基板处理方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107255913A

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201710536605.6

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 基板处理装置以使得通过多个描绘单元的各描绘线在基板上描绘出的图案彼此伴随着基板向长度方向的移动而在基板的宽度方向上接合在一起的方式,沿基板的宽度方向配置有多个描绘单元。控制部预先存储有与通过多个描绘单元分别在基板上形成的描绘线的相互的位置关系有关的校准信息,并且基于该校准信息和从移动测量装置输出的移动信息来调整通过多个描绘单元各自的描绘光束在基板上的形成的图案的描绘位置。

    基板处理装置
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102835189B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201180018300.7

    申请日:2011-04-11

    CPC classification number: B65H23/32 B65H2301/517

    Abstract: 基板处理装置,具备:基板供应部,在使形成为带状的基板的短边方向竖立的状态下供应基板;基板处理部,具有搬送部及多个处理部,该搬送部,将从该基板供应部供应的基板在竖立状态下搬送,该多个处理部,是沿着该搬送部的基板的搬送路径配置,对竖立状态的基板的被处理面进行处理;以及基板回收部,将在该基板处理部进行处理后的基板在竖立状态下回收。

    显示器件的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置

    公开(公告)号:CN103499588A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201310364410.X

    申请日:2008-09-26

    Abstract: 本发明提供一种显示器件(50)的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置,可以判定是能够在修理线中修正的缺陷还是必须停止生产线的缺陷。显示器件的缺陷检测方法具备:对显示器件的每个局部区域计测特征量(P32),基于计测出的区域的特征量计数判定为缺陷区域的区域的缺陷计数步骤(P36);在缺陷计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下,停止显示器件的生产线的步骤(P38、P42);在缺陷计数步骤中缺陷数小于第一阈值的情况下,计算给定面积内的缺陷密度的缺陷密度计算步骤(P38);在缺陷密度计算步骤中缺陷密度大于第二阈值的情况下,停止显示器件的生产线的步骤(P40、P42)。

    图案形成方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102782580A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201180010819.0

    申请日:2011-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种图案形成方法,其能够促进硅烷偶联剂的分解反应,缩短作业时间。本发明包括:在基板(1)上配置由通式(1)表示的硅烷偶联剂(2),针对硅烷偶联剂(2)使光催化剂(3)存在的工序,和对硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)照射包含硅烷偶联剂(2)和光催化剂(3)的吸收波长的光的光L的工序。(下述式中,R1表示因光照射而发生脱离的光反应性保护基团,R2表示由于R1的脱离而产生具有与R1不同的亲疏液性的官能团的有机基团,X1表示烷氧基或卤素原子,X2、X3表示选自氢原子、烷基、烯基、烷氧基、卤素原子中的取代基。X1、X2、X3可以相同也可以不同。)R1-R2-SiX1X2X3 …(1)

    曝光方法及装置、以及元件制造方法

    公开(公告)号:CN101918897B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200880111596.5

    申请日:2008-11-17

    Inventor: 奈良圭

    CPC classification number: G03F7/70791 G03F7/70275

    Abstract: 基板(PT)的曝光方法,包含:图案配置步骤,对分别具有放大倍率、并排的复数个投影光学系统(PL1至PL4),配置于既定方向具有大于将该投影光学系统的曝光宽度除以该放大倍率所得的宽度、小于该投影光学系统的配置间隔的区域宽度的图案区域(A1至A4);以及曝光步骤,将以该投影光学系统形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上,该第1图案设在各该图案区域的第1部分图案区域(A11至A41),该第2图案则设在相对该第1部分图案区域、至少部分区域在该图案区域内于该既定方向相异的第2部分图案区域(A12至A42)。如此,能抑制图案投影像的接合误差的产生,提升图案全体的投影像的转印精度。

    曝光方法及装置、以及元件制造方法

    公开(公告)号:CN101918897A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200880111596.5

    申请日:2008-11-17

    Inventor: 奈良圭

    CPC classification number: G03F7/70791 G03F7/70275

    Abstract: 基板(PT)的曝光方法,包含:图案配置步骤,对分别具有放大倍率、并排的复数个投影光学系统(PL1至PL4),配置于既定方向具有大于将该投影光学系统的曝光宽度除以该放大倍率所得的宽度、小于该投影光学系统的配置间隔的区域宽度的图案区域(A1至A4);以及曝光步骤,将以该投影光学系统形成的第1图案的投影像、以及第2图案的投影像依序转印至基板上,该第1图案设在各该图案区域的第1部分图案区域(A11至A41),该第2图案则设在相对该第1部分图案区域、至少部分区域在该图案区域内于该既定方向相异的第2部分图案区域(A12至A42)。如此,能抑制图案投影像的接合误差的产生,提升图案全体的投影像的转印精度。

    显示器件的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置

    公开(公告)号:CN101861516A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN200880110250.3

    申请日:2008-09-26

    Abstract: 本发明提供一种显示器件(50)的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置,可以判定是能够在修理线中修正的缺陷还是必须停止生产线的缺陷。显示器件的缺陷检测方法具备:对显示器件的每个局部区域计测特征量(P32),基于计测出的区域的特征量计数判定为缺陷区域的区域的缺陷计数步骤(P36);在缺陷计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下,停止显示器件的生产线的步骤(P38、P42);在缺陷计数步骤中缺陷数小于第一阈值的情况下,计算给定面积内的缺陷密度的缺陷密度计算步骤(P38);在缺陷密度计算步骤中缺陷密度大于第二阈值的情况下,停止显示器件的生产线的步骤(P40、P42)。

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