公开(公告)号：CN113999004B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111315942.5

申请日：2021-11-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 闫养希 ,  覃文杰 ,  李智敏 ,  张东岩 ,  张茂林 ,  靳立 ,  郝跃

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法，该无铅高储能密度陶瓷材料化学式为：(1‑x)[(1‑y)BaTiO3‑yBi(M′M″)O3]‑xBi0.5Na0.5TiO3，其中，0.1≤x≤0.5，0.03≤y≤0.4，M′为Zn、Mg、Li或Ni，M″为Hf、Ta、Nb或Ti。本发明的无铅高储能密度陶瓷材料，通过将具有很大饱和极化强度的BNT作为第三组元与弛豫铁电体BaTiO3‑Bi(M′M″)O3固溶，得到BT‑BM′M″‑BNT体系，本发明的无铅高储能密度陶瓷材料在显著提高了其饱和极化强度下仍保持了极低的剩余极化强度，并能在极低场强下取得极大的储能密度。

公开(公告)号：CN113121215B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110323683.4

申请日：2021-03-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  罗丰 ,  闫养希 ,  张东岩 ,  张茂林

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  B05B17/06

Abstract: 本发明提供的一种无铅压电陶瓷、雾化片及制备方法，通过痕量Mn离子取代Fe离子，能够显著提高材料的三方畸变，降低材料的对称性，通过提高压电性能的本征贡献，进而显著提高材料的宏观压电性能。因此制备出的用于雾化片的无铅压电陶瓷可以有效避免PZT压电陶瓷材料在生产、服役和废弃过程中带来的铅污染问题，避免了对人类和环境造成的危害；由于BF‑BT高的居里温度，制成的雾化片具有较好的抗干烧能力，同时具有很好的抗老化特性，并且不存在水解问题，可以很好的在水基溶液中工作，具有相界宽、性能稳定的特点，有利于保证大规模生产的产品一致性，提高良品率降低成本。相较于KNN陶瓷制备的雾化片具有明显的优势。

公开(公告)号：CN113106486A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110217565.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王媛 ,  李智敏 ,  黄云霞 ,  张东岩

IPC: C25B11/077 ,  C01G51/04 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种用于电催化水分解析氧的富含氧缺陷的钴氧化物制备方法，包括：确定反应气氛和氢氧化钴原料的重量；反应气氛包括：氮气、氩气、氨气以及空气中的任一种或多种；基于反应气氛获取对应的参考制备方案；基于参考制备方案确定与重量匹配的目标相变温度范围读数；在反应气氛下按照目标相变温度范围读数所指示的温度范围对氢氧化钴原料进行高温煅烧，得到氧缺陷浓度在目标范围内的钴氧化物，其可用于作为电催化水分解析氧的催化剂；目标范围为30％～60％。本发明可以制备出稳定、廉价的过渡金属钴基氧化物材料的电催化产氧催化剂。

公开(公告)号：CN110498683A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910757888.6

申请日：2019-08-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  闫养希 ,  夏彧顺 ,  张东岩 ,  张茂林 ,  郝跃

IPC: C04B35/499 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结制备铪钛酸铅-铌镍酸铅压电陶瓷的方法，该方法包括以下步骤：预制前驱体NiNb2O6粉料，预合成0.51Pb(Ti0.7Hf0.3)O3-0.49Pb(Ni1/3Nb1/3)O3粉料；CuO粉体、Li2CO3粉体、Bi2O3粉体添加剂的加入，并制备胚体；胚体的排胶和烧结处理；抛光、被银和极化处理，得铪钛酸铅-铌镍酸铅压电陶瓷。通过添加剂与制备工艺的合理匹配，在烧结温度不大于1000℃的情况下，制备出了压电常数大于800pC/N的PHT-PNN系压电陶瓷，从而使多层压电器件能够与低熔点的Ag电极共烧，提升压电性能的同时，大幅度降低了多层压电器件的生产成本。

公开(公告)号：CN105837204B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610161429.8

申请日：2016-03-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 闫养希 ,  李智敏 ,  黄云霞 ,  张茂林 ,  孙鹏 ,  郝跃

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开的氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法，具体为：分别称取CaCO3粉体、La2O3粉体、TiO2粉体、SnO2粉体，及CeO2粉体；将上述所有粉体加入球磨罐中球磨，得到混合粉料；将混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却处理，得到预制混合粉料；将预制混合粉料依次进行研磨、球磨及烘干处理，得到预制混合干粉料；将配制的PVA溶液加入预制混合干粉料中进行造粒；将造好的粉粒过筛，剔除大粉粒；最后将过滤后得到的粉粒压制成胚体；对胚体依次进行排胶、自然冷却处理及煅烧处理，得到氧化铈掺杂的钛锡酸镧钙微波介质陶瓷。本发明钛锡酸镧钙微波介质陶瓷制备方法实现了在Q×f值不大幅下降的前提下进一步了提高介电常数。

公开(公告)号：CN109136980A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810960651.3

申请日：2018-08-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王媛 ,  严珂 ,  李智敏 ,  黄云霞 ,  闫养希

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  H01M4/90

CPC classification number: C25B11/0478 ,  C25B1/04 ,  H01M4/9041

Abstract: 本发明公开了一种枝状CoFeCu三元合金的制备方法，具体包括如下步骤：分别称取CoSO4·7H2O、CuSO4·5H2O及Fe(NO3)3·9H2O溶于去离子水中在室温下搅拌至完全溶解，得溶液A；将NH4F加入到溶液A中，搅拌至其完全溶解，得溶液B；将Na2C6H5O7·7H2O加入到溶液B中，搅拌均匀；将所得溶液以泡沫镍为基底，在室温下以‑1.1V vs Ag/AgCl电压沉积；将经沉积后的泡沫镍用无水乙醇和去离子水分别清洗；将得到的泡沫镍在真空干燥箱进行干燥，即得枝状的CoFeCu三元合金。利用本发明提供的方法制得的CoFeCu三元合金具有优异的析氧催化性能。

公开(公告)号：CN107910545A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711078593.3

申请日：2017-11-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  李高锋 ,  宁涛 ,  张茂林 ,  张东岩 ,  闫养希 ,  郝跃

IPC: H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种高比容量富锂锰正极材料的制备方法，具体为：步骤1、将硝酸锂、乙酸镍和乙酸锰依次溶于乙醇中，磁力搅拌至形成绿色透明溶液；再向绿色透明溶液中添加聚乙二醇，于水浴中加热并搅拌，直至形成均匀粘稠状绿色液体；步骤2、将经步骤1得到的绿色粘稠液体倒入坩埚中发生燃烧反应，然后冷却至室温，之后经研磨、过筛得到黑色粉料；步骤3、将经步骤2得到的黑色粉料先经低温预烧后高温煅烧，冷却后得到粉料，再将粉料依次进行研磨、过筛，得到高比容量的富锂锰正极材料。利用本发明的制备方法能获得放电比容量大于280mAh/g的Li1.2Ni0.2Mn0.6O2正极材料，其库伦效率高达95％。

公开(公告)号：CN107230540A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710421613.6

申请日：2017-06-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 李智敏 ,  孙鹏 ,  宁涛 ,  张茂林 ,  闫养希 ,  李培咸

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/027

Abstract: 本发明公开的银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，具体为：步骤1、利用RuO2和银包铜粉体制备出导电相粉末；步骤2、利用ZnO、B2O3、SiO2、PbO以及Bi2O3制备出改性ZnBSi玻璃相粉末；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机载体相；步骤4、将经步骤1得到的导电相粉末、经步骤2得到的改性ZnBSi玻璃相粉末以及步骤3得到的有机载体相混合均匀，得到银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银包铜改性的氧化钌厚膜电阻浆料制备方法，解决了现有厚膜电阻浆料制作成本过高，不利于大规模生产的问题。

公开(公告)号：CN107056293A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710416681.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 闫养希 ,  李智敏 ,  刘治宏 ,  黄云霞 ,  张茂林 ,  孙鹏 ,  王媛

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/94

Abstract: 本发明公开的Fe2O3掺杂PHT‑PNN压电陶瓷的制备方法，具体的步骤为：(1)预制前驱体铌酸镍粉料的合成；(2)按照0.51Pb(Ti0.7Hf0.3)O3‑0.49Pb(Ni1/3Nb1/3)O3的化学计量配料并掺入0.4％～1.2％mol的Fe2O3；(3)制备出预合成粉料；(4)造粒及胚体成型；(5)得到Fe2O3掺杂PHT‑PNN压电陶瓷初成品；(6)抛光、被银及极化处理，得到Fe2O3掺杂PHT‑PNN压电陶瓷。本发明的制备方法较为简单，能获得压电系数大于900pC/N的高性能压电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN105741903A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610299042.9

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 孙鹏 ,  李智敏 ,  张茂林 ,  闫养希 ,  黄云霞 ,  郝跃

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01C7/00

CPC classification number: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01C7/00

Abstract: 本发明公开的银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、利用RuO2粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相；步骤2、利用SiO2、Al2O3、CaO、BaO、B2O3、PbO以及Bi2O3制备出改性铝硅玻璃相；步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备有机相；步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相以及步骤3得到的有机相混合均匀，即得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法，解决现有厚膜电阻浆料低电阻和高TCR之间存在矛盾的问题，该方法对生产工艺和设备无特殊要求，便于推广和工业化生产。