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公开(公告)号：CN113763993A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN113129932A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010950143.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100541852C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610143645.6
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L43/08 , H03B15/00 , H01F10/32 , G01R33/09 , G11B5/39 , G01D5/16 , H04B5/00 , B60R11/00 , G01S7/00
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101510754A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910004488.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03B15/006 , B82Y25/00 , G01S7/006 , G01S7/35 , G01S13/345 , G01S2013/936 , H01F10/3259 , H01F10/329 , Y10T428/24942
Abstract: 高频振荡器包括高频振荡元件，该高频振荡元件具有其磁化方向基本被固定在一个方向的磁化被固定层；由磁性材料形成的在提供电流时产生高频振荡现象的振荡层；设置在磁化被固定层和振荡层之间，具有绝缘层和在厚度方向穿越绝缘层的电流通路的中间层；和一对垂直于包括磁化被固定层、中间层和振荡层的层叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN101330125A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810087954.5
申请日：2008-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3932 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种力求降低自旋注入噪声(STIN)的磁阻效应元件、磁头、以及磁读取装置。该磁阻效应元件构成为包括：具有磁化自由层、磁化固定层、以及配置于所述磁化自由层和所述磁化固定层之间的中间层的磁阻效应膜；配置于所述磁阻效应膜的所述磁化固定层上的磁耦合层；配置于所述磁耦合层上的铁磁性层；配置于所述铁磁性层上的反铁磁性层；对于所述磁化自由层加上其方向与所述磁阻效应膜的膜面大致平行且与所述磁化固定层的磁化方向大致垂直的偏置磁场的磁畴控制膜；以及使从所述磁化自由层至所述磁化固定层的方向的电流通过所述磁阻效应膜用的一对电极，不对称度为正，所述电流流动方向的元件电阻RA小于等于1.5Ωμm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446086C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510099817.X
申请日：2005-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3903
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括至少三个金属磁性层；提供在至少三个金属磁性层之间的至少两个连接层，每个连接层都具有绝缘层以及包括穿透绝缘层的金属磁性材料的电流受限通路；和垂直于金属磁性层和连接层的堆叠薄膜的平面提供电流的电极。
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公开(公告)号：CN100380448C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200310122542.8
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。
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公开(公告)号：CN1801332A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN1746980A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091449.4
申请日：2005-08-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/12 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , Y10T428/115
Abstract: 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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公开(公告)号：CN1590580A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410071615.X
申请日：1997-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/3414 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F41/183 , H01F41/302 , H01L43/12 , Y10S428/90 , Y10T428/1121 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
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