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公开(公告)号：CN100386399C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN03152471.0
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1463 , Y10T428/32
Abstract: 一种研磨液组合物，含有研磨材、水、和有机酸或其盐，其剪切速度1500s-1时的在25℃的特定粘度为1.0-2.0mPa·s；一种端面下垂降低剂，由具有用下式表示(粘度降低量＝基准研磨液组合物的粘度-含有端面下垂降低剂的研磨液组合物的粘度)的粘度降低量为0.01mPa·s以上的粘度降低作用的布朗斯台德酸或其盐构成，其中，基准研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份及水79重量份构成，含有端面下垂降低剂的研磨液组合物由研磨材20重量份、柠檬酸1重量份、水78.9重量份及端面下垂降低剂0.1重量份构成，粘度是指在剪切速度1500s-1、25℃下的粘度。前述研磨液组合物或端面下垂降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板等的研磨。
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公开(公告)号：CN1294225C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN03152478.8
申请日：2003-07-31
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 一种研磨液组合物，含有0.03—0.5重量%的有机酸或其盐、研磨材和水，且该研磨材的表面电位为-140～200mV；一种端面下垂降低剂，其由具有控制研磨液组合物中的研磨材表面电位的特性的无机化合物构成，在制备含有研磨材(用α型的刚玉晶体构成的Al2O3纯度为98.0重量%以上的高纯度氧化铝)20重量份、柠檬酸1重量份、水78重量份及无机化合物1重量份而成的基准研磨液组合物的场合，通过该无机化合物的存在，该基准研磨液组合物中的研磨材的表面电位被控制在-110～250mV。该研磨液组合物或端面下垂降低剂组合物可很好地用于精密部件用基板的研磨。
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公开(公告)号：CN1184271C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN01103203.0
申请日：2001-02-02
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: G11B23/505 , B24B37/044 , C09G1/02 , G11B5/8404
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，它含有氧化硅颗粒、水和聚氨基羧酸的铁盐和/或铝盐；本发明还涉及一种使用该抛光组合物的抛光方法；涉及一种制造磁盘基片的方法，它包括用该抛光组合物抛光基片的步骤；还涉及使用该抛光组合物制得的磁盘基片。
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公开(公告)号：CN1513934A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310124681.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02
Abstract: 一种存储硬盘用基板的研磨液组合物，含有水和二氧化硅粒子，其中二氧化硅粒子具有如下的粒径分布，其中，粒径(R)和累积体积频率(V)的关系满足式(1)和式(2)，该关系体现在粒径一累积体积频率的图中，该图通过绘制二氧化硅粒子的累积体积频率(％)来得到，该二氧化硅粒子的累积体积频率通过相对于二氧化硅粒子的粒径(nm)的小粒径一侧来计算；并且其中，在90％的累积体积频率(D90)的粒径为大于等于65nm并且小于105nm。通过使用本发明的研磨组合物，可以有效制备镀Ni－P的磁盘用基板，该基板磨后具有良好的表面光滑性，其中，微凹坑被有效减少。
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公开(公告)号：CN1513931A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN200310124640.5
申请日：2003-12-25
Applicant: 花王株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明涉及一种抛光液组合物，其为含有水和硅石粒子的、用于存储器硬盘所用基板的抛光液组合物，对通过透射式电子显微镜(TEM)观察前述硅石粒子测定得到的该硅石粒子的粒径(nm)从小粒径侧开始的累积体积频率(％)进行绘图得到的该硅石粒子的粒径对累积体积频率图中，粒径40～100nm范围内的累积体积频率(V)相对于粒径(R)满足下式(1)：V≥0.5×R+40(1)。本发明的抛光液组合物特别适用于存储器硬盘所用基板等精密元件用基板的制造。
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公开(公告)号：CN1119316C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN96198441.4
申请日：1996-09-20
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09K5/045 , C07C69/28 , C07C69/30 , C07C69/33 , C10M105/38 , C10M171/008 , C10M2207/281 , C10M2207/282 , C10M2207/283 , C10M2207/286 , C10M2211/022 , C10M2211/06 , C10N2240/00 , C10N2240/22 , C10N2240/30 , C10N2240/50 , C10N2240/52 , C10N2240/54 , C10N2240/56 , C10N2240/58 , C10N2240/60 , C10N2240/66
Abstract: 本发明提供一种在金属存在下具有热稳定性的酯化合物，其特征在于所述酯化合物是由具有5-15个碳原子的二元至九元受阻醇和具有3-20个碳原子的饱和脂族一元羧酸或其衍生物形成的；支链羧酸或其衍生物与对整个羧酸或其衍生物的比率不低于50%(摩尔)；酯化合物的羟值不超过30mgKOH/g；密封管试验后的酸值不超过10mgKOH/g；和包含不低于20%(重量)该酯化合物的润滑油组合物。本发明提供在金属存在下具有优异的热稳定性的酯化合物和包含该酯化合物作为主要成分的用于制冷机械的润滑油组合物和工作流体组合物。
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公开(公告)号：CN1427025A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN02145898.7
申请日：2002-06-20
Applicant: 花王株式会社
IPC: C08J5/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 含有研磨材料和水的研磨液组合物，是沉降度指数80以上，100以下的研磨液组合物，具有使用该研磨液组合物来研磨被研磨基板的工序的基板的制造方法，使用上述研磨液组合物来防止研磨片堵塞的方法，使用研磨片研磨含有镍的被研磨物时，使用上述的研磨液组合物研磨来防止研磨片堵塞的方法。使用研磨片研磨含有镍的被研磨物时，使用含有分子中具有2个以上亲水基，分子量300以上的亲水性高分子或在pH值8.0可溶解氢氧化镍的化合物和水的组合物研磨来防止研磨片堵塞的方法。
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公开(公告)号：CN1202880A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN96198441.4
申请日：1996-09-20
Applicant: 花王株式会社
CPC classification number: C09K5/045 , C07C69/28 , C07C69/30 , C07C69/33 , C10M105/38 , C10M171/008 , C10M2207/281 , C10M2207/282 , C10M2207/283 , C10M2207/286 , C10M2211/022 , C10M2211/06 , C10N2240/00 , C10N2240/22 , C10N2240/30 , C10N2240/50 , C10N2240/52 , C10N2240/54 , C10N2240/56 , C10N2240/58 , C10N2240/60 , C10N2240/66
Abstract: 本发明提供一种在金属存在下具有热稳定性的酯化合物,其特征在于所述酯化合物是由具有5—15个碳原子的二元或一元受阻醇和具有3—20个碳原子的饱和脂族一元羧酸或其衍生物形成的;支链羧酸或其衍生物与对整个羧酸或其衍生物的比率不低于50%(摩尔);酯化合物的羟值不超过30mgKOH/g;密封管试验后的酸值不超过10mgKOH/g;和包含不低于20%(重量)该酯化合物的润滑油组合物。本发明提供在金属存在下具有优异的热稳定性的酯化合物和包含该酯化合物作为主要成分的用于制冷机械的润滑油组合物和工作流体组合物。
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