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公开(公告)号：CN111334812B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010148705.3
申请日：2020-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/053 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C14/35 , C23C14/18 , C01B3/04 , C01G49/02 , C23C28/00
Abstract: 本发明基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法，既具有较好的光透过性，又能够有效地保护不稳定的非晶硅光阴极。所述电极，包括依次耦合的导电衬底、具有p/i/n结构的a‑Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。本发明利用甚高频等离子体气相沉积设备在透明导电衬底上制备具有p/i/n结构的a‑Si薄膜，然后利用水浴法在薄膜硅电极表面生长厚度可达150nm的水合羟基氧化铁层，该界面层能带结构与薄膜硅匹配较好，然后既具有较好的光透过性，且在光照下可以从硅中快速提取电子到金属催化剂纳米粒子表面进行反应，在不影响薄膜的吸光性的同时，进一步增强光电流，同时减缓电极受光腐蚀的影响，将硅薄膜电极的稳定性明显提升。
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公开(公告)号：CN111188058B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202010084395.3
申请日：2020-02-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/059 , C25B11/077 , C25B11/081 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种全薄膜硅半导体双电极无偏压光电催化全分解水产氢的体系及其应用，该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述光阳极的结构依次为衬底层、n/i/p结构的单节硅薄膜、氧化物薄膜，所述光阴极的结构依次为衬底层、p/i/n结构的单节硅薄膜、产氢金属纳米颗粒，首例以硅薄膜电极结合催化剂组成全薄膜硅半导体两电极体系，实现了无偏压全分解水效率0.92％，为实现大规模的可持续太阳能制氢提供了希望和策略。
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公开(公告)号：CN111334812A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010148705.3
申请日：2020-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/04 , C25B11/06 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C14/35 , C23C14/18 , C01B3/04 , C01G49/02 , C23C28/00
Abstract: 本发明基于水合羟基氧化铁的非晶硅薄膜光电极及其制备方法，既具有较好的光透过性，又能够有效地保护不稳定的非晶硅光阴极。所述电极，包括依次耦合的导电衬底、具有p/i/n结构的a-Si薄膜层、水合羟基氧化铁层和产氢催化剂层。本发明利用甚高频等离子体气相沉积设备在透明导电衬底上制备具有p/i/n结构的a-Si薄膜，然后利用水浴法在薄膜硅电极表面生长厚度可达150nm的水合羟基氧化铁层，该界面层能带结构与薄膜硅匹配较好，然后既具有较好的光透过性，且在光照下可以从硅中快速提取电子到金属催化剂纳米粒子表面进行反应，在不影响薄膜的吸光性的同时，进一步增强光电流，同时减缓电极受光腐蚀的影响，将硅薄膜电极的稳定性明显提升。
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公开(公告)号：CN111188058A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010084395.3
申请日：2020-02-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B11/06 , C25B11/08 , C25B1/04 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种全薄膜硅半导体双电极无偏压光电催化全分解水产氢的体系及其应用，该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述光阳极的结构依次为衬底层、n/i/p结构的单节硅薄膜、氧化物薄膜，所述光阴极的结构依次为衬底层、p/i/n结构的单节硅薄膜、产氢金属纳米颗粒，首例以硅薄膜电极结合催化剂组成全薄膜硅半导体两电极体系，实现了无偏压全分解水效率0.92％，为实现大规模的可持续太阳能制氢提供了希望和策略。
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