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公开(公告)号：CN114075419A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110737279.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用片及加工该保护膜形成用片的方法，所述保护膜形成用片即使在使用切割刀片切出保护膜形成膜的情况下，保护膜形成膜与支撑膜之间的浮起的形成也得以抑制。所述保护膜形成用片具有保护膜形成膜、与以可剥离的方式配置于保护膜形成膜的一个主面上的第一剥离膜，23℃下的保护膜形成膜的探针粘性值小于6200mN，23℃下的第一剥离膜的与保护膜形成膜相接的面的表面弹性模量为17MPa以下，探针粘性值与表面弹性模量之积为66000以下。
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公开(公告)号：CN108349107A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063814.7
申请日：2016-11-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，其为具备基材11、及设置在基材11的一侧的剥离剂层12的陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，剥离剂层12由含有三聚氰胺树脂及聚有机硅氧烷的剥离剂组合物固化而成，通过纳米压痕试验，从剥离剂层12的与基材11相反侧的面测定的覆膜弹性模量为3.5～7.0GPa。根据该陶瓷生片制造工序用剥离膜1A，能够抑制聚有机硅氧烷从剥离剂层迁移至陶瓷生片。
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公开(公告)号：CN106029315B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201580010840.9
申请日：2015-02-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 深谷知巳
IPC: B28B1/30 , B05D5/00 , B05D7/24 , B32B27/00 , B32B27/42 , C09D5/20 , C09D161/28 , C09D183/04
CPC classification number: C09D161/28 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B27/42 , B32B2307/718 , C08G77/16 , C08L83/04
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜的特征在于，具有基材(11)和平滑化层(12)和剥离剂层(13)，平滑化层(12)通过加热含有质量平均分子量在950以下的三聚氰胺树脂为主要成分的平滑化层形成用组合物使其固化而形成，剥离剂层(13)通过加热含有三聚氰胺树脂为主要成分且含有聚有机硅氧烷的剥离剂层形成用组合物使其固化而形成，外表面(131)的算术平均粗糙度Ra1在8nm以下，并且，外表面(131)的最大突起高度Rp1在50nm以下。
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公开(公告)号：CN104203518B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201380016120.4
申请日：2013-02-04
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B28B1/30 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，其包括基材(11)及设置于基材(11)的一侧的剥离剂层(12)，其中剥离剂层(12)为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物，剥离剂层(12)的与基材(11)相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下，剥离剂层(12)的通过纳米压痕试验所测定的弹性模数为4.0GPa以上，基材(11)的与剥离剂层(12)的相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为5～50nm，且最大突起高度(Rp)为30～500nm。根据照此陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，能够防止·抑制于陶瓷胚片产生针孔或厚度不均等缺陷，而且陶瓷胚片的剥离性也优异。
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公开(公告)号：CN104203520B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201380016850.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C09D135/02 , B05D3/067 , C08F2/48 , C08F222/1006 , C08F2222/1046 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/0388 , G03F7/0757 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，具有基材和在基材的第1面侧设置的剥离剂层，该剥离剂层含有在1分子中含有3个以上选自(甲基)丙烯酰基、烯基和马来酰亚胺基的反应性官能基的紫外线固化性化合物(A)、和聚有机硅氧烷(B)、和α‑氨基烷基苯某酮类光聚合引发剂(C)，其平均厚度为0.3～2μm，外表面的算术平均粗糙度Ra1在8nm以下，最大突起高度Rp1在50nm以下，上述基材的第2面的算术平均粗糙度Ra2为5～40nm，其最大突起高度Rp2为60～500nm。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上的针孔或局部厚度不均的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104220221B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380016162.8
申请日：2013-02-04
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B32B27/283 , B28B1/30 , B32B3/00 , B32B27/308 , B32B2250/02 , B32B2270/00 , B32B2305/77 , B32B2307/732 , C08G77/20 , C08G77/46 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2433/08 , C09J7/401 , C09J2483/005 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，其包括基材(11)，设置于基材(11)的一侧的剥离剂层(12)，其中剥离剂层(12)为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物，剥离剂层(12)的与基材(11)相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下。根据照此陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，能够防止/抑制在陶瓷胚片上产生针孔或厚度不均等缺陷，而且陶瓷胚片的剥离性也优异。
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公开(公告)号：CN104203519B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380016849.1
申请日：2013-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B28B7/364 , B28B1/30 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，其为印刷电路基板制造用剥离膜，具备具有第1面和第2面的基材和在所述基材的所述第1面侧形成的剥离剂层，所述基材的所述第2面的最大突起高度Rp2为60～500nm，并且在所述第2面中的高度在60nm以上的突起的面积占有率在10％以下。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上的针孔或局部厚度不均的产生。
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公开(公告)号：CN103476897B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201280015628.8
申请日：2012-02-24
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/6025 , C08G77/20 , C08G77/80 , C08L83/04 , C08L83/00
Abstract: 本发明提供一种剥离剂组合物，其含有：聚有机硅氧烷（A），其1分子中具有至少2个烯基、且在硅氧烷骨架中的至少1个硅原子的两侧链上具有芳基；以及，聚有机硅氧烷（B），其不具有芳基、且在1分子中仅两个末端具有烯基；聚有机硅氧烷（A）相对于聚有机硅氧烷（A）和聚有机硅氧烷（B）的合计量的固体成分比率为40～98质量％，聚有机硅氧烷（A）的质均分子量为100000～800000。采用这种剥离剂组合物，可以使得陶瓷浆料的涂布性优异，同时，陶瓷生坯的剥离性也优异。
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公开(公告)号：CN104203520A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016850.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C09D135/02 , B05D3/067 , C08F2/48 , C08F222/1006 , C08F2222/1046 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/0388 , G03F7/0757 , Y10T428/24355 , B28B1/30 , B32B27/06 , B32B27/16 , B32B27/308 , B32B2333/08 , B32B2457/08
Abstract: 本发明的印刷电路基板制造用剥离膜，其特征在于，具有基材和在基材的第1面侧设置的剥离剂层，该剥离剂层含有在1分子中含有3个以上选自(甲基)丙烯酰基、烯基和马来酰亚胺基的反应性官能基的紫外线固化性化合物(A)、和聚有机硅氧烷(B)、和α-氨基烷基苯某酮类光聚合引发剂(C)，其平均厚度为0.3～2μm，外表面的算术平均粗糙度Ra1在8nm以下，最大突起高度Rp1在50nm以下，上述基材的第2面的算术平均粗糙度Ra2为5～40nm，其最大突起高度Rp2为60～500nm。根据本发明，能够抑制印刷电路基板上的针孔或局部厚度不均的发生。
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公开(公告)号：CN104203518A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016120.4
申请日：2013-02-04
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: B28B1/30 , Y10T428/24355 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/16
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，其包括基材(11)及设置于基材(11)的一侧的剥离剂层(12)，其中剥离剂层(12)为包含活性能量射线固化性成分以及硅酮类成分的剥离剂组合物的固化物，剥离剂层(12)的与基材(11)相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为8nm以下，且最大突起高度(Rp)为50nm以下，剥离剂层(12)的通过纳米压痕试验所测定的弹性模数为4.0GPa以上，基材(11)的与剥离剂层(12)的相反侧的面的算数平均粗糙度(Ra)为5～50nm，且最大突起高度(Rp)为30～500nm。根据照此陶瓷胚片制造工序用剥离膜(1)，能够防止·抑制于陶瓷胚片产生针孔或厚度不均等缺陷，而且陶瓷胚片的剥离性也优异。
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