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公开(公告)号：CN103035806A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210580748.4
申请日：2012-12-28
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明在氮化物外延生长的衬底上制备微米PSS，其上沉积二氧化硅膜，在该膜上，沉积金属Ni层，通过退火处理后，以表面均匀分布的纳米尺度的金属Ni颗粒作为掩膜刻蚀衬底，形成纳米图形结构。然后，以所述具有纳米图形结构的二氧化硅作为掩膜刻蚀衬底，将纳米图形结构复制到微米PSS衬底上，通过腐蚀去除所述二氧化硅膜，得到纳米级PSS。本发明能够实现纳米图形化衬底的制备，可操作性强，并且不涉及昂贵精密的光刻设备，有利于实现规模化和产业化。
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公开(公告)号：CN102969412A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210516461.5
申请日：2012-12-05
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/762 , H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种集成LED芯片及其制作方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长外延层，形成晶片基体；S2、采用激光切割的方式在晶片基体上形成用于隔离相邻单胞的隔离槽，隔离槽的底部延伸至晶片基体的衬底处；S3、去除部分第二半导体层和发光层，露出位于其下的第一半导体层；S4、在第二半导体层的表面上形成透明导电膜；S5、在由第一半导体层、第二半导体层和发光层叠加形成的侧壁上、以及隔离槽中形成钝化层；S6、在由隔离槽隔离的各单胞之间形成金属连接线，形成集成LED芯片。本发明集成LED芯片及其制作方法，通过采用激光切割工艺形成隔离槽简化了制作工艺、提高了生产效率和增加了芯片的有效发光面积。
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公开(公告)号：CN102664220A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210149913.0
申请日：2012-05-15
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/304
摘要： 本发明提供了一种LED晶片切割方法和该方法中所用保护片，该方法中LED晶片包括中心圆和外环，LED晶片的外环为从LED晶片的外边缘向LED晶片中心延伸形成的区域；外环包括内边缘，LED晶片的中心圆为从内边缘至LED晶片中心围成的区域，切割步骤只切割LED晶片的中心圆，并在其中形成切痕；LED晶片的外环不进行切割步骤处理，其中无切痕。本发明提供的保护片能遮蔽待切割晶片的边缘，保护晶片的边缘不被激光切割到。该保护片制作成本低、使用方法简单，效果明显，能将晶片的破片率从27%下降至3.5%。
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公开(公告)号：CN102637796A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210150671.7
申请日：2012-05-15
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有P型AlGaN层结构的LED芯片及其制备方法。本发明提供的LED芯片中所设置的P型AlGaN层中Al的掺杂量有规律的改变后，改变了P型AlGaN层的能带分布，减弱了了P型AlGaN层的价带对空穴注入时的阻挡作用，同时不削弱其对电子的阻挡作用。所形成的能带具有多个势阱，这些势阱能带有利于空穴的注入。而势垒则能继续对电子的阻挡作用。通过采用该结构，LED芯片的亮度提升8~10%，所需电压下降0.05~0.10V。
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公开(公告)号：CN202423369U
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201220003273.8
申请日：2012-01-05
申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 本实用新型提供了一种发光二极管芯片，包括：衬底、依次叠置形成于衬底的顶面上的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、透明导电层、P电极以及N电极，N电极形成于N型半导体层被刻蚀区域的顶面上；还包括第一DBR层和第二DBR层，第一DBR层形成于正对P电极贯通透明导电层的凹陷区域内，第一DBR层的底面形成于P型半导体层的顶面上；衬底的底面形成有第二DBR层。本实用新型提供的芯片用PECVD方法沉积SiO2和Si3N4层交错形成的DBR结构的电流阻挡层，该层可以将垂直入射到电极下方，并被其挡住的光反射至芯片底面上的DBR光反射层上。该光经芯片底面DBR光反射层的漫反射后能改变光的出射角度，绕开电极出射，从而增加了芯片的发光效率。
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