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公开(公告)号：CN116984249A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311015415.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: B07B13/04 , B07B13/16 , B65G47/244
Abstract: 本申请提供了一种用于氮化镓半导体器件筛选装置及其使用方法，属于氮化镓半导体器件技术领域，包括支撑座，述支撑座的上方固定设置有外壳，所述外壳上等距开设有移动槽，所述外壳上各处移动槽由左至右宽度递增，所述移动槽的内部放置有轨道板，所述轨道板的上方安装有第一导向板，所述第一导向板的前端设置有第二导向板，所述外壳上固定设置有连接台，所述连接台的上方相对设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板和第二连接板之间固定连接有储存盒，所述储存盒的内部固定安装有电动推杆。本申请能够在对反面朝上的半导体器件进行翻面时防止半导体器件脱落，能够在翻面后自动调节输送的位置。
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公开(公告)号：CN115857600A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557095.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带自启动功能的带隙基准电压产生电路结构。所提供的带自启动功能的带隙基准电压产生电路，一方面采用二极管代替传统的三极管，减小了芯片版图面积；另外一方面采用了高可靠低延时启动电路，不使用电阻和电容等无源器件，进一步减小芯片面积，提高了带隙基准电压产生电路的可靠性。本发明所提供的技术方案，具有低成本和小面积优势，可以广泛应用于各类高精度模拟和数模混合集成电路系统。
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公开(公告)号：CN113651357B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110862938.4
申请日：2021-07-29
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锆氧化物纳米粒子及其制备方法、光刻胶组合物及其应用。该锆氧化物纳米粒子的制备方法包括如下步骤：提供或制备锆盐溶液，所述锆盐溶液包括第一溶剂和分散于所述第一溶剂中的锆盐；将配体加入所述锆盐溶液中，混合均匀，以制备含锆反应体系；加热所述含锆反应体系，控制加热温度为40℃～100℃，使所述含锆反应体系中生成锆氧化物；停止加热，并静置至析出固体组分。该锆氧化物纳米粒子的制备方法能够显著降低锆氧化物纳米粒子的粒径并提高粒径分布的均匀程度，进而能够有效提高作为光刻胶时显影后图案的分辨率。
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公开(公告)号：CN114910497A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210593038.9
申请日：2022-05-27
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。
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公开(公告)号：CN112462572B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011428100.6
申请日：2020-12-09
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶，包括有机溶剂和钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子，所述钛锆氧化物纳米粒子的分子通式为TixZryOzLn,其中，x、y、z分别独立地选自1～6中的任意整数，n选自5～30中的任意整数，L为有机物配体，所述有机物配体具有可自由基引发聚合的基团。本发明还公开了一种光刻胶的图案化方法。本发明还公开了一种印刷电路板的方法。
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公开(公告)号：CN114675488A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111573387.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 清华大学 , 北京华睿新能动力科技发展有限公司
Abstract: 本申请公开了一种锌基金属有机纳米颗粒，具有核壳结构，通式为ZnxOy[A]2x[B]2，其中x为2或3，2x≤y≤4x，ZnxOy为所述核壳结构的内核，A为第一有机配体，B为第二有机配体，所述第一有机配体A和第二有机配体B共同构成所述核壳结构的外壳，所述第一有机配体A选自取代或未取代的脂肪族基团、取代或未取代的芳香族基团中的一种或多种，所述第二有机配体B选自有机胺类及其衍生物中的一种或多种。本申请还公开了一种锌基金属有机纳米颗粒的制备方法以及光刻胶。
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公开(公告)号：CN112095140B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202010773368.7
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，驱动装置内腔的内壁固定设置有隔板，隔板的表面固定设置有加热层，反应罐内腔的内壁固定设置有驱动装置，通孔的内腔固定设置有夹持机构，坩埚的表面固定开设有连接口，进液阀的一端贯穿反应罐、隔板和滑轨的表面，并与连接口活动连接，本发明涉及氮化镓生长技术领域，该利用氨热法生产氮化镓晶体的生长装置，解决了无法进行多个氮化镓晶体来进行共同的生长，无法对氮化镓晶体在坩埚内腔的溶液中进行位置的调整，不能保证晶种模版一直处在最佳的生长环境，不利于提高氮化镓晶体生长效率和生长质量，无法对坩埚进行清理和对大小不同的晶体进行夹持的问题。
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公开(公告)号：CN113098471B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN113631026A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110908192.6
申请日：2021-08-09
Applicant: 恩纳基智能科技无锡有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明涉及电子元件焊接技术领域，具体涉及一种可循环精简型贴片机，包括：舱体，以及贯穿舱体的传送通道，舱体内设有基板固定器，用于固定传送通道上的PCB板；第一平面坐标滑台，第一平面坐标滑台设置舱体内的传送通道的一侧，第一平面坐标滑台顶部设有旋转座；第一贴片执行器和第二贴片执行器，第一贴片执行器和第二贴片执行器设置在旋转座相对的两侧；第二平面坐标滑台，第二平面坐标滑台设置舱体内的第二平面坐标滑台远离传送通道的一侧，并且第二平面坐标滑台顶部设有送料器。本发明通过旋转座使两套贴片执行器交替工作，相比传统的贴片机省略了单独的元件拾取时间，因此提高了贴片效率。
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公开(公告)号：CN112071962A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010774402.2
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，所述调节机构包括冷却液存储箱、液泵和加热管，所述液泵的输入端固定连接有输入管，所述输入管的一端与冷却液存储箱的一侧固定连接，本发明涉及LED芯片制作技术领域。该在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置，利用液泵将冷却液存储箱产生的冷环境向喷头处传递，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的低温环境，利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境，满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境，结构简单，成本低，方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。
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