公开(公告)号：CN104838489A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380062132.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  吾妻佑一郎

IPC: H01L23/29 ,  C09D133/14 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/295 ,  C09D133/068 ,  C09D133/14 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3164 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用组合物，其用于形成保护芯片表面的保护膜，该保护膜形成用组合物含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)固化性成分、(C)无机填料，其中，相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元，源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为0～8质量％，且(A)成分的玻璃化转变温度为-3℃以上，(C)成分包含(C1)各向异性形状的氮化硼粒子。通过使用上述保护膜形成用组合物或具有由该组合物形成的保护膜的保护膜形成用片，能够形成散热性及粘接性优异的固化保护膜，可以制造可靠性高的带有保护膜的芯片。

公开(公告)号：CN114599517B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202080074351.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/08 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12 ,  B32B27/18 ,  B32B27/22 ,  B32B27/36 ,  B32B27/28 ,  B32B27/40 ,  B32B25/00 ,  B32B25/08 ,  C08J7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D502，满足下述条件：D501

公开(公告)号：CN113214745B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202110148435.0

申请日：2021-02-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  米山裕之 ,  古野健太

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片(10)和形成在所述支撑片的一个面上的保护膜形成用膜(13)，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在23℃下的探针初粘力值为500mN以上，所述支撑片的所述保护膜形成用膜(13)侧的面(10a)(12a)在0℃下的环形初粘力值为500mN以上。

公开(公告)号：CN109789666B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201780056701.9

申请日：2017-07-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  山本大辅 ,  古野健太

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层及保护膜形成用膜而构成，对由所述保护膜形成用膜形成的保护膜的激光印字性优异，且保护膜的印字的可见性也优异。所述保护膜形成用复合片具备基材，并通过在所述基材上依次层叠粘着剂层及保护膜形成用膜而成，作为所述基材及所述粘着剂层的层叠物的支撑片的雾度高于45％，所述支撑片的透射清晰度为100以上。

公开(公告)号：CN116891614A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310305974.X

申请日：2023-03-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 堂下美纱季 ,  山本大辅 ,  小升雄一朗

IPC: C08L33/08 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08K9/00 ,  C08K7/18 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为热固性的保护膜形成膜，其中，对作为多片所述保护膜形成膜的层叠物的、宽度为4mm的第一试验片，在23～70℃的温度范围内测定储能模量E’时，其最小值E’(1)为45MPa以下，且其最大值E’(2)为200MPa以上，对作为使多片所述保护膜形成膜的层叠物热固化而得到的固化物的、宽度为5mm的第二试验片，在相同条件下测定储能模量E’时，其最小值E’(3)为500MPa以上。

公开(公告)号：CN115536969A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211159504.9

申请日：2019-11-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: C08L33/12 ,  C08L63/02 ,  C08L63/00 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  C09J7/24 ,  C09J133/04 ,  C09J7/30 ,  H01L23/29 ,  H01L21/78 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。

公开(公告)号：CN108604541B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201780011114.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一 ,  山本大辅

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。

公开(公告)号：CN108884244B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201780018817.3

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  稻男洋一

IPC: C08J5/18 ,  B32B7/025 ,  B32B27/18 ,  C09J7/10 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供可防止半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为1012Ω·cm以下。所述保护膜形成用膜优选含有抗静电剂，所述抗静电剂优选为选自由阴离子表面活性剂类抗静电剂、阳离子表面活性剂类抗静电剂、非离子表面活性剂类抗静电剂、两性离子表面活性剂类抗静电剂及非离子表面活性剂类抗静电剂组成的组中的至少一种。

公开(公告)号：CN112825305A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011302234.3

申请日：2020-11-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  古野健太

IPC: H01L21/683 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00

Abstract: 本发明提供一种具备第一层叠体(5)和支撑片(10)的套件(1)，所述第一层叠体(5)中依次层叠有第一剥离膜(151)、保护膜形成膜(13)及第二剥离膜(152)，所述保护膜形成膜(13)在23℃下的断裂伸长率大于700％。

公开(公告)号：CN112703239A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980059711.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: C09J175/04 ,  H01L21/301 ,  C09J7/35

Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。