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公开(公告)号：CN112520789B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011593272.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法，虽然现有技术能够制备氧化钼薄膜，但是易于转移、大面积连续致密、纳米或分子层厚度级别的三氧化钼薄膜的制备仍是有研究和应用价值的。本发明通过硫化钼在氧化气氛中氧化形成氧化钼，然后氧化钼高温下升华，升华后的氧化钼在熔融态钠盐表面结晶生长，获得氧化钼纳米薄膜。本发明在熔融盐液体表面生长三氧化钼薄膜，制备的薄膜厚度薄，厚度为单分子层至数十个纳米厚度，薄膜连续，柔韧性好，可弯曲，适用于柔性应用领域。
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公开(公告)号：CN114284384A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111617503.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法，本发明首先在铜箔片表面生长磷化亚铜，然后，在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜；最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化锌构成的光电器件，制作方法简单，器件性能重复性高，制备器件所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光探测性能较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114150291A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111490272.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)为基底，采用采用化学气相沉积法(CVD)在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。
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公开(公告)号：CN112850669A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110122727.7
申请日：2021-01-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B25/08 , B82Y30/00 , B01J27/185 , B01J35/02
Abstract: 本发明公开了一种钯铜磷化物异质二聚体材料的制备方法，本发明采用红磷、氯化钯作为磷化钯、磷化亚铜异质二聚体的前驱物，在硅基底上通过气固反应，制备磷化钯‑磷化亚铜异质二聚体材料。制备的材料可用于光催化领域。本发明将双金属高温下磷化在硅基片表面制备成双金属磷化物纳米晶体，该材料存在磷化钯和磷化亚铜的晶界，能够增强磷化物的光催化性能。
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公开(公告)号：CN112838138A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011632158.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L41/08
Abstract: 本发明公开了一种柔性触敏元件及制备方法，本发明在两金属电极之间填充由掺杂GaInAsSb和PDMS形成的复合材料；本发明触摸情况下，复合材料电阻发生变化，实现对触摸行为的感知，可用于柔性电子皮肤领域。掺杂GaInAsSb是窄禁带半导体材料，可实现人体发射红外光的探测。PDMS为带孔隙能够透气透湿的柔性有机硅材料。掺杂GaInAsSb粉末分散于PDMS中形成的复合材料，具有柔性的特点。在人体外压情况下，掺杂GaInAsSb粉末的接触程度发生变化引起复合材料阻值的变换，同时外压处人体辐射的红外光激发掺杂GaInAsSb产生光电导效应，引起复合材料的电阻的改变，由此，复合材料完成对触摸的感知。
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公开(公告)号：CN112701189A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011593312.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0392 , C23C14/06 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种光探测器及制备方法，探测器包括WSe2薄膜材料、ZnTe薄膜材料、n‑Si基底和金属电极；所述的n‑Si基底上生长WSe2薄膜，WSe2薄膜上生长ZnTe薄膜，n‑Si基底、ZnTe薄膜表面分别生长金属电极。本发明制备的光探测器，以n型硅为基底，与集成电路工艺兼容；具有厚度薄、光响应快、可探测黄绿光到近红外波段光的优点。
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公开(公告)号：CN112520789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011593272.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法，虽然现有技术能够制备氧化钼薄膜，但是易于转移、大面积连续致密、纳米或分子层厚度级别的三氧化钼薄膜的制备仍是有研究和应用价值的。本发明通过硫化钼在氧化气氛中氧化形成氧化钼，然后氧化钼高温下升华，升华后的氧化钼在熔融态钠盐表面结晶生长，获得氧化钼纳米薄膜。本发明在熔融盐液体表面生长三氧化钼薄膜，制备的薄膜厚度薄，厚度为单分子层至数十个纳米厚度，薄膜连续，柔韧性好，可弯曲，适用于柔性应用领域。
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