骤(S30)，基于图像(I)的对比度信息(C)评价SiC衬底(10)的热处理环境(HE)。
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公开(公告)号：CN115612870A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210809300.9
申请日：2022-07-11
Applicant: 丰田通商株式会社
Abstract: 本发明涉及Mg除去剂以及铝合金的制造方法。提供一种用于从铝合金熔体中除去Mg的Mg除去剂。本发明为由氯化物和铜氧化物构成的Mg除去剂。氯化物至少包含选自K、Na和Ca中的一种以上的基础金属元素和Mg。相对于其整体，氯化物例如包含0.2质量％～60质量％的MgCl2和40质量％～99.8质量％的KCl。作为氯化物相对于铜氧化物的质量比例的配合比例如为0.15以上。氯化物可以为熔炼盐，也可以为混合盐。另外，氯化物中的至少一部分可以为包含基础金属元素和Mg的矿物或者是矿物来源氯化物。Mg除去剂的优选例为向铝合金熔体中导入的粒状的熔剂。
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公开(公告)号：CN115443353A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180028189.3
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制在AlN层中产生裂纹的新颖技术。本发明是一种AlN衬底的制造方法，包括：降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)；和在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外，本发明是一种抑制在AlN层(20)中产生裂纹的方法，包括：在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)之前降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)。
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公开(公告)号：CN115398047A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028216.7
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向氮化铝生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种氮化铝衬底的制造方法，包括去除碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述碳化硅衬底上形成氮化铝生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向氮化铝生长层引入的方法，包括在碳化硅衬底上形成氮化铝生长层之前去除所述碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
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公开(公告)号：CN115398045A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028166.2
申请日：2021-03-30
Abstract: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括去除基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述基底衬底上形成生长层的晶体生长步骤。此外，本发明是一种抑制位错向生长层引入的方法，包括在基底衬底上形成生长层之前去除所述基底衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
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