-
公开(公告)号：CN112490358A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011357101.6
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提出基于串联结构的高稳定多阻态忆阻器及其制备方法，以解决现有多阻态忆阻器性能不稳定、阻变机理不明晰、可重复性不高的技术问题。该多阻态忆阻器包括上电极、阻变层及下电极，其中，阻变层包括2‑8层单忆阻器堆叠结构，层间采用惰性金属材料作为阻挡层；基于导电细丝型忆阻器堆叠结构采用导电细丝型阻变材料，基于氧化还原反应型忆阻器堆叠结构采用富氧层阻变材料和活性金属材料。多阻态忆阻器中，导电细丝型阻变材料采用HfO2、Al2O3、TaOx、TiO2、SiO2及钙钛矿中的一种或多种；富氧层材料为TaOx、MoOx及TiOx中的一种或多种；活性金属材料采用Mg、Hf、Ni、Ti、Al、Fe及Zn中的一种或两种。本发明还提出了两种忆阻器堆叠结构的制备方法。
-
公开(公告)号：CN111521300A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010345209.7
申请日：2020-04-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开的一种具有静动态双信号输出的摩擦电触觉传感器及其制备方法，包括双电极的摩擦电纳米发电机和柔性薄膜晶体管；其中柔性薄膜晶体管栅极与摩擦纳米发电机的一个电极相连，栅极电压受摩擦电纳米发电机控制，摩擦纳米发电机输出信号和薄膜晶体管沟道电流分别作为两路不同传感信号输出。传感器柔性衬底的上表面铺设有半导体沟道层、摩擦电栅电极，半导体沟道层的两端分别铺设有源电极、漏电极，半导体沟道层与摩擦电栅电极的上表面覆盖有离子凝胶，柔性封装膜覆盖在整个器件表面。本发明制备的具有静态/动态双信号输出的摩擦电触觉传感器的方法其工艺过程明了、简单，制备出的具有静态/动态双信号输出的摩擦电触觉传感器传感性能好、寿命高，适合批量化生产加工。
-
公开(公告)号：CN116776947A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310762018.4
申请日：2023-06-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种感受野模块、脉冲耦合电子视网膜及其实现方法，包括脉冲型电子光感受器阵列以及电子视神经元；脉冲型电子光感受器包括光敏莫特忆阻器及串联电阻，其中，光敏莫特忆阻器的正端连接电源，光敏莫特忆阻器的负端与串联电阻的一端相连接，串联电阻的另一端接地；脉冲型电子光感受器阵列中脉冲型电子光感受器的数目为n个，电子视神经元包括MIFG晶体管及莫特忆阻器，其中，MIFG晶体管的n+1个栅极输入端分别与n个光敏莫特忆阻器的输出信号端及公共控制信号端相连接，MIFG晶体管的源极接地；莫特忆阻器的正极与电源相连接，莫特忆阻器的负极与MIFG晶体管的漏极相连接，该视网膜及其实现方法具有计算速度快以及功耗较低的特点。
-
公开(公告)号：CN113358730B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110572602.4
申请日：2021-05-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供的一种沙林及其模拟剂的气敏传感器和制备方法，制备针对沙林及其模拟剂甲基膦酸二甲酯(DMMP)具有选择性和栅控特性的复合敏感沟道，实现场效应管型气敏传感器的基本结构。在气敏测试过程中，可以对传感器进行转移特性、输出特性等晶体管基本特性曲线持续扫描，获取如载流子迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等关键器件物理参数，进而挖掘气体吸附与电荷转移的根本规律。同时本发明设计的传感器可通过改变栅极电压信号的幅值和形式调控优化对沙林及其模拟剂的敏感性，气敏响应速度以及选择性。该发明所述的场效应管型气敏传感器有效改善了传统金属氧化物型半导体微纳气敏传感器高工作温度，选择性差和敏感参量单一等缺陷。
-
公开(公告)号：CN113390464B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110714948.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种编码脉冲输出的阻变型传感构架，包括编码脉冲输出单元和频率计算单元，所述编码脉冲输出单元包括阻变型传感器及MIT忆阻器；所述频率计算单元包括电压比较器及MCU模块；电压源经阻变型传感器与MIT忆阻器的一端及电压比较器的输入端相连接，MIT忆阻器的另一端接地，电压比较器的输出端与MCU模块的输入端相连接，该构架能够有效解决系统硬件结构复杂、功耗大，传递数据量大及效率低的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111900248B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010641523.X
申请日：2020-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于多态存储领域，公开了一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法，所述多态阻变存储器包括衬底和衬底上自下而上依次沉积的底部电极、氧离子存储层、活性电极堆栈层和顶部电极；活性电极堆栈层包括自下而上依次设置的若干电极层，若干电极层分别采用活性不同的活性金属材料制作，最下方的电极层与氧离子存储层接触，最上方的电极层与顶部电极接触。在外加电压的作用下，能够通过氧离子存储层中的氧离子逐级氧化活性电极堆栈层，改变活性电极堆栈层的氧化厚度，进而改变活性电极堆栈层的界面势垒高度，产生不同的导电状态，实现多个电阻状态的阻变存储器。
-
公开(公告)号：CN111384943B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010163292.6
申请日：2020-03-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K19/0948 , G06N3/063
Abstract: 本发明属于人工神经网络领域，公开了一种柔性仿神经元电路及基于其的脉冲神经网络，柔性仿神经元电路包括第一薄膜晶体管、第一CMOS反相器、第二CMOS反相器、第一偏置电阻、第二偏置电阻和突变型忆阻器；脉冲神经网络包括仿突触阵列和若干上述的柔性仿神经元电路；仿突触阵列一端用于信号的输入，另一端与若干柔性仿神经元电路均连接，所述仿突触阵列和若干柔性仿神经元电路集成制备。解决了现有技术中柔性仿神经元电路的结构复杂，电路功耗高，且不能与忆阻器仿突触阵列集成制备的缺点，提供了一种结构十分简单，需要的晶体管数目很少的柔性仿神经元电路，并且其功耗低，降低了生产和使用成本，实现了柔性仿神经元电路与仿突触阵列的集成制备。
-
-
公开(公告)号：CN113380610A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110616562.9
申请日：2021-06-02
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法，采用标准光刻工艺在自支撑衬底GaN的正面制备光刻胶刻蚀掩膜；采用感应耦合等离子体ICP干法刻蚀工艺对自支撑衬底GaN进行对准标记刻蚀实验；采用电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底的背面蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层并进行快速退火处理形成欧姆接触；采用光刻和电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底正面制备条形金属Ni掩膜；再采用ICP干法刻蚀工艺在条形金属Ni掩膜上进行刻蚀，然后在自支撑衬底GaN正面注入Ar离子；最后在离子注入完的自支撑衬底GaN衬底正面制备Ni/Al复合金属层，形成金属‑绝缘层‑半导体结构GaN肖特基二极管。本发明能够有效减小普通垂直GaN肖特基二极管的反向漏电，提高击穿电压。
-
公开(公告)号：CN111900248A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010641523.X
申请日：2020-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于多态存储领域，公开了一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法，所述多态阻变存储器包括衬底和衬底上自下而上依次沉积的底部电极、氧离子存储层、活性电极堆栈层和顶部电极；活性电极堆栈层包括自下而上依次设置的若干电极层，若干电极层分别采用活性不同的活性金属材料制作，最下方的电极层与氧离子存储层接触，最上方的电极层与顶部电极接触。在外加电压的作用下，能够通过氧离子存储层中的氧离子逐级氧化活性电极堆栈层，改变活性电极堆栈层的氧化厚度，进而改变活性电极堆栈层的界面势垒高度，产生不同的导电状态，实现多个电阻状态的阻变存储器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.027 seconds)
