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公开(公告)号：CN112510053A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011132943.1
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN110265482A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910354858.0
申请日：2014-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/77
Abstract: 本发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。
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公开(公告)号：CN103681655B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310390927.6
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , H01L27/0629 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。
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公开(公告)号：CN105874524A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480066001.4
申请日：2014-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 本发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。
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