-
公开(公告)号:CN118119255A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202311599761.9
申请日:2023-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K85/60 , H10K85/40 , H10K50/11 , C07D209/86 , C07F7/08
Abstract: 提供一种效率高且可靠性高的发光器件。另外,提供一种有机化合物。本发明是一种发光器件,该发光器件在一对电极间包括有机化合物层,所述有机化合物层包括发光层,所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物及发光物质,所述第一有机化合物包含氘,在所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的混合膜的PL测量中,在室温下观测到激基复合物的光谱,在4K以上且80K以下的温度范围内的任一温度下观测不到激基复合物的光谱。
-
公开(公告)号:CN117946176A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202311354621.5
申请日:2023-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖有机金属配合物及发光器件。提供一种由通式(G2)表示的有机金属配合物。在通式(G2)中,R1至R6、R8至R22及R31至R34分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基且R31至R34中的至少一个表示碳原子数为1至10的烷基或者取代或未取代的碳原子数为6至18的芳基,并且n为1至4的整数。#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN117320469A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202310777826.8
申请日:2023-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种寿命长的绿色磷光发光器件。发光器件包括第一电极、第二电极以及发光层,所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间,所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光发光物质,所述第一有机化合物包含杂芳环骨架及芳烃基,所述第二有机化合物具有联咔唑骨架,所述第一有机化合物的最低三重激发能级只来源于所述芳烃基,所述第二有机化合物的最低三重激发能级的能量为2.20eV以上且2.65eV以下。
-
公开(公告)号:CN117016047A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202280014454.7
申请日:2022-02-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件,在第一电极上隔着EL层包括第二电极,其中,EL层至少包括发光层、第一电子传输层、第二电子传输层以及电子注入层,在发光层上包括第一电子传输层,在第一电子传输层上包括第二电子传输层,以与发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层,在第二电子传输层上包括电子注入层,绝缘层位于发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面与电子注入层之间,并且,第二电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
-
公开(公告)号:CN116981325A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310429642.2
申请日:2023-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 抑制发光器件的高电压化,该发光器件包括与有机化合物层接触地形成氧化铝膜的工序。提供一种有机EL器件的制造方法。在第一电极上形成有机化合物膜,在有机化合物膜上形成包含对水或以水为溶剂的药液的溶解度低的有机化合物的有机掩模膜,在有机掩模膜上形成无机掩模层,通过利用无机掩模层加工有机掩模膜及有机化合物膜的形状来形成有机掩模层及有机化合物层,使用水或以水为溶剂的液体来去除无机掩模层及有机掩模层的至少一部分。
-
公开(公告)号:CN116969975A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310427901.8
申请日:2023-04-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D519/00 , H10K50/10 , H10K85/60
Abstract: 提供一种能够提供特性良好的半导体器件的电子注入性有机化合物及使用它的发光器件。提供一种由下述通式(G1)表示的有机化合物及使用它的发光器件。注意,在下述通式(G1)中,R1至R8分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6至30的芳烃基、取代或未取代的碳原子数为2至30的杂芳烃基和由下述结构式(R‑1)表示的基中的任意个。注意,所述R1至R8中的至少两个表示氢以外的基,并且其中的一个以上且四个以下表示由下述结构式(R‑1)表示的基。#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN116848123A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202280010988.2
申请日:2022-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D491/22
Abstract: 提供一种新颖有机化合物。也就是说,提供一种在提高元件特性上有效的新颖有机化合物。一种由下述通式(G1)表示的有机化合物。#imgabs0#在上述通式(G1)中,A1至A4中的至少一个或两个表示氮,其余的表示碳。另外,A5至A8中的至少一个或两个表示氮,其余的表示碳。另外,B1及B2分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者氰基。另外,Htuni1及Htuni2分别独立地表示具有空穴传输性的骨架。
-
公开(公告)号:CN116830803A
公开(公告)日:2023-09-29
申请号:CN202280013409.X
申请日:2022-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种制造工艺中的耐热性高的发光器件。提供一种发光器件,在第一电极上隔着第一EL层包括第二电极,其中,第一EL层至少包括第一发光层,在第一EL层上包括第二EL层,第二EL层至少包括第二发光层、第一电子传输层、第二电子传输层以及电子注入层,在第二发光层上包括第一电子传输层,在第一电子传输层上包括第二电子传输层,以与第一发光层的侧面、第二发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面接触的方式包括绝缘层,在第二电子传输层上包括电子注入层,绝缘层位于第一发光层的侧面、第二发光层的侧面、第一电子传输层的侧面及第二电子传输层的侧面与电子注入层之间,并且,第二电子传输层包含具有至少一个杂芳环的杂芳族化合物以及与杂芳族化合物不同的有机化合物。
-
公开(公告)号:CN115148919A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210329977.2
申请日:2022-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种耐热性得到提高的新颖的发光器件用混合材料。发光器件用混合材料包括第一杂芳族化合物及第二杂芳族化合物,第一杂芳族化合物具有第一杂芳环,第一杂芳环包括具有两个以上的氮原子以及苯环和吡啶环中的任一个的环或者具有二嗪环或三嗪环的环,第二杂芳族化合物具有第二杂芳环,第二杂芳环包括具有两个以上的氮原子以及苯环和吡啶环中的任一个的环或者具有二嗪环或三嗪环的环,第一杂芳环及第二杂芳环的结构彼此不同。
-
-
-
-
-
-
-
-