一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111180581A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201911402091.0

    申请日:2019-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种基于有机薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法,属于传感器及其制备技术领域,所述湿度传感器从下至上依次包括衬底、栅电极、介电层、有机半导体层、源电极和漏电极,介电层为有机介电材料,有机半导体层为壳聚糖与有机半导体材料的混合材料,壳聚糖的含量为1wt%~15wt%。壳聚糖分子表面极性基团对水蒸气识别响应,再与其他有机半导体材料的混合后,对湿度进行精确识别与响应,从而提升了有机薄膜晶体管湿度传感响应同时,实现器件对湿度信号的高灵敏高响应探测,同时,造成本更低,再者,通过将壳聚糖与有机半导体材料进行合适混合,对有机半导体材料进行小分子调控,从而实现对湿度信号的高灵敏高响应探测与优良的器件性能。

    一种紫外吸收有机分子掺杂的三元太阳能电池及制备方法

    公开(公告)号:CN110752297A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910805174.8

    申请日:2019-08-28

    Abstract: 本发明涉及有机半导体薄膜太阳能电池技术术领域,具体公开了一种紫外吸收有机分子掺杂的三元太阳能电池及制备方法,一种紫外吸收有机分子掺杂的三元太阳能电池,从下至上依次为衬底,ITO透明导电阴极层,ZnO阴极缓冲层,光活性层,阳极缓冲层,金属阳极层。其中光活性层是指在传统的PTB7:PC71BM体系的基础上,掺入了微量的紫外吸收材料邻羟基苯甲酸苯酯,极大的拓宽了活性层的吸收光谱,增强了活性层光吸收能力;改善了活性层的形貌,降低了表面粗糙度,优化了活性层与传输层的接触;同时还提升了活性层的载流子迁移率,促进器件中的电荷传输,极大地提高了光生载流子的传输效率,提高了短路电流,最终提高了整个有机太阳能电池的性能。

    一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110501385A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910808714.8

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于空气介电层的有机薄膜晶体管二氧化氮传感器及其制备方法,所述二氧化氮传感器为顶栅顶接触式结构,包括从下到上依次设置的衬底、有机半导体层、支撑膜和栅电极,所述有机半导体层、支撑膜和栅电极围合形成介电层,所述介电层在支撑膜作用下由外界环境空气形成空气介电层,在所述空气介电层内且在有机半导体层上表面上分别设置有源电极和漏电极。与传统有机薄膜晶体管二氧化氮传感器相比,空气介电层的引入避免了二氧化氮在半导体薄膜中缓慢的扩散过程,使得待测气体直接与半导体层沟道相互作用,从而实现了更快的响应回复速度以及高的探测率。

    基于纳米洋葱碳:PC61BM复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN107565027B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201710762014.0

    申请日:2017-08-30

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及一种基于纳米洋葱碳:PC61BM复合电子传输层的钙钛矿太阳能电池,该太阳能电池采用正型结构,包括从下往上依次设置的衬底层、ITO透明导电阳极层、空穴传输层、钙钛矿光活性层、复合电子传输层及金属阴极层;复合电子传输层为PC61BM材料和纳米洋葱碳材料按比例混合构成的固态复合层结构;复合层结构中纳米洋葱碳材料和PC61BM材料的质量百分比分别为:纳米洋葱碳1%~10%;PC61BM 99%~90%。本发明有效地降低了器件的串联电阻,降低了电子在电子传输层/光活性层界面的复合几率,提高了器件的填充因子;同时提高了电子传输到阴极的数量,提升了载流子传输速率。

    一种基于有机场效应管的光敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109326724A

    公开(公告)日:2019-02-12

    申请号:CN201811091002.0

    申请日:2018-09-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光敏传感器及其制备方法,该制备方法,包括:对衬底进行清洗和干燥处理;采用金属纳米线,在清洗和干燥处理后的所述衬底的表面制备栅电极;将有机介电材料按比例进行超声配比,然后用配比后的溶液,在所述栅电极上面制备介电层;将有机半导体材料与叶绿素按比例进行超声混合,然后用混合后的溶液,在介电层上制备半导体层;采用金属纳米线,在所述半导体层上制备源电极和漏电极;采用虫胶,在所述源电极和漏电极上面制备封装层。本发明通过采用有机半导体材料与叶绿素的混合材料制备光敏传感器的半导体层,使得制备的光敏传感器相比传统的光敏传感器,具有高响应度和高稳定性的特点。

    一种可光控自动点亮的发光玻璃

    公开(公告)号:CN108235527A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810008110.0

    申请日:2018-01-04

    CPC classification number: H05B33/12 H05B33/145

    Abstract: 本发明公开了一种可光控自动点亮的发光玻璃,包括ITO玻璃衬底、透明导电材料、透明发光单元、透明金属电极、透明封装材料和控制电路;所述透明导电材料沉积在ITO玻璃衬底上,所述透明发光单元设于该透明导电材料上,在该透明导电材料上设有透明金属电极;所述封装材料将所述透明金属电极、透明发光单元和透明导电材料封装于所述ITO玻璃衬底上;所述控制电路透过透明封装材料与透明金属电极和透明导电材料相连。可光控自动点亮发光玻璃接入反向电压供电的电路中,在紫外光照射下在电路中产生电流信号,此时电路保持反向电压供电。透明封装材料的主要功能是避免透明导电材料、透明发光单元和透明金属电极在水氧环境下的侵蚀,以及避免外力造成的破坏。

    一种基于聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111490166B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202010332610.7

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法,所述钙钛矿光电探测器从下到上依次包括衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层,空穴传输层、以及金属阳极,所述空穴传输层为聚合物材料PDT‑TPA制备而成。所述钙钛矿空穴传输层为一种聚合物材料PDT‑TPA,其空穴迁移率高、溶解性好,且机械性能较好,具备较强的拉伸性。由所述空穴传输材料制备的柔性钙钛矿光电探测器在一定的弯折条件下依然具有较高的探测率。同时,该空穴传输材料具有良好的稳定性,能够有效地减少水氧对器件的侵蚀,从而提高柔性钙钛矿光电探测器件的稳定性和寿命,为未来柔性钙钛矿光电探测器在可穿戴电子领域奠定了一定基础。

    一种高介电性能自愈合聚氨酯复合材料及其制备的方法和制动应用

    公开(公告)号:CN113025032B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202110254426.X

    申请日:2021-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种高介电性能自愈合聚氨酯复合材料及其制备的方法和制动应用,一种高介电性能自愈合聚氨酯复合材料,所述高介电性能自愈合聚氨酯复合材料是由M/TiC复合填料与自愈合介电弹性体材料组成的混合材料,所述M/TiC复合填料重量含量为0.02‑0.1%,M/TiC复合填料为纳米颗粒材料,M为Au、Al、Ti、Zr、Fe、Co、Ni、Cu、Ag和Zn中的任意一种。本发明通过M/TiC复合填料的填入一方面提高了弹性体薄膜的介电性能;另一方面,开辟了提高弹性体制动器制动性能的新方法;与传统陶瓷填料相比,M/TiC参杂量更少,而且具有高介电性,低介电损耗的优异性能,制动器器件表现出更高的机电稳定性。

    一种基于有机场效应管温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110514313B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN201910820531.8

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于有机场效应管温度传感器及其制备方法,所述温度传感器为底栅顶接触式结构,温度传感器从下到上依次为衬底、生物介电层、掺杂型半导体层以及封装层,所述生物介电层内且在衬底的上表面上有栅电极,所述掺杂型半导体层的上表面分别设置有源电极和漏电极,所述掺杂型半导体层的材料为由果胶与生物半导体材料组成的混合材料。提取的果胶与生物半导体材料协同作用,对温度敏感;通过生物半导体材料和果胶混合,所受温度变化时,电导率发生较大变化,将引起半导体材料迁移率以及接触电阻的变化,从而其电学性质发生较大变化,更容易感应外界的温度,提升了有机场效应管的温度传感响应,实现器件对温度的高灵敏高响应探测。

    一种基于DNT-Ph-Br的界面钝化层钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN112563421A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011432717.5

    申请日:2020-12-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于DNT‑Ph‑Br的界面钝化层钙钛矿太阳能电池及其制备方法新型含Br离子p型半导体材料为一种高空穴迁移率的小分子材料,具有合成简单,成本低廉,迁移率高等特点,能够作为良好的钝化剂从而钝化钙钛矿中的电子空穴缺陷,进而提高界面处的激子传输效率;使用的DNT‑Ph‑Br材料由于在端基上增加了Br基团,从而能够对钙钛矿中的卤素离子空位进行钝化,进而促进离子交换,使得钙钛矿形成的晶粒更加致密,晶粒尺寸更大,更加有利于载流子在其内部的传输。使用的DNT‑Ph‑Br材料具有较好的空气稳定性及隔绝水氧的能力,将其插入空穴传输层与钙钛矿层中间,能够有限抑制水样分子扩散到钙钛矿层从而使其降解,能够大幅提升钙钛矿太阳能电池的稳定性。

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