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公开(公告)号：CN112852923B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110146584.3
申请日：2021-02-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C12Q1/682 , C12Q1/6837
Abstract: 本发明属于信号放大技术领域，具体涉及一种基于DNA生物传感器的二级放大方法，包括以下步骤：S1、将传感器表面依次用无水乙醇、去离子水冲洗并干燥，并进行氧等离子体处理，以实现对芯片表面硅烷化处理，形成末端氨基；S2、将探针DNA修饰到硅纳米线芯片上，以制得DNA生物传感器；S3、将ctDNA溶液滴加至DNA生物传感器表面进行杂交；S4、制得表面修饰有信号DNA的金纳米颗粒；S5、将金纳米颗粒加入到硅纳米线芯片上，以实现一级放大；S6、加入RCA引物和模板DNA，添加RCA缓冲液，以使金纳米颗粒上的引物DNA滚环扩增，以实现二级放大；本发明的DNA生物传感器能够用于信号二次放大，进一步提高传感器的检测限和灵敏度。
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公开(公告)号：CN116121737A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310063032.5
申请日：2023-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C18/12 , C23C18/04 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23F1/18 , C23F1/28 , C23F1/30
Abstract: 本发明涉及一种基于复合衬底的过渡金属硫族化合物制备转移方法，属于二维材料制备及转移技术领域，该方法首先在初始基底上沉积得到一层均匀的金属层，形成复合基底；然后使用热分解法在复合基底上生长二维过渡金属硫族化合物；然后在二维过渡金属硫族化合物上表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；然后使用氯化铁溶液刻蚀金属层，使二维过渡金属硫族化合物与初始基底分离，并将二维过渡金属硫族化合物转移到目标基底上；最后使用丙酮去除聚甲基丙烯酸甲酯。该方法在初始基底上沉积金属层，金属层具有良好的亲水性与热稳定性，有利于热分解法的旋涂及高温分解；后续采用氯化铁溶液刻蚀金属层，不再使用碱溶液进行刻蚀，避免了TMDs薄膜受强碱腐蚀影响。
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公开(公告)号：CN116035547A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063162.9
申请日：2023-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: A61B5/024
Abstract: 本发明涉及一种基于微结构压电薄膜的柔性压力传感器及制备方法，属于压力传感器领域，该柔性压力传感器从下至上包括紧密贴合的下层柔性基底、力敏结构层和上层柔性封装层；所述的力敏结构层从下至上包括下层电极层、压电薄膜层和上层电极层，压电薄膜层上表面设有微结构，其制备方法包括：制备聚合物溶液；将其旋涂于微结构模具上形成具有微结构的压电薄膜层；在压电薄膜层上、下表面打印上层电极层和下层电极层；对压电薄膜层进行极化处理；封装上层柔性封装层和下层柔性基底。本发明在压电薄膜层上设置微结构，在同样大小的外部作用力下，压电薄膜层能产生更大的形变，从而产生更大的电能，更容易捕捉到跳动微弱的脉搏信号。
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公开(公告)号：CN112577642B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202011421329.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明公开了一种精准定位受力、灵敏度可调的柔性触觉传感器。本发明包括PDMS柔性衬底、石墨烯电极、PDMS微结构介电层。结构上分为上中下层，上层是PDMS与图案化石墨烯电极混合层，中层是由浇筑于微结构硅模具中成型的PDMS微结构介电层，下层的结构、材料与上层相同，空间上是由上层翻转后水平面旋转90°。本发明主要采用PDMS材料和石墨烯材料构成，在衬底与电介质材料上统一选用PDMS材料可最大程度上保证传感器的柔性弯曲与拉伸特性，可安装在具有不同弧度的机械手上，又基于其可实现精准受力定位的特点，可安装在鞋垫等通过受力区域捕捉、分析人体生理信号的位置。
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公开(公告)号：CN113174583B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110282034.4
申请日：2021-03-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及开口石英舟及大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备方法，开口石英舟一端设有开口，大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜的制备的步骤包括：1)将前驱体粉末放置于开口石英舟A内设有开口的一端；2)将硫源或硒源放置于开口石英舟B内；3)将浸泡过催化剂溶液的基底倒扣在开口石英舟A中前驱体粉末的上方；4)将开口石英舟A、开口石英舟B分别置于管式炉的主炉加热区和预热加热区，开口石英舟A和开口石英舟B的开口一端相对；依次进行前驱体加热、硫源或硒源加热；6)生成二维过渡金属硫族化合物并沉积在基底表面。本发明在制备二维过渡金属硫化合物薄膜时，避免形成湍流，有助于获取大面积连续二维过渡金属硫化合物薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114323396B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114801492A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210424118.1
申请日：2022-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于喷墨打印机喷头技术领域，具体涉及一种双驱动高速无卫星墨滴的喷墨打印机喷头及其加工方法，喷墨打印机喷头具有进液通道、进液储液池和N个喷墨储液池，进液通道与进液储液池连通，进液储液池分别通过N条限流通道与N个喷墨储液池一一对应连通构成N条喷液通路，各喷墨储液池分别设有喷嘴；其中，N为正整数；各限流通道分别设有限流柱，所述喷墨打印机喷头之外对应于各限流柱分别设有热泡式驱动件，对应于各喷墨储液池的喷嘴分别设有第二驱动件以截断喷嘴喷出墨滴。本发明采用双驱动件推挤墨滴，可以避免卫星墨滴的产生，同时可以提高墨滴的速度，提高喷墨打印精度。
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公开(公告)号：CN114771102A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210423701.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种压电式喷墨打印机喷头及其制备方法，压电式喷墨打印机喷头，包括相互键合的玻璃基片和硅基片，玻璃基片与硅基片之间构成喷液通路，喷液通路包括沿进液流向依次分布的进液通道、进液储液池、限流通道、喷液储液池和喷嘴，喷液储液池的背面为振动面，振动面之外设有压电层，压电层与驱动电路连接，用于驱动振动面振动；所述喷嘴两侧分别设有切割驱动件，通过延时电路控制切割驱动件驱动喷嘴的两侧以切割喷嘴处的墨滴速度达到最大值的墨滴。本发明利用延时电路和切割驱动件，在喷嘴处挤出墨滴速度达到最大值时将墨滴切割，得到最大速度的墨滴，避免喷墨过程中长尾柱的形成，使得墨滴不会在喷出过程中发生破碎形成卫星液滴。
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公开(公告)号：CN114323396A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114323395A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
Abstract: 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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