公开(公告)号：CN1543680A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02816191.2

申请日：2002-05-24

Applicant: 奥普泰拜特公司

Inventor： 博里斯·彻诺布罗德 ,  弗拉迪米尔·施瓦茨

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/10 ,  H01L31/105 ,  G11C13/04

CPC classification number: G11C13/04

Abstract: 反向偏压结合选择照射可以有选择地将数据记录到光学存储器(300)中。由于可以并行地记录数据，因而记录处理可以很快完成。记录处理产生用于改变元件的雪崩电流(208)。该变化可以是元件的损坏，也可以是属性的改变，例如电导率或功函数(206)。

公开(公告)号：CN1543652A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN01823537.9

申请日：2001-08-13

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： J·H·克里格尔 ,  N·F·尤丹诺夫

IPC: G11C11/21

CPC classification number: G11C13/0064 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/28 ,  H01L27/285 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0595

Abstract: 发明涉及计算机工程领域并可用于不同种类计算机的存储器装置中，也可用于发展新世代的影像与声音设备，用于发展关联存储器系统，以及生成用于类神经网络之突触(synapses)(具有可编程的电子阻抗的电子电路组件)。本发明的存储器单元可提供存储数个数据位并具有高速切换。所述存储器单元包含二个连续的铝电极1与2，介于该铝电极1与2之间具有由作用层3、阻障层4以及被动层5所构成之多层功能区域。

公开(公告)号：CN1284082A

公开(公告)日：2001-02-14

申请号：CN98813432.2

申请日：1998-12-01

Applicant: 内诺金有限公司

Inventor： 罗纳德·G·索斯诺乌斯基 ,  威廉·F·巴特勒 ,  尤金·图 ,  麦克尔·I·内伦伯格 ,  麦克尔·J·海勒 ,  卡尔·F·埃德曼

IPC: C07H21/00

CPC classification number: H01L29/7834 ,  B01J19/0046 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00315 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/0059 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/0063 ,  B01J2219/00635 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00644 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00686 ,  B01J2219/00689 ,  B01J2219/00713 ,  B01J2219/0072 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00731 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/5085 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/10 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/0421 ,  B82Y5/00 ,  B82Y10/00 ,  C07B2200/11 ,  C07H21/00 ,  C07K1/04 ,  C07K1/045 ,  C07K1/047 ,  C12Q1/6825 ,  C12Q1/6832 ,  C12Q1/6837 ,  C40B40/06 ,  C40B40/10 ,  C40B40/12 ,  C40B60/14 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/04 ,  G11C19/00 ,  H01L25/50 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L2224/95145 ,  H01L2224/95147 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  C12Q2565/515 ,  C12Q2565/607 ,  H01L2924/00

Abstract: 设计和制造了一种自寻址、自组装微电子装置以显微尺寸主动进行和控制多步和多路分子生物反应。这些反应包括核酸杂交、抗体/抗原反应、诊断和生物聚合物合成。使用微—光刻技术和微—加工技术都可以制造出该装置。该装置可以电子控制特异结合体向特异微定位区的迁移和附着。该特异结合体包括分子生物分子,例如核酸和多肽。装置可以随后控制在寻址的特异微定位区上的分析物或反应物的迁移和反应。该装置能够富集分析物和反应物,去除非—特异性结合分子,对DNA杂交反应提供严紧控制,并改善分析物的检测。该装置在电子上可以被复制的。

公开(公告)号：CN1268905A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN97181305.1

申请日：1997-11-26

Applicant: 内诺金有限公司

Inventor： 唐纳德·E·阿克利 ,  托马斯·R·杰克逊 ,  爱德华·L·谢尔登·Ⅲ

IPC: B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  G01N33/543 ,  F04B43/04

CPC classification number: G11C13/0019 ,  B01J19/0046 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00315 ,  B01J2219/00317 ,  B01J2219/00527 ,  B01J2219/00585 ,  B01J2219/0059 ,  B01J2219/00596 ,  B01J2219/00605 ,  B01J2219/0061 ,  B01J2219/00612 ,  B01J2219/00614 ,  B01J2219/00617 ,  B01J2219/00621 ,  B01J2219/00626 ,  B01J2219/00637 ,  B01J2219/00653 ,  B01J2219/00659 ,  B01J2219/00686 ,  B01J2219/00689 ,  B01J2219/00702 ,  B01J2219/00713 ,  B01J2219/0072 ,  B01J2219/00722 ,  B01J2219/00725 ,  B01J2219/00731 ,  B01L3/502707 ,  B01L3/502723 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502761 ,  B01L3/5085 ,  B01L7/52 ,  B01L2200/0647 ,  B01L2200/0684 ,  B01L2300/0636 ,  B01L2300/0645 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0877 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/0421 ,  B01L2400/0424 ,  B01L2400/0475 ,  B82Y5/00 ,  B82Y10/00 ,  C07B2200/11 ,  C07H21/00 ,  C07K1/04 ,  C07K1/045 ,  C07K1/047 ,  C12Q1/6813 ,  C12Q1/6816 ,  C12Q1/6825 ,  C12Q1/6837 ,  C40B40/06 ,  C40B40/10 ,  C40B40/12 ,  C40B60/14 ,  F04B19/006 ,  G01N27/44743 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/04 ,  G11C19/00 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  C12Q2565/515 ,  C12Q2565/607 ,  H01L2924/00

Abstract: 实行有效生物操作所用的装置及制造方法采用叠层结构(30,110)。在优选实施例中,第一平面样品支撑(50,72,104,122)包括至少一个样品通孔(56,74,90);平面电极(32,70,94,112,114)被置于邻近第一平面样品支撑(50,72,104,122)处,并有电极贯穿区(38,76);第二平面支撑(40,78,96,102,124)带有排气通孔(48,80,92,98);所述平面电极(32,70,94,112,114成叠层关系位于第一平面样品支撑(50,72,104,122)与第二平面支撑(40,78,96,102,124)之间。进一步的特征在于样品通孔(56,74,90)、电极通孔(38,76)和排气通孔(48,80,92,98)成重叠布置。最好是一些通孔、贯穿区和排气通孔或者是它们的全部为对准的。在另一实施例中,样品通孔的水平尺寸大于排气通孔的水平尺寸。在优选实施例中,样品支撑和平面支撑均由片状材料制成,最好由聚酰亚胺制成,其厚度实质上为1密尔到5密尔。电极最好选自贵金属,特别是金。各孔或者贯穿区最好都通过激光钻孔形成,最好还伴随以化学蚀刻。借助互相联系给出穿过多个支撑的导电通路,还有助于采用杂交电路,特别是小片挠曲电路。

公开(公告)号：CN1044046C

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN92100956.9

申请日：1992-01-18

Applicant: 能源变换设备有限公司

Inventor： S·R·奥夫辛斯基 ,  S·J·赫金斯 ,  W·丘巴蒂 ,  D·A·施特兰德 ,  G·C·威克

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/04 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种使用化学计量平衡相变材料的电可擦相变存储器，在该材料内从非晶态到晶态之间变换所需的转换时间和转换能量实际上低于使用现有技术电可擦相变存储器所能达到的转换时间和转换能量。发明的实施例包括一高位密度结构存储器的集成电路，在该电路中，制造成本相应地减少，而性能参数进一步改进。

公开(公告)号：CN1078574A

公开(公告)日：1993-11-17

申请号：CN93105038.3

申请日：1993-05-08

Applicant: 能源变换设备有限公司

Inventor： S·R·奥夫申斯基

IPC: H01L27/10

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C11/56 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明涉及小电流耐热性好的电可擦存储元件。该存储元件包括由硫族改进的过渡金属存储材料体。存储元件在明显低的转换能级转换速度呈成数量级的高。因而本发明的存储元件的特征在于，至少两个稳定非易失可检测的局部原子和/或电子有序的结构，该结构用指定的能级电输入信号可选择可重复地存取。该存储元件的特征还在于，增加了数据保持期的热稳定性，这稳定性是制作前述存储元件的材料，用元素改进的Te—Ge—Sb半导体材料实现的。

公开(公告)号：CN1064366A

公开(公告)日：1992-09-09

申请号：CN92100956.9

申请日：1992-01-18

Applicant: 能源变换设备有限公司

Inventor： S·R·奥夫辛斯基 ,  S·J·赫金斯 ,  W·丘巴蒂 ,  D·A·施特兰德 ,  G·C·威克

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/04 ,  H01L27/115 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种使用化学计量平衡相变材料的电可擦相变存储器，在该材料内从非晶态到晶态之间变换所需的转换时间和转换能量实际上低于使用现有技术电可擦相变存储器所能达到的转换时间和转换能量。发明的实施例包括一高位密度结构存储器的集成电路，在该电路中，制造成本相应地减少，而性能参数进一步改进。

公开(公告)号：CN108329307A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201710434939.2

申请日：2017-06-10

Applicant: 郁海丰

Inventor： 不公告发明人

IPC: C07D417/14 ,  C09K11/06 ,  G11C13/04

CPC classification number: C07D417/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/1051 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明公开了一种用于电子领域的光存储材料。电子俘获光存储的本质是材料的光激励发光特性。自从上世纪40年代出现关于光激励发光材料的报道以来，该材料在光存储、红外探测、辐射剂量测定、光信息处理等许多领域展现了其应用潜力。本发明提供的材料性能优异，可以用于制备电子俘获光存储材料。

公开(公告)号：CN107195324A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710626022.2

申请日：2017-07-27

Applicant: 山西大学

Inventor： 闫智辉 ,  贾晓军 ,  彭堃墀

IPC: G11C13/04 ,  B82Y10/00 ,  G06N99/00

CPC classification number: G11C13/04 ,  B82Y10/00 ,  G06N99/002

Abstract: 本发明涉及一种连续变量非经典光场的高效率量子存储装置。本发明主要是解决现有非经典光场量子存储效率低的技术问题。本发明的技术方案是：一种连续变量非经典光场的高效率量子存储装置，包括光源单元、原子系统和压缩测量系统；所述光源单元设有本地振荡光信号aL输出端、探针光脉冲信号aP输出端和控制光脉冲信号aC输出端；所述探针光脉冲信号aP输出端与原子系统的第一输入端连接，所述控制光脉冲信号aC输出端与原子系统的第二输入端连接，原子系统的输出端与压缩测量系统的第一输入端连接，本地振荡光信号aL输出端与压缩测量系统的第二输入端连接；所述压缩测量系统由光学分束器、两个平衡零拍探测器、功率减法器和数字可存储示波器组成。

公开(公告)号：CN106935257A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710116936.4

申请日：2017-03-01

Applicant: 河北大学

Inventor： 董丽芳 ,  杜天 ,  郝芳

IPC: G11C13/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: G11C13/04 ,  H01J37/32 ,  H01J2237/334

Abstract: 本发明提供了一种实现等离子体发光斑图信息存储的装置及方法。所述装置包括真空反应室、水电极、等离子体发生电源、边框和聚酰亚胺薄膜。聚酰亚胺薄膜紧贴在边框的一侧面，边框以及聚酰亚胺薄膜所在平面与两个水电极的轴心线垂直。聚酰亚胺薄膜与边框内的放电间隙相对，且聚酰亚胺薄膜的面积大于放电间隙边界所围的面积。闭合开关，在放电间隙内产生等离子体，所产生的等离子体对聚酰亚胺薄膜进行刻蚀，刻蚀后等离子体发光斑图轮廓即复制在聚酰亚胺薄膜上，从而实现了等离子体发光斑图信息的存储。本发明首次利用聚酰亚胺薄膜实现了等离子体发光斑图信息的存储，丰富了等离子体应用技术，为信息存储领域提供了一个新的发展方向和思路。