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公开(公告)号：CN119775538A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411723601.5
申请日：2024-11-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明涉及一种可交联环烯烃共聚物及其制备方法和应用。该制备方法通过将降冰片烯及其衍生物与双环戊二烯共聚，并将所得聚合物以溶液流延的方式制备薄膜，最后通过热处理引发聚合物交联结构的形成。所述聚合物是由第二代格拉布催化剂引发单体进行开环易位聚合而制得的，聚合物中的降冰片烯及其衍生物可以调节聚合物在高电场下的极化强度，双环戊二烯可提供交联位点，使聚合物薄膜中形成交联结构。本发明所制备的电介质薄膜具有优异的热稳定性和储能性能，在150℃下仍然保持高击穿强度、高储能密度、高充放电效率以及良好的结构稳定性，适用于在高温环境下工作的储能电容器等电子器件。
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公开(公告)号：CN115536880A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211135971.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供含刚性环状结构的聚芳醚酮基电介质薄膜及其制备方法和应用。该方法通过在聚芳醚酮合成过程中，在其分子主链上引入刚性环状结构获得新型聚芳醚酮基共聚物，进而将其制备为电介质薄膜的方法。刚性环状结构的引入，不仅提升共聚物薄膜的耐热性，还有效降低漏导电流，提高击穿场强及储能密度。采用溶液流延法可方便制备共聚物薄膜，经高温退火处理后，获得耐高温、高储能电介质薄膜。本发明中电介质薄膜的稳定使用温度不低于150℃，在高温下，其击穿强度达500‑750MV/m，储能密度达5.0‑10.0J/cm3，能量可释放效率不低于90％。同时，经过5000次电容充放电测试，可释放效率不低于90％，关键指标均优于现有耐高温商业化工程薄膜。
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公开(公告)号：CN115007415A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210569015.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种高性能聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法和应用，属于电容器薄膜技术领域。基于化学气相沉积技术制备本发明电容器薄膜，包括(1)对二甲苯二聚体提纯，在惰性气体环境下升华为气体，与惰性气体充分混合后裂解，生成对二甲苯双自由基活性单体气体；(2)BOPP薄膜进行表面活化处理后置于硅片基体上，通入对二甲苯双自由基活性单体气体，在BOPP薄膜表面沉积形成高绝缘性能聚合物薄层，获得单面沉积电容器薄膜；(3)重复上述操作，在单面沉积电容器薄膜另一表面沉积，获得双面沉积电容器薄膜。本发明所制备的聚丙烯基电容器薄膜具备优异的电学性能，具有高直流击穿场强、高储能密度和低能量损耗，并在高温下具有良好的介电和耐击穿性能。
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公开(公告)号：CN108395503B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201810210696.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都宏明电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C08F259/08 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08L51/00 , C08J5/18
Abstract: 一种反铁电聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)接枝聚合物的制备方法，采用N‑甲基吡咯烷酮等为溶剂，以氯化亚铜、2,2‑联吡啶、铜等为催化体系，以聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)P(VDF‑TrFE‑CTFE)为聚合物原料，以甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯、丙烯腈等为接枝单体，在分段升温的条件下搅拌反应一定时间后，合成聚P(VDF‑CTFE‑TrFE)‑g‑P(St‑MMA)等接枝共聚物，本方法操作简单易控，催化剂使用含量低，易得到高纯度的目标产物，有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN107556422B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201710855370.7
申请日：2017-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F214/22 , C08F8/00 , C08F8/36 , C08F8/26 , C08J5/22 , H01M8/1072
Abstract: 制备P(VDF‑DB)‑g‑S‑C3H6‑SO3H质子交换膜材料的方法，先将P(VDF‑CTFE)与催化剂同时溶于一定溶剂中，在一定温度条件下搅拌反应一定时间后，在去离子水中析出聚合物P(VDF‑DB)。而后将P(VDF‑DB)、巯基磺酸钠和催化剂同时溶于一定溶剂中，在一定温度条件下搅拌反应一定时间后，在氯仿中析出聚合物，并减压抽滤得到黄色的聚合物。将得到的黄色聚合物用盐酸溶液(pH＝3)进行充分浸泡，而后减压抽滤，并用甲醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物。将洗涤后的产物溶解于丙酮中，充分溶解后，再用正己烷沉析，减压抽滤，最后真空干燥至恒重即可。本方法工艺简单，条件温和，易得到高纯度的目标产物，有很好的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109942996A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910265499.1
申请日：2019-04-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08L27/16 , C08L25/14 , C08L33/12 , C08L33/14 , C08K9/06 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K9/00 , C08K7/00 , C08K3/24 , C08K3/38 , C08J5/18 , D04H1/541 , D04H1/728 , D01F8/10 , D01F1/10
Abstract: 本申请属于电子材料技术领域，特别是涉及一种复合材料制备方法及复合材料。在多元复合材料中，由于分子间作用力或界面作用的存在，极易形成团聚现象，材料很难形成均一结构。在缺陷或界面处电场分布不均匀，导致其击穿场强急剧下降；填料分布不均一的复合材料容易断裂，也难以大规模成膜，不适用工业生产技术领域。本申请提供了一种复合材料制备方法，所述方法包括如下步骤：聚合物基体共混改性，无机粒子表面功能化改性，静电纺丝预制成膜，预制膜的拉伸制成薄膜。本申请制备的复合材料具有较高储能密度以及高能量释放效率，可广泛应用于混合电动汽车、高功率脉冲和电磁弹射设备、军工国防、智能电网系统领域。
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公开(公告)号：CN108395503A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810210696.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 成都宏明电子股份有限公司 , 西安交通大学
IPC: C08F259/08 , C08F212/08 , C08F220/14 , C08L51/00 , C08J5/18
Abstract: 一种反铁电聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)接枝聚合物的制备方法，采用N-甲基吡咯烷酮等为溶剂，以氯化亚铜、2,2-联吡啶、铜等为催化体系，以聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-TrFE-CTFE)为聚合物原料，以甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯、丙烯腈等为接枝单体，在分段升温的条件下搅拌反应一定时间后，合成聚P(VDF-CTFE-TrFE)-g-P(St-MMA)等接枝共聚物，本方法操作简单易控，催化剂使用含量低，易得到高纯度的目标产物，有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN108383930A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810103782.X
申请日：2018-02-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F8/04 , C08F214/22
Abstract: 制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)的方法，采用N,N-二甲基甲酰胺等为溶剂，以染料类或者金属配合物作为光敏剂，并以硅烷试剂等为链转移剂，由P(VDF-CTFE)为原料一步法合成P(VDF-TrFE-CTFE)或P(VDF-TrFE)；将P(VDF-CTFE)、光敏剂以及链转移剂同时溶于一定溶剂中，在一定光照条件下搅拌反应一定时间后，在水中析出聚合物，再用甲醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物，然后真空干燥至恒重即可；本方法工艺简单，条件温和，组成可控，易得到高纯度的目标产物，有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN107556422A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710855370.7
申请日：2017-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08F214/22 , C08F8/00 , C08F8/36 , C08F8/26 , C08J5/22 , H01M8/1072
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 制备P(VDF-DB)-g-S-C3H6-SO3H质子交换膜材料的方法，先将P(VDF-CTFE)与催化剂同时溶于一定溶剂中，在一定温度条件下搅拌反应一定时间后，在去离子水中析出聚合物P(VDF-DB)。而后将P(VDF-DB)、巯基磺酸钠和催化剂同时溶于一定溶剂中，在一定温度条件下搅拌反应一定时间后，在氯仿中析出聚合物，并减压抽滤得到黄色的聚合物。将得到的黄色聚合物用盐酸溶液(pH＝3)进行充分浸泡，而后减压抽滤，并用甲醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物。将洗涤后的产物溶解于丙酮中，充分溶解后，再用正己烷沉析，减压抽滤，最后真空干燥至恒重即可。本方法工艺简单，条件温和，易得到高纯度的目标产物，有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN106645047A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610833525.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/64 , G01N2021/6419
Abstract: 荧光特性的聚合物检测有机溶剂中铜离子络合物的方法，采用荧光聚合物聚(偏氟乙烯‑三氟叠氮乙烯)P(VDF‑ATrFE)，在N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中，研究了氯化亚铜与2,2‑联吡啶等配体形成的铜离子络合物对聚合物荧光的淬灭效应，利用其淬灭强度可以进行有机溶剂中铜离子络合物浓度的定量测量，具有方法操作简单易控，检测范围宽泛，响应快速灵敏，测试成本低廉等优点。
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