金属纳米颗粒及其制备方法、QLED器件

    公开(公告)号:CN109202059B

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201710542113.8

    申请日:2017-07-05

    发明人: 程陆玲 杨一行

    摘要: 本发明提供了一种金属纳米颗粒的制备方法,包括以下步骤:提供金属纳米颗粒种子,配置成金属纳米颗粒种子溶液;将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后,加入硫醇搅拌处理1‑3小时,然后采用萃取剂从混合液中离心分离,得到含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子,分散处理后形成含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液;在所述含有硫醇配体的金属纳米颗粒种子溶液中添加卤化季铵盐和三卤代乙酸,在惰性氛围下搅拌反应,反应结束后加入淬灭剂,得到卤素钝化的金属纳米颗粒。

    二次热注入法制备二元相量子点的方法

    公开(公告)号:CN106544018B

    公开(公告)日:2019-12-03

    申请号:CN201610979032.X

    申请日:2016-11-07

    发明人: 程陆玲 杨一行

    摘要: 本发明提供了一种二次热注入法制备二元相量子点的方法,包括以下步骤:提供阳离子前驱体、第一阴离子前驱体、第二阴离子前驱体;在90‑150℃条件下进行第一次热注入处理,将所述第一阴离子前驱体注入所述阳离子前驱体中,得到预制二元相量子点溶液;在90‑150℃条件下进行第二次热注入处理,在所述预制二元相量子点溶液中注入所述第二阴离子前驱体,经冷却、纯化处理,得到二元相量子点。

    复合纳米颗粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN109994624A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201711474734.3

    申请日:2017-12-29

    发明人: 程陆玲 杨一行

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56 H01L51/54

    摘要: 本发明提供了一种复合纳米颗粒,所述复合纳米颗粒包含相互结合的金属氧化物纳米颗粒和金属纳米颗粒,其中,所述金属氧化物纳米颗粒表面结合有卤化物阴离子,所述金属纳米颗粒表面结合有电正性表面修饰剂,且所述金属氧化物纳米颗粒和所述金属纳米颗粒通过所述卤化物阴离子和所述电正性表面修饰剂之间的吸附作用相互结合。

    量子点薄膜及其制备方法和电池器件

    公开(公告)号:CN109994612A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201711468968.7

    申请日:2017-12-29

    发明人: 程陆玲 杨一行

    摘要: 本发明属于量子点技术领域,具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和电池器件。一种量子点薄膜,含有量子点,所述量子点表面结合有硫醇配体,所述量子点表面还结合有阳离子,且所述阳离子可与所述硫醇配体结合。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阳离子,这样能有效提高硫醇配体与量子点表面的金属元素的结合率,进而有效增加量子点表面硫醇配体流动带动量子点表面金属原子流动造成的表面缺陷,从而提高量子点薄膜的光吸收强度,改善电池光伏器件的效率。

    一种薄膜及其制备方法与QLED器件

    公开(公告)号:CN109962169A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201711435542.1

    申请日:2017-12-26

    发明人: 杨一行 程陆玲

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点,其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料,所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比,本发明薄膜中含有量子点与高分子材料,利用高分子材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离,从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭,达到薄膜中量子点发光量子产率的提升。利用这种具有高发光量子产率的薄膜到QLED器件中,就能实现高效率的QLED器件。

    一种复合膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN109929541A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201711353859.0

    申请日:2017-12-15

    发明人: 程陆玲 杨一行

    摘要: 本发明公开一种复合膜及其制备方法与应用,方法包括:提供分散有红光量子点和绿光量子点的混合溶液;提供富勒醇,采用钛酸酯偶联剂对所述富勒醇进行表面修饰,制备得到钛酸酯联剂修饰的富勒醇;配置得到钛酸酯偶联剂修饰的富勒醇溶液;提供基板,将所述红光量子点和绿光量子点的混合溶液沉积到所述基板上,形成第一薄膜;在所述第一薄膜表面沉积钛酸酯偶联剂修饰的富勒醇溶液,层叠形成第二薄膜,并在所述第一薄膜和第二薄膜的界面处,使位于第二薄膜表面的富勒醇中的钛酸酯偶联剂修饰中的胺基、羟基或环氧基与第一薄膜表面的红光量子点或绿光量子点中的表面金属元素结合,制备得到所述复合膜。

    一种纳米颗粒及其制备方法与太阳能电池

    公开(公告)号:CN109929540A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201711352579.8

    申请日:2017-12-15

    发明人: 程陆玲 杨一行

    摘要: 本发明公开一种纳米颗粒及其制备方法与太阳能电池,方法包括提供油溶性量子点;采用硅烷偶联剂对油溶性量子点进行表面修饰,得到硅烷偶联剂修饰的量子点,所述硅烷偶联剂的通式为YSiX3,其中X为烷氧基,Y为非水解基团,Y中碳链末端含有胺基取代基或巯基取代基;将硅烷偶联剂修饰的量子点与富勒醇混合,使硅烷偶联剂修饰的量子点与富勒醇之间发生交联反应,制备得到所述纳米颗粒。本发明将制备得到的所述纳米颗粒制备成太阳能电池的光吸收层,不仅可以节省原料,降低成本,而且能够有效改善光吸收层中的光电荷转移效率进而提高电池器件转化效率。

    一种多阱结构量子点、QLED及制备方法

    公开(公告)号:CN106206977B

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201610882224.9

    申请日:2016-09-30

    发明人: 程陆玲 杨一行

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56

    摘要: 本发明公开一种多阱结构量子点、QLED及制备方法,其中,多阱结构量子点包括量子点核、依次循环生长在所述量子点核外的第一量子点壳及第二量子点壳,所述第一量子点壳和第二量子点壳的总层数为预定层数,所述量子点核、第一量子点壳和第二量子点壳内均含有金属离子。本发明的多阱结构量子点荧光强度高,并且量子点核和量子点壳内都具有一层金属离子,所以可以提高多阱结构量子点的荧光寿命,同时提高其稳定性。

    一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件

    公开(公告)号:CN109301074A

    公开(公告)日:2019-02-01

    申请号:CN201710612047.7

    申请日:2017-07-25

    发明人: 程陆玲 杨一行

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56 H01L51/54

    摘要: 本发明公开一种电子传输层材料的制备方法与QLED器件,方法包括如下步骤:将富勒烯通过催化碱法制备得到富勒醇,并配制成富勒醇溶液;将富勒醇溶液与金属氧化物纳米颗粒溶液混合,制备得到电子传输层材料。本发明是采用富勒烯材料进行醇化后与现有电子传输层金属氧化物纳米颗粒进行混合掺杂共同作为电子传输层,通过调控各种材料的浓度以及种类,不仅极大的丰富了电子传输层材料的选择,同时也能够有效的调控电子传输层的电荷迁移率,从而有效改善QLED的器件性能。