公开(公告)号：CN119834064A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202311330374.5

申请日：2023-10-13

Applicant: 华为技术有限公司 ,  清华大学

Inventor： 王健 ,  窦志鹏 ,  宿家鑫 ,  卢泽丰 ,  罗毅

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/12

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体激光器及其制作方法，涉及半导体激光器技术领域，用于减少半导体激光器的啁啾问题。该半导体激光器包括：基底；脊形波导，脊形波导设置在基底上，且沿基底的第一方向延伸；光栅，光栅设置在脊形波导的顶部，其中，光栅包括沿第一方向周期性排列的第一区域和第二区域，第一区域包括半导体材料，第二区域包括绝缘介质材料，绝缘介质材料的折射率大于半导体材料的折射率。

公开(公告)号：CN119905894A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202311422410.0

申请日：2023-10-28

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 罗曦晨 ,  卢泽丰 ,  彭莉媛 ,  宿家鑫

IPC: H01S5/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/20 ,  H04B10/50

Abstract: 本申请实施例提供一种激光器、光组件、光模块以及光分配网络设备，涉及半导体技术领域，用于实现激光器的激光波长的双向改变。激光器具有第一激光区、第一相移区以及第二相移区，第一激光区、第一相移区以及第二相移区之间均具有间隔。激光器包括层叠设置的第一波导层、有源层、第二波导层以及光栅结构。有源层位于第一激光区，第一波导层和第二波导层均位于第一激光区、第一相移区以及第二相移区。其中，光栅结构包括多个栅缝。光栅结构位于第一激光区内。其中，第一激光区用于产生激光，第一相移区和第二相移区用于分别调控激光波长增大或者减小。

公开(公告)号：CN119812941A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202311314764.3

申请日：2023-10-11

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 陈达 ,  余永林 ,  宿家鑫 ,  卢泽丰 ,  罗曦晨 ,  贺继方

IPC: H01S5/125 ,  H01S5/042 ,  H01S5/20

Abstract: 本申请实施例提供了一种分布式布拉格反射激光器及控制方法，涉及半导体激光器技术领域，用于改善相关技术中DBR激光器为了提高调制带宽导致的加工难度大的问题。该DBR激光器包括衬底、有源部分和光栅部分，光栅部分耦接至有源部分在光传播方向上的一端，包括波导层、第一电极、第二电极和第三电极；波导层设置在衬底的一侧，并设置有沿光传播方向排列的布拉格光栅。第一电极、第二电极和第三电极均设置在布拉格光栅远离衬底一侧，且沿光传播方向间隔排布；第一电极、第二电极和第三电极用于基于输入的电极信号分别控制下方布拉格光栅的有效折射率。该DBR激光器可以应用于光通信、光存储等领域。

公开(公告)号：CN119447994A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202310944522.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 彭莉媛 ,  卢泽丰 ,  宿家鑫 ,  贺继方

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/042 ,  H04Q11/00 ,  H04B10/40 ,  H04B10/25 ,  H04B10/50

Abstract: 本申请实施例提供一种激光器、光组件、光模块以及光通信系统，涉及半导体激光器技术领域，用于提高激光器的高温可靠性。激光器包括依次层叠设置的N型波导层、有源层以及P型波导层。其中，有源层包括至少一个量子阱层和多个量子势垒层，量子阱层和量子势垒层交叠设置。最靠近P型波导层的量子势垒层的带隙大于多个量子势垒层中其余量子势垒层的带隙。