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公开(公告)号：CN113823700B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111088312.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0216 , G02B1/115 , G02B5/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法，氮化镓层的正面和反面分别设有阳极和阴极，氮化镓层的正面和阳极的表面设有增透膜，增透膜在阳极的正面设有第一空白区域，第一空白区域沿增透膜的表面从增透膜的厚度方向延伸至阳极的正面，第一空白区域得宽度不大于阳极的宽度；氮化镓层的背面和阴极的表面设有高反膜，高反膜在阴极的正面设有第二空白区域，第二空白区域沿高反膜的表面从高反膜的厚度方向延伸至阴极的正面，第二空白区域的宽度不大于阴极的宽度。本发明氮化镓光导半导体开关从光吸收特性角度出发，提升了氮化镓光导半导体开关的峰值功率高，使得该氮化镓光导半导体开关能够满足固态化高功率微波系统应用需求。
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公开(公告)号：CN113094020B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110278224.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F7/02
Abstract: 本发明公开了一种快速查找数据集最大或最小N个值的硬件装置及方法，包括所述存储器单元，用于分组存储参与向量最大值或最小值运算的数据；所述寄存器单元，用于存储最大或最小N个值的中间结果和最终结果；所述比较器单元，用于比较当前最大值或最小值寄存器中所存储的值和当前每组对应的输入数据的大小关系；根据比较器的结果选择是否更新最大值或最小值寄存器中所存储的值。本发明通过使用两级多分组流水线设计，在不增加额外存储资源的情况下大大减少了求取最大或最小N个值的周期数，减少了计算所需的时间。
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公开(公告)号：CN113390959B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110484717.8
申请日：2021-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种复合敏感膜及制备方法、气体传感器及制备方法，将毒气敏感材料分散到溶剂中，然后旋涂到以金属为衬底通过化学气相沉积制备得到的二维材料表面，从而获得一种堆叠结构的复合敏感膜；将复合敏感膜裁剪成合适的尺寸，放到刻蚀液的液面上，以刻蚀复合敏感膜的金属衬底，从而得到自支撑的复合敏感膜；将自支撑的复合敏感膜在去离子水液面上漂洗后，利用浸渍提拉法将其转移到气敏传感器的测量元件表面。复合敏感膜中的二维材料层具有良好的疏水性和机械强度，保证复合敏感膜在液面上的完整性。另外，二维材料层还具有很高的表面能，可以改善复合敏感膜与压电衬底表面的贴附性，增强毒气敏感材料与声表面波器件的耦合作用，从而提高传感器对沙林毒气及其模拟剂的响应灵敏度和响应速度。
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公开(公告)号：CN113823700A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111088312.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0216 , G02B1/115 , G02B5/08
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓光导半导体开关及其制备方法，氮化镓层的正面和反面分别设有阳极和阴极，氮化镓层的正面和阳极的表面设有增透膜，增透膜在阳极的正面设有第一空白区域，第一空白区域沿增透膜的表面从增透膜的厚度方向延伸至阳极的正面，第一空白区域得宽度不大于阳极的宽度；氮化镓层的背面和阴极的表面设有高反膜，高反膜在阴极的正面设有第二空白区域，第二空白区域沿高反膜的表面从高反膜的厚度方向延伸至阴极的正面，第二空白区域的宽度不大于阴极的宽度。本发明氮化镓光导半导体开关从光吸收特性角度出发，提升了氮化镓光导半导体开关的峰值功率高，使得该氮化镓光导半导体开关能够满足固态化高功率微波系统应用需求。
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公开(公告)号：CN110806430B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910945115.0
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开的一种敷有金属有机框架物的选择性透气膜的制备方法及其应用，通过在放置有气体传感器的管壳顶部密封覆盖敷有MOF的选择性透气膜，实现气体传感器对于气体的选择性，提高检测气体的准确性，另外可以在盛放气体传感器的管壳的不同腔室放置检测不同气体的气体传感器，通过不同腔室所对应的MOF薄膜不同，实现对混合气体的选择性通过，从而提高气体传感器对检测气体的选择性。通过引线键合将气体传感器的电极与管壳内的导电触点相连接，将气体传感器的电信号传输到外部电路，方便气体传感器的封装，缩小了封装尺寸，降低了成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113390464A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110714948.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种编码脉冲输出的阻变型传感构架，包括编码脉冲输出单元和频率计算单元，所述编码脉冲输出单元包括阻变型传感器及MIT忆阻器；所述频率计算单元包括电压比较器及MCU模块；电压源经阻变型传感器与MIT忆阻器的一端及电压比较器的输入端相连接，MIT忆阻器的另一端接地，电压比较器的输出端与MCU模块的输入端相连接，该构架能够有效解决系统硬件结构复杂、功耗大，传递数据量大及效率低的问题。
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公开(公告)号：CN113176305A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110424772.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开的一种复合气敏材料及制备方法、乙醇气体传感器及制备方法，将二碳化三钛材料与金属有机框架衍生的四氧化三钴材料相结合应用于气体传感器，通过在叉指电极上涂覆金属有机框架衍生的四氧化三钴‑二碳化三钛复合材料涂膜，极大地增强了传统四氧化三钴对乙醇的气敏响应，提高了对于乙醇的选择性，具有高的灵敏度，对于50ppm的乙醇灵敏度最高可达185，相对传统的氧化钴气体传感器灵敏度提升了15倍，即使在气体浓度为1ppm时也可检测，而且响应速度很快，并且具备很好的重复稳定性。
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公开(公告)号：CN112563345A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011433128.9
申请日：2020-12-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/024
Abstract: 本发明公开了一种匀化平面型光导开关电场的外导体电极结构及光导开关器件和方法，属于脉冲功率技术领域，该外导体电极结构由金属立方体块材构成，在该金属立方体块材表面镀有至少一层金属镀层，且该外导体电极结构的上侧边缘和下侧边缘分别形成倒角结构，有效地降低器件电极边缘的电场强度，在显著增强器件耐压能力的同时，抑制电极边缘损伤的出现，从而提升器件工作时的可靠性和寿命。与此同时，外导体凭借其良好的导热性，能够将器件连续工作时在电极边缘生成的热量快速转移，避免热损伤的出现。
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公开(公告)号：CN110304623B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910570226.8
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 本发明公开一种大面积转移石墨烯的方法，包括：在衬底上生长石墨烯，形成第一复合结构；在石墨烯表面涂上可去除的介质层，得到第二复合结构；将第二复合结构烘干，形成第三复合结构；将蓝膜与第三复合结构上的介质层粘接，形成第四复合结构；去除第四复合结构的衬底，得到第五复合结构；将第五复合结构转移到目标衬底，其中石墨烯与目标衬底表面相贴合；去除第五复合结构的蓝膜与介质层，将石墨烯保留于目标衬底上。本发明能够保证将高质量的石墨烯转移到目标衬底上，简单易操作，转移效果好。
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公开(公告)号：CN111521300A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010345209.7
申请日：2020-04-27
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开的一种具有静动态双信号输出的摩擦电触觉传感器及其制备方法，包括双电极的摩擦电纳米发电机和柔性薄膜晶体管；其中柔性薄膜晶体管栅极与摩擦纳米发电机的一个电极相连，栅极电压受摩擦电纳米发电机控制，摩擦纳米发电机输出信号和薄膜晶体管沟道电流分别作为两路不同传感信号输出。传感器柔性衬底的上表面铺设有半导体沟道层、摩擦电栅电极，半导体沟道层的两端分别铺设有源电极、漏电极，半导体沟道层与摩擦电栅电极的上表面覆盖有离子凝胶，柔性封装膜覆盖在整个器件表面。本发明制备的具有静态/动态双信号输出的摩擦电触觉传感器的方法其工艺过程明了、简单，制备出的具有静态/动态双信号输出的摩擦电触觉传感器传感性能好、寿命高，适合批量化生产加工。
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