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公开(公告)号:CN108352456A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680056658.1
申请日:2016-09-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·洛特 , 维金塔斯·扬库什 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 杰罗姆·加尼耶
IPC: H01L51/52
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件,其包含阳极、阴极、发光层、包含第一基质化合物的未掺杂的电子传输层以及包含第二基质化合物和碱金属有机络合物和/或碱金属卤化物的电子注入层,其中所述未掺杂的电子传输层和所述电子注入层布置在所述发光层与阴极之间,其中所述第一基质化合物的还原电势没有9,10-二(萘-2-基)蒽的还原电势这么负,但比4,4’-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)联苯的还原电势更负,其中在两种情况下的所述还原电势是在四氢呋喃中相对于Fc/Fc+测量的;并且所述第一基质化合物的偶极矩被选择为≥0德拜且≤2.5德拜,并且所述第二基质化合物的偶极矩被选择为>2.5德拜且
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公开(公告)号:CN119923986A
公开(公告)日:2025-05-02
申请号:CN202380067918.5
申请日:2023-08-02
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 本杰明·舒尔策 , 托马斯·罗泽诺 , 斯特芬·伦格 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
IPC: H10K59/32 , H10K50/19 , C07C255/35 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件,所述电致发光器件包含式(I)的轴烯和芳基胺化合物、二芳基胺化合物、三芳基胺化合物或式(II)的化合物,并且涉及一种包含所述有机电致发光器件的显示器件。
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公开(公告)号:CN118102838A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410149830.4
申请日:2018-11-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科 , 本杰明·舒尔策
IPC: H10K85/60 , H10K50/16 , C07D401/10 , C07D251/24
Abstract: 本发明涉及一种三嗪化合物和包含所述化合物的有机半导体层。具体地,本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物:(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN109761919B
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN201811317425.X
申请日:2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 本杰明·舒尔策 , 多玛果伊·帕维奇科 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K30/50 , H10K50/10 , H10K10/46
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地,本发明涉及一种根据式1的化合物,所述化合物适合用作电子器件的层材料,并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层,以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN111448188B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN201880070647.8
申请日:2018-11-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 多玛果伊·帕维奇科 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D401/10 , C07D251/24 , H10K85/60 , H10K50/16
Abstract: 本发明涉及一种由通式(I)表示的化合物:(式I)、包含所述化合物的有机半导体层、包括所述有机半导体层的有机电子器件以及包括所述有机电子器件的装置。
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公开(公告)号:CN117529981A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202380009770.X
申请日:2023-06-01
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策 , 托马斯·罗泽诺 , 马克斯·皮特·纽伦 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克
IPC: H10K50/17
Abstract: 本发明涉及一种包含式(I)化合物和式(II)化合物的电致发光器件和包含所述有机电致发光器件的显示装置。
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公开(公告)号:CN116783163A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202180092471.8
申请日:2021-12-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D213/61
Abstract: 本发明涉及一种式(I)的化合物和包括包含式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件。
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公开(公告)号:CN115943757A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202180044543.1
申请日:2021-06-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 马克斯·皮特·纽伦 , 本杰明·舒尔策 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 奥利弗·朗古特
Abstract: 本发明涉及一种式(I)化合物和包含半导体层的有机电子器件,所述半导体层包含式(I)化合物。
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公开(公告)号:CN115868257A
公开(公告)日:2023-03-28
申请号:CN202180040710.5
申请日:2021-06-14
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 马克斯·皮特·纽伦 , 本杰明·舒尔策 , 雅各布·亚切克·乌达尔奇克 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹
Abstract: 本发明涉及一种有机发光二极管,所述有机发光二极管包含基底,阳极,阴极,发光层,电子注入层,和电子传输层叠层结构;并且涉及包含该有机发光二极管的显示器件或照明器件。
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公开(公告)号:CN110892545B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN201880033940.7
申请日:2018-05-18
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor: 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策
IPC: H01L51/54
Abstract: 本发明涉及式1化合物和包括有机半导体层的有机电子器件,其中至少一个有机半导体层包含式1化合物,其中X选自O、S或Se;Ar1选自未被取代或被取代的C2至C60杂芳亚基,并且其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基包含至少约一个至约六个取代基,其中所述被取代的C2至C60杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、OH、卤素、C6至C36芳亚基或C2至C25杂芳亚基;n为1或2;L1选自单键、C1至C4烷基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基,其中被取代的C6至C36芳亚基的取代基选自C1至C12烷基、C6至C18芳亚基;L2选自单键或C1至C6烷基;R1、R2独立地选自被取代或未被取代的C1至C16烷基,其中被取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基;其中所述式1化合物包含至少约4个C6芳亚基环并且分子质量为至少约400g/mol至约1800g/mol。
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