公开(公告)号：CN1974373A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163096.9

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山口真弓 ,  泉小波 ,  白石康次郎

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00682 ,  B81B2203/0118

Abstract: 微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明的目的在于提供提高结构层的剪切应力的微结构、其制造方法、以及微电子机械系统。本发明包括以下步骤：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成金属膜；对于金属膜照射激光；减少或除去金属膜的针形结晶；对所述金属膜进行蚀刻加工成规定的形状来形成金属层；其后除去牺牲层。通过以上操作，可以提供微结构的可移动部分的耐破断性高且可靠性高的微电子机械系统。

公开(公告)号：CN1962409A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146343.4

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 立石文则 ,  泉小波 ,  山口真弓

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476

Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目，并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后，通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状，可以形成大小不同的牺牲层。

公开(公告)号：CN1911779A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610153433.6

申请日：2006-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 泉小波 ,  山口真弓

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81C2203/0735 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1277

Abstract: 微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明的目的是提供一种微机器的制造方法，其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔，该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上，使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此，可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。