公开(公告)号：CN1620212A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410088649.X

申请日：2004-11-10

Applicant: 城户淳二 ,  爱美思公司

Inventor： 松本敏男 ,  横井启 ,  仲田壮志 ,  川村宪忠 ,  城户淳二

IPC: H05B33/20 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/424 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0079 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5068 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5278 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种有机器件，具有包括电子传输部分和空穴传输部分的堆迭的一空穴电流－电子电流转换层。电子传输部分包括由还原低功函金属与受电子有机化合物发生氧化－还原反应形成的电荷传输络合物，所述还原金属是由包含至少一种低功函金属离子的有机金属络合物或无机化合物与能够将该有机金属络合物或无机化合物中金属离子在真空中还原为相应金属状态的热还原金属，通过接触引起的热还原反应产生的，以及该受电子化合物处于游离阴离子状态。空穴传输部分包括具有供电子特性的有机化合物和能够与所述有机化合物发生氧化反应形成电荷传输络合物的无机物或有机物，所述有机化合物和无机物或有机物相接触，以及供电子有机化合物处于游离阳离子状态。

公开(公告)号：CN1447629A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107538.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 城户淳二 ,  爱美思公司

Inventor： 城户淳二 ,  林毅

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L51/5278 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07C2603/18 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1003 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1014 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  Y10T428/24942

Abstract: 一种有机电致发光元件包括在阴极和与阴极相对的阳极之间提供的至少两个发光单元，每个该发光单元包括至少一个发光层。发光单元彼此由至少一个电荷产生层分隔，电荷产生层是电阻率不小于1.0×102Ωcm的电绝缘层。

公开(公告)号：CN1386895A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02106168.8

申请日：2002-04-08

Applicant: 城户淳二 ,  爱美思公司

Inventor： 城户淳二 ,  横井啓 ,  门仓贞夫

IPC: C23C14/35 ,  H05B33/06

CPC classification number: C23C14/352 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5203

Abstract: 本发明涉及一种在由有机化合物形成的有机功能层上形成薄膜层如金属膜或透明导电膜的方法,该方法利用在低放电电压和低气压下进行的而不会对有机层表面产生任何损坏的溅射方法。利用对靶型溅射装置形成薄膜层,该装置包括一对彼此间以预定距离设置的对靶;在每个靶周围设置的电子反射电极;在每个靶的侧边设置的磁场产生设备。该磁场产生设备产生了从一个靶向另一个靶延伸的磁场以环绕在对靶间提供的局限空间,以及在靶的围缘部分的附近有一部分平行于每个靶表面的磁场。当向该装置提供含有DC成分和高频成分的AC－DC电源作为溅射电源时,薄膜层可在低放电电压和低气压下形成。

公开(公告)号：CN1302149C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02821221.5

申请日：2002-10-28

Applicant: 松下电工株式会社 ,  托竭株式会社

Inventor： 城户淳二 ,  西森泰铺 ,  岸泰生 ,  近藤行广 ,  中川照雄 ,  柳雄二 ,  松本荣一 ,  牧修治

IPC: C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/044 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243

Abstract: 本发明公开的真空蒸镀装置是在真空室(1)内放置着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)，同时用被加热到蒸发源物质气化温度的筒状体(4)包围着蒸发源(2)和被蒸镀体(3)之间的空间，从蒸发源(2)气化的物质通过筒状体4内到达被蒸镀体(3)的表面，从而进行了蒸镀，在这样的真空蒸镀装置中，在筒状体中装有控制件(8)，控制引导上述气化物质在筒状体(4)内向着被蒸镀体(3)移动。由此，能够控制气化物质在被蒸镀体上附着的分布，能够以均匀的膜厚在被蒸镀体上进行蒸镀，同时根据不同情况，能够按照操作者的意图以设定的膜厚分布进行蒸镀。