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公开(公告)号：CN115722217B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211444835.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: B01J23/30
Abstract: 本发明涉及一种氧化钨纳米棒光催化剂及其制备方法，包括以下步骤：选用极性不同的第一极性溶剂和第二极性溶剂按照一定的比例混合均匀获得混合极性溶剂，在超声的条件下，将表面活性剂分散至混合极性溶剂中，随后加入一定量的无水有机酸调节混合极性溶剂的PH值，获得混合极性溶液；将乙酰丙酮钨加入混合极性溶液中，在低温条件下，超声一定时间进行反应，获得包含有光催化剂的混合溶液；将混合溶液提纯获得产物；将产物在真空冷冻条件下干燥获得所述氧化钨纳米棒光催化剂。该制备方法温和、简单易操作，获得的氧化钨纳米棒光催化剂结构稳定性好，在可见光下表现出了光响应性和优异的光催化固氮活性。
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公开(公告)号：CN117414870A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311366449.5
申请日：2023-10-20
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于铜酞菁的Z型光催化剂、制备方法及其在光催化二氧化碳还原中的应用，该光催化剂是以高锰酸钾、硝酸锰、铜酞菁和磷酸为原料，以乙醇和去离子水为极性溶剂，采用水热法制备。制备的铜酞菁(CuPc)/α‑MnO2的Z型光催化剂的微观结构呈现出分层自组装的花形形态，相对较高的表面积提供了更多的活性吸附位点，有利于反应物的传质。本发明方法证明了CuPc/PO‑α‑MnO2形成的Z型异质结能够实现空穴捕获以及电荷载流子的空间分离和转移，解决CuPc/PO‑α‑MnO2在没有贵金属助催化剂和牺牲剂的情况下，表现出前所未有的将CO2光还原为CO和CH4的活性。
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公开(公告)号：CN116764684A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310613037.0
申请日：2023-05-25
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Inventor： 萨贾德阿里 , 伊斯梅尔皮尔穆罕默德 , 袁淑华 , 夏鹏飞 , 乔梁
IPC: B01J31/22 , B01D53/86 , B01D53/62 , B01J35/08 , B01J35/02 , B01J31/34 , C07C29/156 , C07C31/04 , C07C51/00 , C07C53/02
Abstract: 本发明公开了一种新型复合异质结光催化剂、制备方法及其在还原二氧化碳中的应用，所述光催化剂是以WCl6为钨源，硫代乙酰胺(TAA)为硫源，酞菁钴为CoPc源，磷酸为(H3PO4)磷酸源和去离子水(H2O)为溶剂，采用水热法制备而得。本发明所制备的(CoPc‑P/WS2)光催化剂具有直径约500nm的球形结构，表面含有丰富的官能团，其在可见光下表现出优异的光催化CO2还原活性。
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公开(公告)号：CN114086126B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111320963.6
申请日：2021-11-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种单晶太阳能电池薄膜材料及其制备方法，涉及新能源材料以及光电应用领域，方法包括如下步骤：S1、以BaS粉末和ZrS2粉末为反应材料进行高温煅烧并压片得到BaZrS3靶材；S2、将步骤S1中合成得到的BaZrS3靶材和清洗好的YSZ衬底放入脉冲激光沉积系统；S3、对YSZ衬底进行真空室温沉积镀膜得到BaZrS3非晶薄膜；S4、对步骤S3获得的产物进行真空高温热处理，得到BaZrS3单晶太阳能电池薄膜材料。本发明探索的制备条件工艺，首次制备了BaZrS3单晶薄膜，为探索该材料光学性质提供了优良的薄膜样品，该材料具有优良的光学吸收，在太阳能电池领域具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115963155A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211514430.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于原位电化学光谱测试技术领域，公开了一种PbS量子点敏化TiO2薄膜电极、制备方法及测试系统，PbS量子点敏化TiO2薄膜电极为局域表面等离激元增强的PbS量子点敏化TiO2半导体薄膜电极，PbS量子点敏化TiO2薄膜电极包括在导电玻璃上依序层叠排列的宽禁带半导体层、金属纳米颗粒、宽禁带半导体层以及单层量子点。本发明的测试方法利用局域表面等离激元的增强电磁场，提高其周围量子点对光的吸收效率、增加量子点产生的电子空穴对的数量，实现了光致发光强度和光电流密度的增强。本发明的测试方法通过控制薄膜电极的电化学电势，可以同步控制量子点光生电子空穴对的复合与分离，进而调控光致发光强度和光电流密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115896820A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211509475.4
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B1/55 , C25B1/04 , C25B9/00 , C25B9/60 , C25B11/055 , C25B11/091
Abstract: 本发明涉及一种用于光解水产氢的三电极式光电化学电池，其包括光阳极、第一光阴极和第二光阴极，光阳极选用BiVO4光阳极，第一光阴极选用Cu2O光阴极，第二光阴极选用Sb2Se3光阴极，太阳光传输至所述光阳极，第一波长范围的太阳光被光阳极吸收，第二波长范围的太阳光被第一光阴极吸收，第三波长范围的太阳光被第二光阴极吸收；本发明通过设置吸收不同波段的光阳极、第一光阴极和第二光阴极的三电极结构的光电化学电池，使得该光电化学电池在无偏压条件下实现分解水制氢，实现了对各个波段太阳光的有效吸收，相较于主流的两电极光电化学电池，该光电化学电池整体的光转氢效率得到了有效的提升。
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公开(公告)号：CN115747861A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211444720.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B11/087 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/60
Abstract: 本发明涉及一种用于太阳光全解水制氢的铜铋硫基光电化学电池，包括Cu3BiS3光阴极和Cu3BiS3光阳极，Cu3BiS3光阴极包括第一背电极层以及层叠于第一背电极层上的Cu3BiS3吸收层、CdS/TiO2双缓冲层和析氢助催化剂层；Cu3BiS3光阳极包括第二背电极层以及层叠于第二背电极层上的TiO2/CdS双缓冲层、Cu3BiS3吸收层和析氧助催化剂层；第一背电极层与第二背电极层通过导线连接。本发明的光电化学电池中光阴极和光阳极部分均选用p型半导体Cu3BiS3作为吸光材料，相较于传统的p‑n串联光电化学电池，其具有高吸光利用率的优势，提升了电池的光转氢效率。
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公开(公告)号：CN115722217A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211444835.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: B01J23/30
Abstract: 本发明涉及一种新型氧化钨纳米棒光催化剂及其制备方法，包括以下步骤：选用极性不同的第一极性溶剂和第二极性溶剂按照一定的比例混合均匀获得混合极性溶剂，在超声的条件下，将表面活性剂分散至混合极性溶剂中，随后加入一定量的无水有机酸调节混合极性溶剂的PH值，获得混合极性溶液；将乙酰丙酮钨加入混合极性溶液中，在低温条件下，超声一定时间进行反应，获得包含有光催化剂的混合溶液；将混合溶液提纯获得产物；将产物在真空冷冻条件下干燥获得所述新型氧化钨纳米棒光催化剂。该制备方法温和、简单易操作，获得的氧化钨纳米棒光催化剂结构稳定性好，在可见光下表现出了光响应性和优异的光催化固氮活性。
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公开(公告)号：CN115652330A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211444598.4
申请日：2022-11-18
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B3/07 , C25B3/21 , C25B9/19 , C25B9/65 , C25B9/67 , C25B11/04 , F24S70/10
Abstract: 本发明涉及一种光电‑光热协同产氢及葡萄糖转化电极系统，包括，容纳有酸性电解液的阴极腔室，其侧壁上设置有光阴极，其将水分解为氢气以及可供阳极腔室利用的氢氧根离子；容纳有碱性葡萄糖电解液的阳极腔室，其侧壁上设置有阳极，其将葡萄糖转化为葡萄糖酸；离子交换膜，设置于阴极腔室与阳极腔室之间；热电器件的热端与阴极腔室邻接设置；光阴极由金属衬底、GeSe薄膜、n型半导体层和催化剂层构成，阳极由基底和Cu2O薄膜组成；本发明光阴极和阳极的结合实现了光电‑光热‑热电‑电催化四种技术的结合，充分利用材料特性，结合多学科优势，实现了完全依赖光驱动制取两种经济作物的创新，具有巨大的经济效益优势。
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公开(公告)号：CN114197035A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111493121.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于功能薄膜材料制备技术领域，公开了一种钙钛矿薄膜及其外延制备方法，通过脉冲激光沉积的方法生长具有溶解性的单晶外延牺牲层薄膜，并且通过调控牺牲层的晶格参数匹配得以实现一定晶格参数范围内的钙钛矿结构单晶薄膜生长，调控牺牲层的晶格常数实现不同钙钛矿薄膜的转移。本发明通过向Sr3Al2O6掺杂Ca，调控Sr3Al2O6牺牲层的晶格常数实现不同种类钙钛矿薄膜的外延生长方法，所制备的单晶薄膜致密性好，稳定性高、生长速度快、具有良好的重复性以及与靶材拥有一致的化学计量比，Sr3Al2O6在溶解过程中不会对生长在上面的薄膜产生不良影响，通过调控其晶格常数使其可以作为其他材料的牺牲层。
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