一种高效率反射式太赫兹波束偏折器

    公开(公告)号:CN114512816B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202210192208.2

    申请日:2022-03-01

    IPC分类号: H01Q15/00 H01Q15/24

    摘要: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器,包括M×N阵列排列的超排列单元,所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成,所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层,所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心;所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器,可实现对线极化馈源的反射传输,在线极化电磁波的激励下,实现了工作频点附近良好的波束偏转效果,且该超表面的反射效率达到90%以上。

    一种高效率反射式太赫兹波束偏折器

    公开(公告)号:CN114512816A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210192208.2

    申请日:2022-03-01

    IPC分类号: H01Q15/00 H01Q15/24

    摘要: 一种高效率反射式太赫兹波束偏折器,包括M×N阵列排列的超排列单元,所述超排列单元由K个1×K排列的超表面单元组成,所述超表面单元包括介质基板、位于介质基板上表面的矩形贴片和位于介质基板下表面的金属层,所述矩形贴片与介质基板具有相同的中心;所述超排列单元中的K个超表面单元的矩形贴片的长度各不相同。本发明提供的一种高效率反射式太赫兹波束偏折器,可实现对线极化馈源的反射传输,在线极化电磁波的激励下,实现了工作频点附近良好的波束偏转效果,且该超表面的反射效率达到90%以上。

    一种Ka频段宽带可重构反射单元及阵列天线

    公开(公告)号:CN114256629B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202111367385.1

    申请日:2021-11-18

    摘要: 一种宽带可重构反射单元及阵列天线,属于毫米波阵列天线技术领域。所述宽带可重构反射单元包括介质基板,介质基板的正面为四个大小完全相同的正方形金属贴片,分别由4个PIN二极管连接,4个PIN二极管的加载位置均为正方形贴片边缘中心位置处;通过对PIN二极管的开关实现四个金属贴片的谐振点的变化,进而产生不同的反射相位响应。介质基板的背面为接地金属层,接地金属层的对角线上开设矩形环状的槽,将接地金属层分为接地金属和接直流电源的金属。本发明宽带可重构反射阵列天线,具有良好的宽带性能,相对带宽为25%;在31GHz‑40GHz范围内,可在二维空间内实现±50°的波束扫描。

    一种Ka频段宽带可重构反射单元及阵列天线

    公开(公告)号:CN114256629A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202111367385.1

    申请日:2021-11-18

    摘要: 一种宽带可重构反射单元及阵列天线,属于毫米波阵列天线技术领域。所述宽带可重构反射单元包括介质基板,介质基板的正面为四个大小完全相同的正方形金属贴片,分别由4个PIN二极管连接,4个PIN二极管的加载位置均为正方形贴片边缘中心位置处;通过对PIN二极管的开关实现四个金属贴片的谐振点的变化,进而产生不同的反射相位响应。介质基板的背面为接地金属层,接地金属层的对角线上开设矩形环状的槽,将接地金属层分为接地金属和接直流电源的金属。本发明宽带可重构反射阵列天线,具有良好的宽带性能,相对带宽为25%;在31GHz‑40GHz范围内,可在二维空间内实现±50°的波束扫描。

    一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法

    公开(公告)号:CN114408912B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202111645894.6

    申请日:2021-12-30

    摘要: 一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法,属于太赫兹波技术领域。本发明采用激光直写技术在氧化石墨烯上形成类菲涅尔环的还原氧化石墨烯,得到的太赫兹波带片为氧化石墨烯和还原氧化石墨烯交替形成的结构,还原氧化石墨烯与氧化石墨烯的厚度相近。本发明太赫兹波带片在应用时,入射的太赫兹波束穿过波带片,还原氧化石墨烯图案部分会屏蔽入射波束,氧化石墨烯图案部分会发生衍射,从而改变波束的传播方向,进而实现太赫兹波的聚焦和偏转功能;得到的太赫兹波带片厚度仅为14‑20μm,利于太赫兹通信与成像系统的集成;其反射率低至10%,具有较小的回波损耗,可有效提升应用的太赫兹系统的稳定性。

    一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法

    公开(公告)号:CN114408912A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111645894.6

    申请日:2021-12-30

    摘要: 一种低反射的石墨烯偏转型太赫兹波带片的制备方法,属于太赫兹波技术领域。本发明采用激光直写技术在氧化石墨烯上形成类菲涅尔环的还原氧化石墨烯,得到的太赫兹波带片为氧化石墨烯和还原氧化石墨烯交替形成的结构,还原氧化石墨烯与氧化石墨烯的厚度相近。本发明太赫兹波带片在应用时,入射的太赫兹波束穿过波带片,还原氧化石墨烯图案部分会屏蔽入射波束,氧化石墨烯图案部分会发生衍射,从而改变波束的传播方向,进而实现太赫兹波的聚焦和偏转功能;得到的太赫兹波带片厚度仅为14‑20μm,利于太赫兹通信与成像系统的集成;其反射率低至10%,具有较小的回波损耗,可有效提升应用的太赫兹系统的稳定性。