半导体器件
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102446488B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201110283679.6

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    半导体器件
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102446488A

    公开(公告)日:2012-05-09

    申请号:CN201110283679.6

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    半导体器件
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102419961A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110283660.1

    申请日:2002-04-26

    CPC classification number: H01L29/786 H03K19/01714 H03K19/01721

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,仅仅用一种导电类型的TFT构成一个电路,从而减少制造步骤,并且能正常获得一个输出信号的电压振幅。在连接到输出节点的一个TFT(203)的栅极和源极之间形成一个电容(205),并且由TFT(201)和(202)构成的电路具有使节点α进入浮动状态的功能。当节点α处在浮动状态时,通过电容(205)使节点α的电位高于采用TFT(203)的栅极-源极电容耦合获得的VDD,这样就能获得振幅为VDD-GND的输出信号,不会因TFT的门限值造成振幅衰减。

    发光装置
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100585684C

    公开(公告)日:2010-01-27

    申请号:CN200710154289.2

    申请日:2002-07-16

    Abstract: 本发明涉及一种发光装置。具有其中低电压驱动有可能的结构的像素通过简单的工艺提供。从源信号线输入的数字图像信号通过开关TFT输入到像素。在这一点,电压补偿电路放大数字图像信号的电压振幅和变换该振幅,并将结果施加给驱动器TFT的栅电极。这样,即使用于驱动栅信号线的电源电压变得较低,像素内TFT的开-关控制也可正常地进行。

    电平移动器
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100344062C

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:CN200510008066.6

    申请日:2001-03-14

    Inventor: 浅见宗广

    Abstract: 一种紧凑的电平移动器,它具有低功耗和快速的操作,能够容易地进行大差值的电压电平的电平转换。电压调整电路(10a)、p沟道MOS场效应晶体管(PMOST)(103)和n-沟道场效应晶体管(NMOST)(105)串联在两个电源之间。电压调整电路(10b)、PMOST(102)、PMOST(104)和NMOST(106)串联在两个电源之间。在电平转换工作的过渡周期穿透电流流动期间,上述电压调整电路有效地减小电源电压,从而使大差值电压电平的电平转换能够容易地进行。

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