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公开(公告)号：CN114408912B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111645894.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/198 , C01B32/19 , C01B32/194 , H01P11/00 , G02B5/00
Abstract: 一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，属于太赫兹波技术领域。本发明采用激光直写技术在氧化石墨烯上形成类菲涅尔环的还原氧化石墨烯，得到的太赫兹波带片为氧化石墨烯和还原氧化石墨烯交替形成的结构，还原氧化石墨烯与氧化石墨烯的厚度相近。本发明太赫兹波带片在应用时，入射的太赫兹波束穿过波带片，还原氧化石墨烯图案部分会屏蔽入射波束，氧化石墨烯图案部分会发生衍射，从而改变波束的传播方向，进而实现太赫兹波的聚焦和偏转功能；得到的太赫兹波带片厚度仅为14‑20μm，利于太赫兹通信与成像系统的集成；其反射率低至10％，具有较小的回波损耗，可有效提升应用的太赫兹系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN115947600A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211240981.8
申请日：2022-10-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种Li‑Mg‑Mo基单相超低温陶瓷材料及其制备方法，分子式为Li2Mg2‑xNa2xMo3O12，具有超低的烧结温度和高Q×f值，可同时作为微波和太赫兹极化选择器的基板材料。本发明采用固相反应法实现了Na+对Li2Mg2Mo3O12中Mg2+的纯相取代，获得了出色的微波介电性能(εr＝7.9,Q×f＝43844GHz,τf＝‑48.3ppm/℃)和太赫兹传输性能(εr1＝7.4,tanσ1＝0.0158,Tcoefficient＝0.598)。利用化学相容性良好的Ag浆和Li2Mg1.94Na0.12Mo3O12陶瓷材料分别在9.7GHz和0.45THz下设计了圆极化和线极化的极化选择器件，其微波和太赫兹器件的归一化极化选择差异分别为0.876和0.523。本发明很好的解决了介电陶瓷和ULTCC技术在微波和太赫兹应用中存在的问题。
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公开(公告)号：CN114408912A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111645894.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/198 , C01B32/19 , C01B32/194 , H01P11/00 , G02B5/00
Abstract: 一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法，属于太赫兹波技术领域。本发明采用激光直写技术在氧化石墨烯上形成类菲涅尔环的还原氧化石墨烯，得到的太赫兹波带片为氧化石墨烯和还原氧化石墨烯交替形成的结构，还原氧化石墨烯与氧化石墨烯的厚度相近。本发明太赫兹波带片在应用时，入射的太赫兹波束穿过波带片，还原氧化石墨烯图案部分会屏蔽入射波束，氧化石墨烯图案部分会发生衍射，从而改变波束的传播方向，进而实现太赫兹波的聚焦和偏转功能；得到的太赫兹波带片厚度仅为14‑20μm，利于太赫兹通信与成像系统的集成；其反射率低至10％，具有较小的回波损耗，可有效提升应用的太赫兹系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN110031923B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910318273.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层石墨烯泡沫层旋转20‑50°后得到下层石墨烯泡沫层；本发明的有益效果为：①可实现超宽带高吸收率，在0.2‑3.0THz超大频率范围内吸收率都在80％以上，且最大吸收率可达90％；②在可拉伸粘合剂层的作用下实现可拉伸性，在20％的一维拉伸量下对太赫兹波的吸收率基本不变，且拉伸具有可恢复性；③制作工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109814283B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227243B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810054913.X
申请日：2018-01-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明提供一种硅基全介质型电控太赫兹波调控器件及其制备方法，包括双层圆柱形硅微米结构，高阻硅衬底、掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层以及二氧化钒薄膜，双层圆柱形硅微米结构位于高阻硅衬底的上侧，掺杂硅叉指电极、二氧化硅纳米氧化层、二氧化钒薄膜从上到下依次位于高阻硅衬底的下侧；本发明中选取半导体高阻硅材料作为主要介质材料，获取容易、成本低且半导体加工工艺成熟；这一器件具有很高的太赫兹波透射率以及极低的器件插损，同时具有大的工作带宽；通过在二氧化钒薄膜和掺杂硅叉指电极间引入氧化物绝缘层可有效抑制电流所产生的焦耳热，进而提高器件开关速度，可广泛应用于太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN110031923A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910318273.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层石墨烯泡沫层旋转20-50°后得到下层石墨烯泡沫层；本发明的有益效果为：①可实现超宽带高吸收率，在0.2-3.0THz超大频率范围内吸收率都在80％以上，且最大吸收率可达90％；②在可拉伸粘合剂层的作用下实现可拉伸性，在20％的一维拉伸量下对太赫兹波的吸收率基本不变，且拉伸具有可恢复性；③制作工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN106646930B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201611244496.2
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，用以克服现有石墨烯晶体管太赫兹调制器的调制深度低及只能实现开关两个状态的缺陷；本发明太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。本发明两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％以上；同时，通过级联控制能够实现对太赫兹波幅度的4级调制。
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公开(公告)号：CN108254944A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810054212.6
申请日：2018-01-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种硅基微纳米混合结构光控太赫兹波调制器及其制备方法，包括硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构、半导体激光器、光纤调制器、太赫兹波源、太赫兹探测器，硅基底、微米金字塔结构、纳米孔洞结构构成硅基微纳米混合结构；太赫兹波源的太赫兹波束入射到微米金字塔结构上，太赫兹探测器用于接收太赫兹波源经过硅基微纳米混合结构的太赫兹信号；本发明的调制器可以工作在低至10mW/mm2的极低激光功率下，在300mW/mm2的激光功率下，器件最高调制深度可以达到95％；工作频段覆盖0.1‑1.5THz的超宽带太赫兹频段，具有很大调制速率(3MHz)的同时保持很大的调制深度和较小的插损。
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公开(公告)号：CN104820298B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510182105.8
申请日：2015-04-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明提供一种基于BiLuIG薄膜的TM‑TE磁光调制器，用于实现超宽带的TM‑TE的磁光调制以及调制器的小型平面化。本发明TM‑TE磁光调制器，由直流偏置磁场、射频调制磁场及磁光单元组成，其特征在于，所述磁光单元包括光方向上依次设置的光纤、偏振器、磁光薄膜结构和检偏器，所述磁光薄膜结构包括衬底基片、衬底基片上依次设置的BiLuIG磁光薄膜、RF微带线以及微带线上覆盖的绝缘层，其中所述RF微带线为螺旋正反绕组式微带线。本发明射频调制磁场由射频信号加载至螺旋正反绕组式RF微带线产生，螺旋正反绕组式微带线的设计能够有效减少光学损伤并且能够减小磁光薄膜内部对光产生的双折射作用，更大限度地实现光的模式转换。
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