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公开(公告)号：CN118577575A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410638144.3
申请日：2024-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: B08B7/00 , B08B13/00 , G01N23/2273 , G01N27/00
Abstract: 本发明提供了一种大气压等离子体清洗不锈钢电极的装置及工艺，装置包括等离子体发生器和清洗平台；等离子体喷头的直径范围50‑150mm，高压高频交流电源通过等离子体喷头内部的放电电极向放电间隙施加高频交流电压，间隙击穿产生等离子体，并在气流的作用下喷射，形成直径50‑150mm的大体积等离子体射流，可以直接对不锈钢电极进行清洗；清洗平台为带有导轨的移动底座，移动底座用于承载等离子体发生器或待清洗的不锈钢电极，并控制等离子体发生器或不锈钢电极沿导轨的运动速度、运动方向和停留时间，本发明还利用电极样品和检测样片，分析不同外施参数下不锈钢电极表面污染物的去除率，形成明确清晰的清洗工艺。
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公开(公告)号：CN117410665A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311633359.8
申请日：2023-12-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明属于射频与微波的功率分配/合成技术领域，提供一种新型波导电桥，适用于耦合度为3dB的分支电桥。本发明包括两路矩形波导传输线与连接两路矩形波导传输线的耦合结构，两路矩形波导传输线采用相同结构并平行设置，耦合结构由若干个金属方柱形成，若干个金属方柱上下交错形成交指状结构，相邻金属柱之间形成交指缝隙，交指缝隙形成空气间隙耦合，同时传输波导中的匹配圆弧状渐变匹配段，能够提高带宽和耦合强度；并且，通过匹配优化交指缝隙的尺寸及相对位置，能够调节耦合度、方向性、相位到理想状态。相较于传统电桥，本发明能够提高工作带宽，且性能稳定、损耗低；同时，易于缩小尺寸、便于加工。
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公开(公告)号：CN112135407B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202010926696.6
申请日：2020-09-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像识别及信号分析技术领域，公开了一种等离子体射流三维温度分布测量方法、系统及应用，通过所布置的温度传感器获得真空腔体的温度值；通过所布置的温度传感器获得等离子体射流的气压值；对获得真空腔体背景温度进行数值滤波；根据一定的概率比例，计算得到背景空间的温度值；通过所布置的光学仪器可以得到等离子体射流的光学折射率，通过刀口进行空间滤波，同时，在电脑端采用中值滤波，将电源的辐射进行滤波；通过不同的测量位置，对不同光学折射率位置匹配对应的气压；根据不同的系数以及三个光学系统得到最终的折射率。本发明针对MW级的高温等离子体射流，同时该系统能够实时诊断MW级等离子体射流的三维温度分布。
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公开(公告)号：CN112040625A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010708160.7
申请日：2020-07-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明属于等离子体监测和分析技术领域，公开了一种高精度高时空分辨率三维测定方法、系统、介质及应用，采用高精度高时空分辨率的静电探针和远红外激光干涉仪作为基准，通过创新设计，建立等离子体电子密度与光强对应关系模型和电子密度时空分布与光强时空分布对应关系模型，实现高分辨高速光学成像系统的高精度高时空分辨率的等离子体非接触式诊断。本发明利用各种不同的滤光片可以实现对电子密度和电子温度测量的解耦。在低气压到高气压条件下，不同电离率条件下，需考虑光强和气压条件和电离率条件的关系，完善不同条件下的标定系数和解耦特征，以提高测量精度。本发明实现了高速目标等离子体高时间分辨率、高空间分辨率和高精度诊断。
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公开(公告)号：CN111564353A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010280950.X
申请日：2020-04-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01J37/302 , H01J37/04 , H01J37/06
Abstract: 本发明属于脉冲功率、太赫兹电子束源技术领域，公开了一种高能电子束源控制系统、方法、装置、零件制作方法，采用伪火花放电脉冲用于驱动伪火花间隙放电，产生高能电子束；获得高能电子束之后，电子束后加速脉冲用于后加速间隙加速电子束，提高电子束能量。包括伪火花放电脉冲、伪火花放电间隙、电子束后加速脉冲三部分，伪火花间隙由空心阴极、中间电极、阳极、后加速间隙和绝缘外壳构成，且各个电极中心有小孔，孔径1-3mm与间隙距离、电极板厚度相等；伪火花间隙伪火花间隙构成一个密封腔体，腔体内气压100Pa一下。本发明可以利用在伪火花放电间隙较小尺寸的情况下获得较高的电子束能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111241667A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010011304.3
申请日：2020-01-06
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像识别及信号分析技术领域，公开了一种基于图像处理和探针数据处理识别等离子体位形方法，同步采集得到连续时刻下的等离子体放电视频信号及探针密度曲线；从等离子体图像信息中通过算法提取等离子体边界信息并从快速探针中提取有等离子体密度的时间段，通过时间与加速度的运算得出射流的半径；获取图像和快速探针识别等离子体射流的直径信息；确定图-像和快速探针权重因子，以图像为主，根据权重因子计算出第二条激光L2经过的光程；根据第二条激光的光程计算第一条激光的光程。本发明提高了等离子体边界的精确度，为HCN诊断射流电子密度提供了一个可靠的光程，提高了电子密度的准确性。
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公开(公告)号：CN102346851A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110346346.3
申请日：2011-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于NJW谱聚类标记的图像分割方法，主要解决谱聚类方法稳定性差的问题。其实现过程是：(1)对待分割图像提取灰度共生特征，并进行归一化处理以去除数据间量级影响；(2)用k-means算法将特征数据聚为m类，并以与聚类中心最近邻的特征数据作为采样点，得采样子集S；(3)利用NJW谱聚类算法，对采样子集S进行聚类，得到采样子集S的标签；(4)对采样子集S进行学习，训练一个支撑矢量机SVM分类器；(5)用所得的SVM分类器对所有特征数据进行测试，得到最终的图像分割结果。本发明与现有的技术相比图像分割结果稳定、准确度高，可用于目标检测和目标识别。
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公开(公告)号：CN101699515B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200910218657.4
申请日：2009-10-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多精英免疫量子聚类的医学影像分割系统及分割方法，它涉及图像处理技术领域。整个系统包括：预处理模块、数据准备模块、数据聚类模块和分割结果输出模块，通过这些模块进行医学影像分割的过程包括：1)对待分割的医学影像进行预处理；2)进行抗体编码和抗体种群初始化；3)计算抗体亲合度，并划分抗体种群为精英子种群和普通子种群；4)对精英子种群和普通子种群分别设计不同的多精英免疫优化操作算子，依次进行克隆操作、云变异操作、全干扰重组操作、选择操作和超立方体交叉操作；5)输出医学影像分割结果。本发明能够有效地对包含大规模数据量的医学影像进行分割，分割结果准确且精细，可用于医学影像辅助诊断和研究发病机理。
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公开(公告)号：CN101673398B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910024374.6
申请日：2009-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于免疫稀疏谱聚类的图像分割方法，主要解决谱聚类方法稳定性差和复杂度高的问题。其实现过程是：(1)对待分割图像提取特征；(2)对特征数据进行归一化以去除数据间量级影响；(3)对归一化后的特征数据，进行实属编码；(4)对编码后的数据，随机生成初始种群并进行亲和度计算；(5)根据抗体的亲和度大小进行克隆；(6)对克隆后的抗体种群进行高斯变异并选出亲和度最高的抗体作为下一轮的输入；(7)迭代设定的最大迭代次数，得到最终选出的样本子集；(8)对选出的样本子集进行贪婪谱降维，并对降维后的数据聚类，输出最终的图象分割结果。本发明与现有的技术相比具有不需要先验知识，准确度高，计算复杂度低的优点，可用于目标检测和目标识别。
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公开(公告)号：CN101716838A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910216406.2
申请日：2009-11-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: B32B9/04 , B82B3/00 , C04B35/465 , C04B35/22 , C04B41/52
Abstract: 一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域，涉及纳米晶BST薄膜的制备方法。本发明采用Mn、Y二元掺杂，即对即对奇数层薄膜进行Mn或Y掺杂，对偶数层薄膜进行Y或Mn掺杂；同时在“冷却”和“晶化”步骤之间增加“预晶化”处理步骤。本发明所制备的薄膜光滑致密、无裂纹、无缩孔，可大幅度提高纳米晶BST薄膜的综合介电调谐性能，所得纳米晶BST薄膜介电调谐率大于30.0％、介电损耗小于2.0％、K因子大于15.0、介电强度高，频率特性和温度特性稳定。采用本发明所制备的纳米晶BST薄膜可以替代铁氧体和半导体用于制备微波调谐器件(如移相器)，从而显著降低微波调谐器件的制造成本；另外，本发明所制备的纳米晶BST薄膜还可用于磁记录、热释电焦平面阵列等。
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