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公开(公告)号：CN111961472B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010822544.1
申请日：2020-08-14
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。该蚀刻液包括以下质量分数的组分：75％‑85％的磷酸、0.1％‑12％的化合物A和3％‑24％的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明的蚀刻液对氧化硅和氮化硅的蚀刻速率选择比适当、能够选择性地去除氮化物膜、提升蚀刻液的寿命且能适应层叠结构层数的增加。
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公开(公告)号：CN114180332A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210007237.7
申请日：2022-01-05
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及引线框架搬运装置，其包括托举装置和托叉，所述托举装置包括托板，所述托板可升降地设置；所述托叉可升降地设置；所述托叉升降时可贯穿所述托板升至所述托板上方并可下降至所述托板下方地设置。托板设置缺口，托叉可自缺口穿过托板，使得本发明易于实现托出料盒内的引线框架。托叉可平移地设置，在使用过程中可避开托板升降，避免干涉。
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公开(公告)号：CN113820919A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110979409.2
申请日：2021-08-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司 , 上海芯刻微材料技术有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/42 , C07C309/12 , C07C381/12
摘要： 本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式(I)所示的结构，所述鎓离子具有式(A)或式(B)所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。
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公开(公告)号：CN113774391A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110926048.5
申请日：2021-08-12
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光后清洗液的应用。具体公开了一种清洗液在清洗化学机械抛光后的半导体器件中的应用，所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
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公开(公告)号：CN113774390A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110924722.6
申请日：2021-08-12
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于化学机械抛光后的清洗液及其制备方法。清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的强碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.05％‑0.2％的表面活性剂、0.01％‑0.1％的氨基酸、0.01％‑10％的缓蚀剂、0.01％‑10％的螯合剂和水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；其中，所述的氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合。本发明的清洗液具有更好地清除BTA的效果。
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公开(公告)号：CN108375880B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810130649.3
申请日：2018-02-08
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗液、其制备方法和应用。所述的等离子刻蚀清洗液，其由下述原料制得，所述原料包含下列组分：分散剂、羟胺类化合物和/或其盐、有机溶剂、缓蚀剂、有机胺、环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和水。本发明的等离子刻蚀清洗液可用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片，且清洗效果好，长期放置和使用过程中几乎不发生团聚，基本不产生颗粒，且同时对金属和非金属的腐蚀速率较小，具有较好的工业应用推广前景。
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公开(公告)号：CN111925798B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010817221.3
申请日：2020-08-14
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种蚀刻液组合物、其制备及应用。具体地，所述的蚀刻液组合物，按质量份数计，其包括下述组分：磷酸76.5～84.6份、水13.5～15份、如式A所示的化合物0.5～10份。使用本发明的如式A所示的化合物及组合物可提供高选择比，提升蚀刻液的寿命，能适应层叠结构层数的增加。
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公开(公告)号：CN113430069A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010209649.X
申请日：2020-03-23
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/835 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/60 , C08B37/16 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用。本发明提供了一种低羟胺水基清洗液，其特征在于，其由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：0.1％‑5％的羟胺类化合物、0.5％‑20％的醇胺、0.1％‑20％的季铵碱、0.01％‑30％的螯合剂、0.1％‑20％的聚季铵盐表面活性剂、0.1％‑15％的非离子型表面活性剂、0.1％‑25％的环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占原料的总质量的百分比。本发明的低羟胺水基清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN113430066A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010230594.0
申请日：2020-03-23
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/60 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/386 , C11D3/39 , C11D11/00 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种用于选择性移除硬遮罩的清洗组合物、其制备方法及应用。所述的清洗组合物由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：10％‑45％的氧化剂、0‑1.5％的D‑氨基酸氧化酶、0‑2.5％的D型氨基酸、0.1％‑15％的有机碱、0.001％‑15％的螯合剂、0.005％‑15％的缓蚀剂、0.05％‑15％的羧酸铵、0.005％‑1.5％的EO‑PO聚合物L42、0.005％‑2.5％的钝化剂和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比。本发明清洗组合物对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN113430065A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010210656.1
申请日：2020-03-23
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途。该组合物，其由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：0.1％‑4％的氟化物、0.5％‑6％的季铵碱、0.005％‑3％的螯合剂、0.005％‑3％的缓蚀剂、10％‑30％的有机胺、0.005％‑3％的表面活性剂、0.005％‑2％的钝化剂、5％‑50％的有机溶剂和余量的水；其中，所述的表面活性剂为EO‑PO聚合物L31，所述的钝化剂为1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)。本发明的组合物对对多种金属材料、介电材料及SARC材料缓蚀性强，清洗效果佳。
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