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公开(公告)号：CN113698931A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111001987.5
申请日：2021-08-30
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种纳米晶/氧化铝核壳结构发光材料及其制备方法，该发光材料包括纳米晶核和包覆在纳米晶表面的晶态氧化铝壳层。纳米晶/氧化铝核壳结构发光材料中纳米晶核和氧化铝壳的交互界面具备Type‑I型异质结构，该发光材料同时具有以下性质：良好的水氧和环境耐受性，良好的光化学稳定性，良好的发光器件稳定性，基于所制备材料封装的LED器件，在5mA电流驱动下运行1000小时后，没有出现荧光衰减现象。该制备方法通过在无水体系中由有机酸配体修饰的纳米晶诱导表面和金属有机铝反应，并引入弱氧化剂控制反应速度，实现传统方法难以实现的低温液相生长晶态氧化铝包覆层，制备出单分散的纳米晶/氧化铝核壳结构纳米粒子。
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公开(公告)号：CN108441221B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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公开(公告)号：CN110938424A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911240236.1
申请日：2019-12-06
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种量子点与纳米片互联的组装复合材料及其制备方法。所述的材料包括量子点和纳米片，量子点的表面附着第一有机功能配体；纳米片的表面附着第二有机功能配体；量子点通过两种有机功能配体的聚合作用，附着在纳米片上下表面，形成量子点与纳米片互联的组装复合结构。本发明实现了量子点与高热导纳米片的紧密结合，有效地解决了量子点不易与高热导纳米片结合的问题。本发明材料提升了量子点的热导效率，有效解决了量子点自身在激发状态下的热积累问题，增强了量子点的热稳定性。
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公开(公告)号：CN108441221A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810441002.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种与封装硅胶高兼容核壳量子点材料及其制备方法。所述的材料包括三部分，由内而外依次为量子点核，量子点壳和量子点表面功能配体层；其中表面功能配体层由单一配体(阳离子封端的有机硅聚合物)组成，包括量子点表面连接壳端的富阳离子保护层，和远壳端的硅氧烷聚合物有机硅链层。本发明的到的材料在与封装硅胶常温混合和加热固化后，未发生荧光衰减，相反量子效率甚至可提升10％以上，实现了量子点同时在抗自发团聚和抗催化固化剂破坏两方面的硅胶兼容。
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公开(公告)号：CN106299050B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201611009348.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，通过保持倾斜侧壁的微纳结构之间的空气，利用倾斜侧壁和空气界面的全反射以及菲涅耳散射对深紫外光进行散射，从而克服了现有技术存在的金属反射镜的金属对深紫外光的强烈吸收作用，倾斜侧壁结构的作用被严重影响的缺陷，从而最大化提高DUV LED的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105702816B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610257518.2
申请日：2016-04-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，是增强半导体掺杂效率和载流子浓度的深紫外发光二极管的制备方法，在发光二极管结构中引入绝缘层/半导体结构，通过外部电场实现半导体增强型效应，利用外加电压，实现能带弯曲，引起局部载流子浓度的增加，从而间接地提高掺杂效率，最终提高发光二极管的发光效率，本发明克服了现有技术为增加发光二极管掺杂效率和载流子浓度是采用在外延生长时进行控制，其要求控制精度高、工艺复杂和重复性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN105304775B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510783423.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法，涉及半导体器件,步骤是：在图形衬底表面沉积低折射率材料层；在低折射率材料层上沉积金属镍薄膜；快速高温热退火，形成金属镍纳米阵列；干法刻蚀低折射率材料层；湿法去除镍。本发明方法在已有的图形衬底上通过微纳加工的方法使图形衬底上覆盖一层微纳结构化的低折射率材料薄膜层，通过避免光刻对准工艺，克服了现有技术对设备要求非常高和光刻难于精确对准的缺陷。
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公开(公告)号：CN106590625A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611101056.1
申请日：2016-12-05
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: C09K11/02 , C09K11/703 , H01L33/26 , H01L33/502
Abstract: 本发明公开了一种基于发光纳米颗粒的发光材料及其制备方法。所述发光材料包括至少一个具有n层核壳结构的发光纳米颗粒和包覆在发光纳米颗粒外表面的外包层；所述n≥2；所述具有n层核壳结构的发光纳米颗粒包括半导体材料形成的发光纳米颗粒核、第一包覆材料形成的奇数包覆层和第二包覆材料形成的偶数包覆层，克服了现有技术中单个发光纳米颗粒自身的稳定性仍受到相当限制的缺陷。所述基于发光纳米颗粒的发光材料的制备方法，采用在发光纳米颗粒核表面不断生长包覆层的方法，最后由外包层将至少一个发光纳米颗粒包覆起来。该方法简单易行。
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公开(公告)号：CN106299050A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201611009348.2
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本发明一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件,该发光二极管有同侧倒装和垂直倒装两种结构，都是通过光刻和刻蚀技术在其外延片的p型空穴传导层的表面一侧形成倾斜侧壁的微纳结构阵列，在倾斜侧壁的微纳结构阵列的顶部制备有悬空导电层，在具有倾斜侧壁的微纳结构之间保持有空气，通过保持倾斜侧壁的微纳结构之间的空气，利用倾斜侧壁和空气界面的全反射以及菲涅耳散射对深紫外光进行散射，从而克服了现有技术存在的金属反射镜的金属对深紫外光的强烈吸收作用，倾斜侧壁结构的作用被严重影响的缺陷，从而最大化提高DUV LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN105990534A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610530793.7
申请日：2016-07-07
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/50 , H01L51/0032 , H01L51/42 , H01L51/5056 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及光电转换层结构的制备方法及应用该结构的光电器件，包括下述步骤：1)制备光电转换层材料的前驱体溶液；2)制备透明导电基底；3)在步骤2)中制备好的透明导电基底上表面采用物理镀膜技术或旋涂法制备空穴传输层；4)利用半导体加工方式，在步骤3)得到的空穴传输层的上表面制备出骨架结构，所述半导体加工方式为胶体模板法、纳米压印法或紫外光刻法；5)以步骤4)中的骨架结构作为骨架，将步骤1)制备得到的光电转换层材料的前驱体溶液通过旋涂法旋涂在骨架结构的表面，形成光电转换层薄膜，至此得到光电转换层结构。
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