气相涂布装置和气相涂布方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119121182A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411041831.3

    申请日:2024-07-31

    Abstract: 本申请涉及气相涂布装置和气相涂布方法。该气相涂布装置包括:真空室,真空室包括承托盘和密封盖,承托盘具有承托面、凹陷于承托面的盛料腔以及连通于盛料腔并绕过承托面而连通到承托面上侧的气道,密封盖密封地连接于承托盘,密封盖与承托盘限定涂布腔,涂布腔通过气道连通于盛料腔,涂布腔覆盖承托面;真空腔阻隔器,连通于真空室,真空腔阻隔器具有导通状态和封闭状态;以及外接通道,通过真空腔阻隔器连通于真空室。该气相涂布装置能够适用于实验级别半导体制造。

    基于石墨烯的橄榄球型太赫兹生化传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119086482A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411201763.2

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明涉及太赫兹技术领域,尤其是提供了一种基于石墨烯的橄榄球型太赫兹生化传感器及其制备方法。该太赫兹生化传感器包括石英基底层;下介质层,设置于石英基底层的上表面;橄榄球型金属谐振层,利用磁控溅射技术设置于下介质层的上表面;上介质层,设置于橄榄球型金属谐振层的上表面;三层石墨烯层,设置于上介质层的上表面,该太赫兹生化传感器将石墨烯与超表面集成,设计实现了应用于生化农学检测的超灵敏太赫兹传感器,简便的操作特点和超灵敏特性使其在检测痕量量级物质中具备广泛的应用潜力,克服了传统生化检测技术灵敏度低、样品用量多等弊端,可实现快速、简便、低成本、高安全性、超灵敏检测,为生化分子研究提供有力支持。

    一种多孔ZnO薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN116713170B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202310679553.3

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 本发明属于金属半导体薄膜技术领域,公开了一种多孔ZnO薄膜的制备方法,将丙烯酸锌和2‑甲基咪唑加入到丙烯酸中经磁力搅拌并超声震荡后得到混合溶液;再将苯偶酰和光引发剂加入到混合溶液中再次磁力搅拌并超声震荡后均匀形成锌基光固化树脂前驱体;使用旋涂机将锌基光固化树脂前驱体均匀地旋涂到硅片上,使用长波紫外线照射,生成丙烯酸锌‑丙烯酸共聚物有机膜;采用热处理法将丙烯酸锌‑丙烯酸共聚物有机膜转化为多孔ZnO薄膜。该方法制备工艺简单,原材料利用率高,几乎无副反应产物及工业废料,制备的多孔ZnO薄膜厚度均匀可控,且具有较好的表面形貌。

    超表面红外窄带吸收器及其制造方法

    公开(公告)号:CN119029563A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202411123436.X

    申请日:2024-08-15

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种超表面红外窄带吸收及其制造方法,超表面红外窄带吸收器包括:基底层,基底层包括基底和设在基底上表面的金属反射层;功能层,功能层包括支撑层和金属超表面层,支撑层的中部过口,金属超表面层包括功能区域和边缘区域,功能区域设有超表面结构,超表面结构包括多个沿厚度方向贯通金属超表面层的亚波长尺寸通孔;键合层,键合层位于基底层和功能层之间且基底层和功能层通过键合层键合连接,键合层的中部具有避让口,金属超表面层和金属反射层通过键合层间隔开以在金属超表面层和金属反射层之间形成谐振腔。根据本发明实施例的超表面红外窄带吸收器能够实现红外窄带吸收,具有品质因数高、加工兼容性好等优点。

    基于超薄蛋白质纳米膜的光电材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118950437A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411051200.X

    申请日:2024-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于超薄蛋白质纳米膜的光电材料及其制备方法,通过打断蛋白质二硫键的方式使蛋白质发生相转变在固‑液界面处自组装形成二级结构以α‑helix为主的超薄蛋白纳米膜,然后通过磁控离子溅射或化学法制备金属涂层,得到光电材料。本发明的超薄蛋白质纳米膜的制备方法简单,具有良好的稳定性、光透过性、无毒生物相容性好;且由于超薄蛋白质纳米膜表面具有自由巯基、羧基、氨基等多种官能团,可实现对金属涂层的稳定粘附。本发明的光电材料可用来制备隐秘信息器件、拉曼增强器件、智能窗口器件、印刷器件、触觉传感器,在各种严苛的环境中,金属层可保持稳定的性能。

    匀胶方法
    40.
    发明公开
    匀胶方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN118915393A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411150401.5

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本申请属于半导体制作技术领域,具体提供了一种匀胶方法,包括:粘贴背胶膜至晶圆的背面;旋涂光刻胶至晶圆的正面;移除背胶膜。由此,实现了在不采用去边工艺的情况下,有效解决光刻胶边缘堆胶问题,提高晶圆上芯片的制作精准度和良率,同时充分利用晶圆的面积,降低生产成本。

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