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公开(公告)号：CN102709142A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210209509.8
申请日：2012-06-19
IPC: H01J37/073
Abstract: 本发明公开一种基于纳米孔的电子束场发射装置，包括：固定层结构，固定层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的通孔，固定层结构的上表面设有覆盖在通孔上方的石墨烯层；纳米孔层结构，纳米孔层结构的中心位置处设有沿上下方向贯通的纳米孔，且纳米孔层结构的下表面上设有用于与固定层结构的上表面连接的第一键合金属层；和场发射层结构，场发射层结构上表面的中心位置处设有电场负极金属板，场发射层结构下表面的中心位置处设有相互配合的场发射栅极正极和场发射栅极负极，场发射层结构的下表面外沿设有用于与纳米孔层结构的上表面连接的第二键合金属层。根据本发明的实施例的基于纳米孔的电子束场发射装置，石墨烯层可减小电子碰撞率，进而提高电子的穿透率。
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公开(公告)号：CN101430299B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200810240371.1
申请日：2008-12-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/28
Abstract: 公开了一种用于生物医学微流体的微型可逆密封结构，包括：第一衬底，在该第一衬底上设置有图案化的PDMS密封层；第二衬底，在该第二衬底上设置有流体控制和处理功能器件；并且所述第二衬底上设置的流体控制和处理功能器件通过所述PDMS密封层被封装在所述第一衬底和第二衬底之间。还公开了一种制作用于生物医学微流体的微型可逆密封结构的方法，包括：在第一衬底上制作图案化的PDMS密封层；在第二衬底上制作流体控制和处理功能器件；以及通过所述PDMS密封层将所述第二衬底结合到所述第一衬底上，使得所述第二衬底上的流体控制和处理功能器件被封装在所述第一衬底和所述第二衬底之间。
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公开(公告)号：CN102101642A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110030665.3
申请日：2011-01-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种纳米制造系统，包括原子粒子产生系统，原子粒子产生系统与气源连通，原子粒子产生系统与原子输运系统相连，原子输运系统与真空工作室相连，真空工作室内设置有纳米孔阵列掩模板，纳米孔阵列掩模板边缘上方为光学对准系统，下方为纳米级电子对准系统，纳米孔阵列掩模板下方设置有铺设有衬底材料；气源进入原子粒子产生系统获得能量与动量后产生原子粒子，原子粒子进入真空工作室，支架调节控制系统实现纳米孔阵列掩模板与衬底材料的相对运动，实现掩模功能与纳米图形加工；本发明具有控制精度高、加工尺度小、对衬底材料损伤小、电学影响小、系统结构相对简单、功能材料多样以及结构图形化方便的特点。
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公开(公告)号：CN102079504A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010580155.9
申请日：2010-12-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种高密度的硅基纳米孔的制作方法，先在硅衬底的正面覆盖第二保护材料，在硅衬底的背面覆盖第一保护材料，将需要在硅衬底上刻蚀出的图形加工到第一保护材料、第二保护材料上，图形的深度到达硅衬底的表面，然后在硅衬底的背面运用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法刻蚀出垂直的柱状孔，再采用湿法腐蚀，对硅的正面进行湿法腐蚀，腐蚀出的斜面与水平面有一个夹角，得到硅纳米孔，最后采用磷酸溶液除去第一保护材料，然后用硝酸铈铵溶液除去第二保护材料，得到高密度的硅基纳米孔，本发明能够生产具有良好支撑的大面积阵列纳米通孔结构，设备成本低，批量生产容易，能够在生物分子领域、半导体、集成电路工业和纳米加工等领域得到广泛的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119403251A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411976907.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: H10F30/295 , G01T1/24 , H10F77/124 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本申请提供了一种高性能垂直GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括层叠设置的第二接触电极、GaN衬底、GaN外延层、第一接触电极、保护环和钝化层。通过将GaN衬底设置为重Si掺杂GaN衬底，GaN外延层设置为轻Si掺杂GaN外延层，以及将第一接触电极的厚度进行优化设计，并设计保护环，以提升α粒子探测器在灵敏度、电荷收集效率、能量分辨率、响应速度及长期可靠性等方面的关键性能指标，为高性能GaN基α粒子探测器的实际应用提供了可靠的技术支持和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118281066A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410114773.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制作方法。该场效应晶体管包括：SOI晶圆，SOI晶圆包括层叠设置的衬底硅层、埋氧层和器件硅层，器件硅层中设置有沟道，SOI晶圆还具有通孔，通孔贯穿衬底硅层和埋氧层，且与沟道连通，在所述器件硅层靠近埋氧层的方向上，器件硅层的至少部分区域为离子掺杂区域。由此，通过在器件硅层中进行离子掺杂，故而在器件硅层进行刻蚀形成沟道时，可以有效减缓刻蚀速率，进而实现对沟道尺寸的高精度的控制，同时可实现环形的三维栅控结构，进而有利于调控场效应晶体管的电学特性。
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公开(公告)号：CN118050410A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410039141.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器及其制备方法和应用。金栅AlGaN/GaN异质结构pH传感器包括：衬底和外延结构，外延结构包括GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层，GaN缓冲层位于衬底的一侧，GaN沟道层位于GaN缓冲层远离衬底的一侧，AlGaN势垒层位于GaN沟道层远离衬底的一侧，GaN帽层位于AlGaN势垒层远离衬底的一侧；金栅，金栅位于AlGaN势垒层远离衬底的部分表面上，或者，金栅位于GaN帽层远离衬底的部分表面上；漏极和源极，漏极和源极位于GaN帽层远离衬底的一侧，金栅在衬底上的正投影位于漏极在衬底上的正投影和源极在衬底上的正投影之间；钝化层；保护层，保护层覆盖钝化层远离衬底的至少部分表面。该传感器可以用于测量溶液的pH值，并且，具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN114477069A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210061114.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS器件的微机械薄膜结构及MEMS器件，微机械薄膜结构包括：衬底；锚点座，锚点座设在衬底上；弹性薄膜组件，弹性薄膜组件包括薄膜件和应力吸收件，应力吸收件设在薄膜件上以吸收引发薄膜件蠕变的应力，薄膜件和应力吸收件二者中的一者设在锚点座上。本发明通过设置应力吸收件吸收引发薄膜件蠕变的应力，使弹性薄膜组件上的集中应力得到释放或均匀化处理，从而改善抗蠕变特性，避免MEMS器件的性能发生漂移。
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公开(公告)号：CN114264800A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111588323.3
申请日：2021-12-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01N33/48 , C23C14/16 , C25F3/02 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/35 , B82Y40/00 , B82Y15/00 , C23C14/04
Abstract: 本发明公开了制作纳米孔的方法、纳米孔结构和单纳米孔传感器，制作纳米孔的方法，包括：提供硅片；形成第一掩膜层，形成第二掩膜层；形成第一图案化层，第一图案化层包括第一子凹槽；形成第二图案化层；形成第一刻蚀腔；形成第二刻蚀腔；形成金属层；形成第三刻蚀腔，以暴露位于锥尖的金属层；向第一刻蚀腔中加入电解质溶液，向第二刻蚀腔中加入电化学腐蚀溶液；对位于锥尖的金属层进行电化学腐蚀，以形成纳米孔。由此，可便于通过较为简便的方法制得具有极小尺寸的金属纳米孔结构。
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