公开(公告)号：CN102332468B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201110154131.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 白木聪 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  山本昌弘 ,  山田明 ,  工藤弘康 ,  芦田洋一 ,  中川明夫

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/1203 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/76283 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7394 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种电流传感器、逆变器电路以及具有其的半导体器件。该具有横向半导体元件的半导体器件，包括半导体衬底(1，21)、位于衬底(1，21)上的第一电极(12，29)、位于衬底(1，21)上的第二电极(13，28)以及位于衬底(1，21)中以将衬底(1，21)划分为第一岛和与该第一岛电绝缘的第二岛的隔离结构(1d，21d，56)。横向半导体元件包括位于第一岛中的主单元以及位于第二岛中的感测单元。主单元使第一电流在第一电极(12，29)和第二电极(13，28)之间流动以使得第一电流沿着衬底(1，21)的表面在横向方向上流动。通过检测流经感测单元的第二电流来检测该第一电流。

公开(公告)号：CN102034876A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010503591.6

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 芦田洋一 ,  户仓规仁 ,  高桥茂树 ,  中山喜明 ,  白木聪 ,  千田厚慈

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/407 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体装置，包括：SOI衬底(1)；具有布置在SOI衬底(1)的活性层(3)中的第一和第二杂质层(5，6，71，77，81，88)的半导体元件(5，6，71，77，81，88)，其中第二杂质层(6，71，81)围绕第一杂质层(5，77，88)；和布置在活性层(3)中邻近SOI衬底(1)的嵌入绝缘薄膜(4)的部分中的多个第一和第二导电型区域(10，11)。第一和第二导电型区域(10，11)交替地布置。第一和第二导电型区域(10，11)具有对应于半导体元件(5，6，71，77，81，88)的布局。