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公开(公告)号：CN108910939A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN108530676A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810444891.8
申请日：2018-05-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于模板的三维网状碳材料/高分子功能复合材料及其制备方法。该方法以水分散的炭黑、碳纳米管、氧化石墨烯等碳材料和硼氢化物为原料，以开孔海绵为三维模板，通过浸渍法得到含碳材料/硼氢化物复合物的海绵，干燥后浇注或浸渍不同种类的高分子材料，最终制得相对介电常数大于103的三维网状碳材料/高分子功能复合材料。该材料在介电储能材料、电磁屏蔽、弹性导体、压阻材料和柔性电子器件等领域均有广泛应用，制备方法具有过程简单、成本低、效率高等优点。
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公开(公告)号：CN107612502A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710952644.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池寿命测试装置，包括：用于放置太阳能电池组件的密封腔体、密封压盖，所述密封腔体与密封压盖通过铰链连接；在所述密封压盖上设置有阳光透光片，密封腔体上设置有红外透光片，所述阳光透光片、红外透光片上透过的光均能够照射在太阳能电池组件上；在密封腔体上设置有进气口、出气口、传感器安装固定机构、以及密封型电极引线接头；所述密封腔体、密封压盖构成的腔体内壁为黑色。本发明可以明确太阳能电池器件衰减中的主导因素，明确各个因素之间的协同效应，能为提升电池稳定性提供直接的实验支撑，填补了分因数太阳能电池寿命测试的空白。
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公开(公告)号：CN116390612A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310393823.4
申请日：2023-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可印刷介观钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池具有层状结构骨架，本发明通过向前驱体溶液中添加醇醚，有效提高前驱体溶液的渗透性，进而显著提高太阳能电池的填充因子、短路电流和稳定性，解决现有的钙钛矿前驱体在多孔膜骨架中填充不充分导致光电性能不佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN115036428A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109802041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN111334812B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010148705.3
申请日：2020-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/053 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C14/35 , C23C14/18 , C01B3/04 , C01G49/02 , C23C28/00
Abstract: 本发明基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法，既具有较好的光透过性，又能够有效地保护不稳定的非晶硅光阴极。所述电极，包括依次耦合的导电衬底、具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。本发明利用甚高频等离子体气相沉积设备在透明导电衬底上制备具有p/i/n结构的a‑Si薄膜，然后利用水浴法在薄膜硅电极表面生长厚度可达150nm的水合羟基氧化铁层，该界面层能带结构与薄膜硅匹配较好，然后既具有较好的光透过性，且在光照下可以从硅中快速提取电子到金属催化剂纳米粒子表面进行反应，在不影响薄膜的吸光性的同时，进一步增强光电流，同时减缓电极受光腐蚀的影响，将硅薄膜电极的稳定性明显提升。
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公开(公告)号：CN112510155A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011117881.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以低沸点试剂作为溶剂的全印刷碳基介观钙钛矿太阳能电池的制备方法，以低沸点试剂为溶剂配制钙钛矿前驱体溶液，然后将钙钛矿前驱体溶液填充到介孔层中，在室温条件下得到优质钙钛矿薄膜，制备出碳基介观钙钛矿太阳能电池器件，能够显著提高太阳能电池的填充因子、开路电压和稳定性，且制备工艺方法简单、无需退火、成本低廉，可重复性高，解决现有的钙钛矿材料光电性能不佳的技术问题。
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公开(公告)号：CN112480631A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011359632.9
申请日：2020-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物刷改性的聚碳酸亚丙酯复合膜及其制备方法，该方法包括以下步骤：以纳米SiO2为内核，以聚甲基丙烯酸甲酯外刷制备聚合物刷；先将聚碳酸亚丙酯溶于有机溶剂中，然后加入聚合物刷，混合体系搅拌一定时间后置于聚四氟乙烯模具中，经干燥后得到聚合物刷改性的聚碳酸亚丙酯复合膜。本发明制备的复合膜热学性能和力学性能均有明显提升，且改性填料的分散性较好。
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公开(公告)号：CN111188058B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202010084395.3
申请日：2020-02-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/059 , C25B11/077 , C25B11/081 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种全薄膜硅半导体双电极无偏压光电催化全分解水产氢的体系及其应用，该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述光阳极的结构依次为衬底层、n/i/p结构的单节硅薄膜、氧化物薄膜，所述光阴极的结构依次为衬底层、p/i/n结构的单节硅薄膜、产氢金属纳米颗粒，首例以硅薄膜电极结合催化剂组成全薄膜硅半导体两电极体系，实现了无偏压全分解水效率0.92％，为实现大规模的可持续太阳能制氢提供了希望和策略。
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