高抑制高通滤波器
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111865252A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010734477.8

    申请日:2020-07-27

    Inventor: 钱可伟 田忠

    Abstract: 本发明公开了一种高抑制高通滤波器,涉及微波通信技术领域,其包括设置有多层电路的滤波器主体,所述多层电路为无过孔的电路结构;所述多层电路包括输入等效电感、输出等效电感、第一等效电容、第二等效电容、第三等效电容、第四等效电容和第五等效电容、第一带状线支节谐振单元、第二带状线支节谐振单元、第三带状线支节谐振单元、第四带状线支节谐振单元和第五带状线支节谐振单元。本发明利用带状线支节谐振单元代替传统高通滤波器中的接地电感,可最大限度降低微带传输线在等效为集总元件时引入的寄生参数;多层电路采用无过孔叠层设计,不仅简化了工艺,有利于量产的稳定性和一致性,还能进一步降低过孔引入的寄生电感对电路Q值的影响。

    双频带滤波器
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103579722B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201310429126.6

    申请日:2013-09-18

    Abstract: 本发明公开的一种应用于通信领域的双频带滤波器包括设有接地通孔的介质基片、位于介质基片上表面的主线路和位于介质基片下表面的金属地板,其中,主线路由两个呈轴对称分布的双频带谐振器级连而成,两个双频带谐振器通过接地通孔相连,每个双频带谐振器上分别连接输入/输出传输线,每个双频带谐振器均包括低阻抗传输线和分别连接在低阻抗传输线上的L型短路高阻抗传输线和开路传输线。该双频带滤波器克服了传统双频带滤波器结构复杂、体积笨重等问题,同时具有中心频率、带宽易于控制、频率选择性高、带间隔离性好、结构紧凑、体积小巧的特点。

    基片集成波导腔体缝隙天线

    公开(公告)号:CN103474780B

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201310418575.0

    申请日:2013-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种能够获得高阶的TE410模式场分布的基片集成波导腔体缝隙天线。该天线包括介质基板、上表面金属层、下表面金属层,在上表面金属层上刻蚀有T形共地共面波导输入端,在下表面金属层上刻蚀有三条互相平行的矩形辐射缝隙,分别为第一矩形辐射缝隙、第二矩形辐射缝隙、第三矩形辐射缝隙,所述T形共地共面波导输入端跨过第一矩形辐射缝隙、第二矩形辐射缝隙并且T形共地共面波导输入端的末端与第三矩形辐射缝隙之间的距离为1/4到3/4个TE410模式谐振波长,能够激励起中心工作频率附近基片集成波导矩形腔体内的TE410模式场分布,从而实现对三条互相平行的矩形辐射缝隙的同相馈电,并提高了天线工作带宽内的增益。适合在天线技术领域推广应用。

    多频带平面印刷天线
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103531908B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201310526112.6

    申请日:2013-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种能够覆盖WiMAX和WLAN工作频段而且频带之间的隔离特性较好的多频带平面印刷天线。该多频带平面印刷天线,包括介质基板,所述介质基板的下表面印制有金属地板,所述介质基板的上表面印制有辐射贴片以及微带馈线,所述辐射贴片包括第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元,该多频带平面印刷天线的辐射贴片由三个形状不同的辐射单元组成,三个辐射单元可以产生覆盖2.4~5.825GHz的频率,能够覆盖WiMAX和WLAN工作频段,而且采用三个不同的谐振单元结构,使得天线在每个频带之间的隔离度非常好,几乎不会产生相互干扰,频带之间的隔离特性较好,另外,这种结构的多频带平面印刷天线整体面积非常小。适合在天线技术领域推广应用。

    半模基片集成波导横向对称滤波器

    公开(公告)号:CN103647123B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201310698058.3

    申请日:2013-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种体积更小的半模基片集成波导横向对称滤波器。该滤波器通过在源和负载之间引入源与负载耦合,所述源与负载耦合是通过输入端与输出端之间设置的第五感性耦合窗引入的,只需使用两个半膜谐振腔就可以在带外实现两个传输零点,与传统基片集成波导滤波器实现两个传输零点需要四个谐振腔相比,在保持原有的选择性的同时体积减小了一半,而且两个传输零点可以根据实际需求灵活调整和控制,适合实际系统的需求,另外,该滤波器的第一谐振腔工作于TE102模式,第二谐振腔工作于TE101模式,且两个谐振腔面积均只有传统方形谐振腔的一半,有效减小了滤波器的平面尺寸,便于系统集成化。适合在微波毫米波技术领域推广应用。

    三频段单极子天线
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103762417A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310751140.8

    申请日:2013-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种三频段单极子天线,包括基板和位于基板同一表面的第一地板、第二地板、天线馈线和辐射贴片,天线馈线位于基板的中下部,一端与基板的下边缘齐平,另一端连接辐射贴片,第一地板和第二地板关于天线馈线对称分布且第一地板和第二地板的下边缘均与基板的下边缘齐平,第一地板和第二地板与天线馈线之间设有耦合间隙;辐射贴片包括粗枝节和细枝节,粗枝节呈半圆弧结构,细枝节呈开口的圆环结构,且圆环的开口处弯曲折叠若干次成与圆环为同心圆的圆弧结构,粗枝节嵌入细枝节的圆环结构内且两端与细枝节圆环的开口末端相连接。该三频段单极子天线具有结构新颖紧凑、体积小、空间利用率高等特点,可用于GSM,WLAN,WiMAX等通信频段。

    一种有源RFID标签信息交互方法

    公开(公告)号:CN103761548A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310751137.6

    申请日:2013-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种有源RFID标签信息交互方法,该方法主要包括:固定有源RFID标签初始化后周期性发送广播帧,并等待回复;移动有源RFID标签在接收到广播帧时,分析广播帧的内容判断是否具有通信需求,若是进行回复;若固定有源RFID标签接收到回复广播的帧,则进入点对点P2P通信模式;移动有源RFID标签接收P2P数据帧,并回复P2P数据帧,直到与该固定有源RFID标签通信完成。该方法通过广播帧建立通信关系,和P2P数据帧建立数据传输关系,不仅能够有效得满足通信协议的要求,还能广泛得应用于其他通信协议当中。

    一种应用于车联网中的有源RFID通信方法

    公开(公告)号:CN103761547A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310750857.0

    申请日:2013-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种应用于车联网中的有源RFID通信方法,该方法具体包括:读写器初始化后发送广播帧,并等待回复;车载移动有源RFID标签初始化后进入侦听状态,在接收到广播帧时,判断相互是否具有通信需求,若是则进行回复;若读写器接收到回复的广播帧,则与该标签进入点对点P2P通信模式,并向该标签发送P2P数据帧;车载移动有源RFID标签接收读写器发送的P2P数据帧,并回复对应的P2P数据帧,直到与该读写器的通信完成。该方法通过广播帧建立通信关系,和P2P数据帧建立数据传输关系,在车载移动有源RFID标签的位置发生变更时,仍能保持与读写器之间的有效通信,应用的范围广、实用性强。

    一种组播保护方法
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102231698B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201110163765.3

    申请日:2011-06-17

    Abstract: 本发明属于网络通信技术领域,公开了一种组播保护方法。本发明的方法将每条链接看作单播的方式,对于组播的保护转化为对于单播的保护,占用的路由资源较少,只需要较少的节点数目,具有较高的效率,且完全达到保护网络的目的;此外,备份路径建立只是针对相应的故障部位,因此建立的时间更快,路径切换时间小,组播通信中一个或两个路由器遭到物理攻击导致失效时,通过备份路径实现快速切换,便于组播树的保护。

    一种纳米晶BST薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101708990B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200910216407.7

    申请日:2009-11-27

    Abstract: 一种纳米晶钛酸锶钡薄膜的制备方法,属于功能材料技术领域,涉及纳米晶BST薄膜的制备方法。本发明对常规溶胶-凝胶方法制备BST薄膜过程的“冷却”和“晶化”步骤之间添加“预晶化”处理步骤。本发明可在大气环境下类外延生长纳米晶BST薄膜,所得薄膜光滑致密、无裂纹、无缩孔。本发明可大幅度提高纳米晶BST薄膜的综合介电调谐性能,所得纳米晶BST薄膜电容58~1840pF、介电调谐率大于20.0%、介电损耗小于3.0%、K因子大于15.0、介电强度高,频率特性和温度特性稳定。采用本发明所制备的纳米晶BST薄膜可以替代铁氧体和半导体用于制备微波调谐器件(如移相器),从而显著降低微波调谐器件的制造成本;另外,本发明所制备的纳米晶BST薄膜还可用于磁记录、热释电焦平面阵列等。

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