-
公开(公告)号：CN102590923A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210051508.5
申请日：2012-03-01
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了透镜、全息图投影制作系统及方法。透镜包括光线的入射面和出射面，入射面是曲面，出射面由多个自由面构成，入射面上形成的不同图像块依次从一一对应的自由面输出，从自由面输出的图像块依次重叠在相同的区域。全息图投影制作系统包括激光源、参考光传输单元、物光传输单元、空间光调制器、全息干板和该透镜，透镜在空间光调制器和全息干板之间，激光源的参考光通过参考光传输单元到达全息干板的背面，物光通过物光传输单元到达空间光调制器后并携带上图像信息，经过透镜后到达全息干板的正面，物光和参考光在全息干板的正面产生干涉。相比现有技术通过单像素来进行曝光拍摄，本发明提高了效率，而且也降低了结构的复杂程度。
-
公开(公告)号：CN102588823A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110384121.7
申请日：2012-01-19
Applicant: 清华大学
IPC: F21S8/00 , F21V7/04 , F21V29/00 , F21V23/06 , F21V31/00 , F21W131/10 , F21Y101/02
Abstract: 一种基于LED模块的道路照明光源装置，涉及道路照明领域。至少包括LED模块、灯具安装基座、LED驱动电源，LED模块通过模块安装接头固定于灯具安装基座内的安装孔，外表面连接有散热结构，内表面为反光曲面，并至少包括一个安装有LED的LED基板，LED基板与反光曲面相对，并与散热结构紧密接触，LED的发光轴线与Z轴反方向所成夹角a的绝对值取值范围为30°～150°，反光曲面与LED相邻的近端区域的反射光线与Z轴的夹角b在-30°～30°，反光曲面与LED相对的远端区域的反射光线与Z轴的夹角c在-30°～90°。本发明结构简单、易于替换、光能利用率高、照明效果好，可广泛应用于道路照明等户外照明场景。
-
公开(公告)号：CN101920184B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010249082.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 一种基于氮化物发光二极管的光催化生化器件及其制备方法，通过将氮化物发光二极管材料和InGaN纳米结构的光催化材料相结合，由氮化物发光二极管提供光照，InGaN纳米结构的光催化材料作为光催化剂，形成一个集成的芯片，用于生物体内的杀菌和抗癌等应用；本发明的优点为实现了器件的小型化，并且可以最大程度地利用光照能量，可以使氮化物发光二极管的发光为对生物体安全的可见光，可以发生高效的光催化反应，表面的InGaN纳米结构位于氮化物发光二极管基底上，不会扩散至生物体内，便于回收，并且氮化物材料的物理化学性质很稳定，在生物体内不会分解，这样就适用于生物体内部且对生物体无害。
-
公开(公告)号：CN1595670B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200410009267.3
申请日：2004-06-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮-镓氮或铟镓氮-铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料的金属有机化学气相沉积外延生长方法和相关的有源区结构设计。提供了几种基于InGaN量子点有源区的新型器件结构设计，并给出了外延条件的核心生长参数如反应源流量大小、V/III比、衬底温度等。本发明能实现不含荧光转换、高显色指数、高亮度的GaN基白光LED照明需求。同时，本发明技术也适用于(CdSe)ZnS/ZnSe、(Zn，Cd)Se/ZnSe、(Zn，Cd，Hg)(Se，Te)/ZnSe、(Zn，Cd，Hg)(Se，Te)/ZnS等II/VI族化合物半导体内含量子点的宽谱功率型发光二极管材料外延生长，其外延生长的主要优化方法与III/V族InGaN量子点外延生长的相同。
-
公开(公告)号：CN101920184A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010249082.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于氮化物发光二极管的光催化生化器件及其制备方法，通过将氮化物发光二极管材料和InGaN纳米结构的光催化材料相结合，由氮化物发光二极管提供光照，InGaN纳米结构的光催化材料作为光催化剂，形成一个集成的芯片，用于生物体内的杀菌和抗癌等应用；本发明的优点为实现了器件的小型化，并且可以最大程度地利用光照能量，可以使氮化物发光二极管的发光为对生物体安全的可见光，可以发生高效的光催化反应，表面的InGaN纳米结构位于氮化物发光二极管基底上，不会扩散至生物体内，便于回收，并且氮化物材料的物理化学性质很稳定，在生物体内不会分解，这样就适用于生物体内部且对生物体无害。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101566777A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910085479.2
申请日：2009-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/35 , H01S5/026 , H04B10/155
Abstract: 基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件，属于微波光子学领域的光电子器件制备技术领域，尤其涉及基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件将两个从激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，通过Y分支波导或多模干涉器将两个从激光器耦合在一起，从而实现外置主激光器调制边带的注入，进行注入锁定；再通过Y分支波导或多模干涉器耦合输出，进行拍差，就可以获得高频微波。本发明还可以进一步集成一个主激光器以及一个电吸收调制器，进一步提高集成度。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101237122A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810056429.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/50 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/065 , H01S5/00 , H01S1/00 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，具体地说是一种利用FP激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件，在同一芯片上集成一个DFB激光器和一个FP激光器，对DFB激光器进行直接调制或者外调制，它的两个调制边带去锁定FP激光器的两个相邻纵模，被锁定的两个相邻纵模进行拍差，通过光探测器进行接收，就可以获得高频微波。本发明将相关半导体光电子器件实现了单片集成，集成度高、结构新颖，既能提高性能又能大大减少器件的体积，有利于提高系统的稳定性；并且制作工艺简单、成本低、成品率高，适于大规模生产和应用，在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN101222121A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710179425.3
申请日：2007-12-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件均采用脊波导结构，脊波导两侧用SiO2绝缘层填平，并集成一个分布反馈DFB激光器和一个半导体光放大器SOA。DFB激光器和SOA的顶面和底面上分别制作了一层P型电极和一层N型电极，DFB激光器和SOA相连的地方有一段电隔离段，且该电隔离段处无P型电极和欧姆接触层；DFB激光器的输出光产生的两个一阶调制边带作为SOA四波混频效应的泵浦光，产生两个频率差更大的光，进行拍差。该器件具有集成度高、成本低、成品率高、制作方法简单而又能提高性能的优点。
-
公开(公告)号：CN1710761A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510089216.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种多段式分布反馈半导体激光器，属于光电子器件技术领域，其特征在于：多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。DFB激光器的激射波长不仅与光栅周期相关，而且与等效折射率有关。因此，可通过在不同的DFB段采用不同的波导宽度得到等效折射率差，从而实现激射波长的差异，使对应的激射谱产生微小的差异(量级0.01nm)，从而达到波长偏移的效果。此外，还可以对已经制作的光栅结构加以修补，起到优化器件性能的效果。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119834064A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311330374.5
申请日：2023-10-13
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体激光器及其制作方法，涉及半导体激光器技术领域，用于减少半导体激光器的啁啾问题。该半导体激光器包括：基底；脊形波导，脊形波导设置在基底上，且沿基底的第一方向延伸；光栅，光栅设置在脊形波导的顶部，其中，光栅包括沿第一方向周期性排列的第一区域和第二区域，第一区域包括半导体材料，第二区域包括绝缘介质材料，绝缘介质材料的折射率大于半导体材料的折射率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
231
records
(took 0.025 seconds)
