公开(公告)号：CN100483769C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710064947.9

申请日：2007-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 朱嘉麟 ,  孙家林 ,  张建红 ,  刘伟

IPC: H01L49/00

Abstract: 基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。

公开(公告)号：CN1709789A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200510012005.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 清华大学

Inventor： 孙家林 ,  曹阳 ,  姚海飞 ,  张建红 ,  时硕 ,  郭继华 ,  刘伟

IPC: B82B3/00 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60

Abstract: 厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底，用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极，在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜，并使其覆盖阴极和阳极。在真空中，对阴极和阳极之间施加恒定直流电压，经数十小时后，阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现，操作简单，阵列长度由通电时间控制，阵列中的银纳米线彼此平行排列，且该阵列易于从基底分离，可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中，或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。