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公开(公告)号：CN108011043A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711027944.8
申请日：2017-10-28
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/428 , H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的上表面生长栅介质层；在所述栅介质层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在所述光吸收层表面溅射Au材料形成上电极；在所述Si衬底下表面溅射Al材料形成下电极以形成所述MOS电容光敏器件。利用MOS电容在直流电压下几乎不导通的特性以及CH3NH3PbI3材料的光敏特性，本发明的MOS电容光敏器件在暗态时具有极小的功耗，同时对光照具有极高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN107437584A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710411588.3
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极，最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结，易于调制，电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
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公开(公告)号：CN106654012A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611124457.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反射层；在衬底上表面形成隔离区；在衬底上表面形成源漏电极；在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层；在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率，形成的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能对孔洞和空位的填充，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN106486600A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611125222.1
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/428 , H01L51/0077
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面生长隔离槽；采用第二掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；采用第三掩膜版在所述隔离槽一侧的所述衬底材料表面生长电子传输层；采用第四掩膜版在所述隔离槽另一侧的所述衬底材料表面生长空穴传输层；采用第五掩膜版在整个衬底表面生长CH3NH3PbI3材料作为光吸收层；采用第六掩膜版在整个衬底表面生长形成栅电极材料，以完成所述基于CH3NH3PbI3材料的互补型HEMT的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，制备的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
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公开(公告)号：CN107425090B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710411754.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法，包括：S1：选取衬底；S2：在所述衬底上生长底电极层；S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层；S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层；S5：在所述杂化钙钛矿层上生长顶电极。本发明可以使光电探测器二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106654012B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201611124457.9
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增强互补型HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反射层；在衬底上表面形成隔离区；在衬底上表面形成源漏电极；在衬底上表面沿隔离区一侧的生长电子传输层；在衬底上表面沿隔离区另一侧的生长空穴传输层；在整个衬底上表面生长CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收层；在整个衬底上表面生长形成栅电极材料。本发明由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子或空穴，并在衬底上镀银形成反射层增强光的利用率，形成的HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能对孔洞和空位的填充，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN106549107B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201611125225.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底；形成FTO薄膜；制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层；在第一光吸收层表面形成第一电子传输层；在第一电子传输层表面形成源漏电极；在源漏电极及未被源漏电极覆盖的第一电子传输层表面形成第二电子传输层；在第二电子传输层表面制备CH3NH3PbI3材料以形成第二光吸收层；在第二光吸收层表面形成栅电极，最终形成双向HEMT器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106505149B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611122943.7
申请日：2016-12-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成空穴传输层；利用旋涂工艺，在空穴传输层表面旋涂CH3NH3PbI3和PCBM混合材料形成光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成反光增强型HHMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，在衬底下表面镀银形成反射增强型HHMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN107591487A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710848508.0
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种平面型光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底；在所述衬底表面制作光吸收层；在所述光吸收层表面制作电极以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的平面型光电探测器，通过控制MoS2的厚度来调谐其能量带隙值从而降低背景噪声；可以实现增强超快的可见-近红外宽谱响应；可以降低暗电流和背景载流子浓度。
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公开(公告)号：CN107425116A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710412532.X
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L45/14 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及一种基于缓冲层的阻变存储器及其制备方法，该方法包括：在Si衬底表面热氧化SiO2层形成的半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和第一缓冲层；利用旋涂工艺在第一缓冲层表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长第二缓冲层；在第二缓冲层表面生长点状顶电极，最终形成缓冲层的阻变存储器。本发明在CH3NH3PbI3薄膜与上下电极之间插入缓冲层，可以形成肖特基势垒，显著的降低阻变层和电极之间的漏电流。
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