公开(公告)号：CN101540280A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910022012.3

申请日：2009-04-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张玉明 ,  王德龙 ,  张义门 ,  程萍 ,  张睿 ,  张甲阳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N+到SiC外延层中后，再将Al－注入到外延层中；在离子注入后的外延层上干氧氧化一层SiO2；将氧化后的样片依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上，再淀积一层SiO2后，并在Ar气环境中第一次退火；通过真空溅射Al制作电极，并在Ar气环境中第二次退火，完成整个电容的制作。本发明具有精确控制N+\Al－剂量，SiC/SiO2界面陷阱密度低，MOS电容平带电压偏移小，且实现工艺简单的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。