公开(公告)号：CN118202084A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280074079.5

申请日：2022-11-18

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李承铉 ,  延昌峰 ,  郑在善

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法、由该方法制造的半导体基板及半导体器件，具有能够提供无需实施图案化工艺也能够通过原子层沉积法制造出形成有图案的薄膜，并且能够显著地减少杂质的高介电常数薄膜用掩蔽剂、利用其的选择区域沉积方法以及由该方法制造的半导体基板及半导体器件的效果。

公开(公告)号：CN117295846A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280032422.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金种文 ,  郑在善 ,  陈齐俊 ,  延昌峰

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制造的半导体器件，根据本发明，具有降低生长率，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够提供共形的薄膜，并且提供减少薄膜中的杂质并大幅提高薄膜的密度以大幅减少在现有的高温工序中因下部电极的氧化而产生的泄漏电流的成膜材料、成膜组合物、使用它们的成膜方法以及由此制备的半导体器件的效果。

公开(公告)号：CN114599658A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074133.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  金进喜 ,  郑在善 ,  李锡宗

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板，更加详细涉及由化学式1表示的铟前体化合物，利用该铟前体化合物的薄膜的制备方法及由此制备的基板。根据本发明，能够形成均匀的薄膜，并由于改善沉积速度而提高生产率，同时热稳定性和保存稳定性优秀，且易于处理。

公开(公告)号：CN112813416A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011015851.5

申请日：2020-09-24

Applicant: 秀博瑞殷株式公社

Inventor： 延昌峰 ,  郑在善 ,  边惠兰 ,  宋泰浩 ,  金素贞 ,  李锡宗

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  B29D7/01 ,  C23C16/30

Abstract: 涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXoA为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烃基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。