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公开(公告)号：CN116565296A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310769198.9
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/36
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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公开(公告)号：CN116454360A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310122746.9
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/131
Abstract: 本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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公开(公告)号：CN116387602A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310146825.3
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/131 , H01M10/0566
Abstract: 本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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公开(公告)号：CN115966677A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310016250.3
申请日：2017-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种锂离子二次电池的正极活性物质，其使用了钴酸锂。所述正极活性物质包括：第一区域，具有层状岩盐型结晶结构，包含钴和铝；以及第二区域，具有岩盐型结晶结构，覆盖所述第一区域的至少一部分，包含镁，所述钴和铝中的至少一种横跨所述第一区域以及所述第二区域具有浓度梯度，所述第二区域的厚度为0.5nm以上50nm以下。
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公开(公告)号：CN109792049B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201780060660.0
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115188931A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210231207.4
申请日：2017-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
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公开(公告)号：CN112259720A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011139850.1
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN112201778A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011084869.0
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN110993940A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911291754.6
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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公开(公告)号：CN110890522A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911291429.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/131 , H01M4/1315 , H01M4/1391 , H01M4/13915 , H01M4/62
Abstract: 提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表面设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和外表部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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