公开(公告)号：CN102753725B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180009164.5

申请日：2011-04-08

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  山川和芳

IPC: C23C16/27

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/515 ,  C23C28/046 ,  C23C28/048 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 被覆部件19包括基材4、具有粗面化的表面20a且覆盖基材4的第1中间层20、以及覆盖第1中间层20的表面20a的DLC膜22。第1中间层20和DLC膜22是在使基材4的温度被维持在300℃以下的状态下形成的。第1中间层20的表面20a通过离子碰撞而粗面化。

公开(公告)号：CN102918177B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201180026566.6

申请日：2011-05-12

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  山川和芳 ,  齐藤利幸

IPC: C23C16/27

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C14/022 ,  C23C16/515 ,  C23C18/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/046 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343

Abstract: 本发明涉及一种覆盖部件的制造方法。该覆盖部件的制造方法具备DLC膜形成工序，即，向容纳基材的处理室内导入含有碳系化合物和含氧有机硅系化合物的原料气体，在处理压力100Pa～400Pa的条件下，对基材施加电压，从而使等离子体产生，在基材表面形成DLC膜。作为含氧有机硅系化合物，例如可使用六甲基二硅氧烷。在DLC膜形成工序中，例如对基材施加直流脉冲电压。

公开(公告)号：CN102260859B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110151656.X

申请日：2011-05-30

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  山川和芳

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/515

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C23C16/56

Abstract: 利用以下方式进行制造涂覆构件(20)的方法。首先为类金刚石碳膜沉积工艺，其中通过在储存有基材(4)的处理室(3)中对所述基材(4)施加电压产生等离子体、同时抽空所述处理室(3)并且将包含至少碳化合物的原料气引入所述处理室(3)中，在基材(4)的表面上形成类金刚石碳膜(21)。之后为氢化工艺，其中在持续抽空的同时通过停止施加电压并且引入氢气替代所述原料气，利用氢气氢化所沉积的类金刚石碳膜(21)。

公开(公告)号：CN103671556A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310421419.X

申请日：2013-09-16

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  村田顺司 ,  山川和芳 ,  齐藤利幸

IPC: F16C33/58 ,  F16C33/66

CPC classification number: F16C33/6696 ,  F16C19/06 ,  F16C33/585 ,  F16C33/6648 ,  F16C33/6651

Abstract: 本发明提供一种滚动轴承，其具备内圈、外圈、以及多个滚动体。在内圈轨道面和外圈轨道面中的至少一方的轨道面，分别形成有供液体润滑剂保留的多个内侧凹部、和供固体润滑剂保留的多个外侧凹部，多个内侧凹部配设于轨道面的相对于滚动体的接触区域、或者非接触区域中的靠近接触区域的一侧，多个外侧凹部配设于多个内侧凹部的外侧。

公开(公告)号：CN102443764A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110309453.9

申请日：2011-10-10

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 铃木雅裕 ,  齐藤利幸 ,  山川和芳

IPC: C23C14/06 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/0272 ,  C23C28/04

Abstract: DLC包覆部件(100)包括：基材(200)、覆盖基材(200)的表面的中间层(300)、以及覆盖中间层(300)的表面的DLC膜(400)。中间层(300)具有五层构造，具备：第一中间层(301)、第二中间层(302)、第三中间层(303)、第四中间层(304)、第五中间层(305)。五层的层(301～305)均由添加有Si的DLC构成。在层(301～305)中，第一中间层(301)的Si浓度最高，其次高的是第五中间层(305)的Si浓度。并且，第二、第三以及第四中间层(302、303、304)的Si浓度比第一以及第五中间层(301、305)的Si浓度低。