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公开(公告)号：CN110820042B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201910698737.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明涉及遮蔽构件和单晶生长装置。本发明的遮蔽构件配置在单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备在内底部收纳原料的原料收纳部以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华，在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件被配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，所述多个遮蔽板各自的面积为所述晶体生长用容器的底面积的40％以下，将所述多个遮蔽板投影到所述原料收纳部中填充有原料时的原料表面位置的内切圆上而得到的遮蔽率为0.5以上。
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公开(公告)号：CN110468454B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201910369851.6
申请日：2019-05-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置，所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部，所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方，且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板，所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的，所述遮蔽构件由至少1个结构体构成，所述结构体具有非平板形状，所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时，所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。
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公开(公告)号：CN109957838B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811486783.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
IPC: C30B29/36 , C30B23/02 , C30B31/06 , G01N23/207
Abstract: 本公开涉及SiC锭(I)的制造方法。包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的弯曲方向，求出所述原子排列面(2)的形状；以及晶体生长工序，以所述SiC单晶(1)作为籽晶进行晶体生长，在所述测定工序中测定出的所述原子排列面(2)的形状是所述原子排列面(2)的弯曲方向在所述第一方向和所述第二方向上不同的鞍形的情况下，设定所述晶体生长工序中的晶体生长条件，以使得晶体生长结束时的第二生长面的凸面度比所述籽晶的中心处的晶体生长量为7mm的时间点下的第一生长面的凸面度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110050091B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201780075628.X
申请日：2017-12-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin‑Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。
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公开(公告)号：CN109957839B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811532230.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本公开涉及SiC单晶的加工方法及SiC锭的制造方法。该SiC单晶(1)的加工方法包括：测定工序，至少沿着通过俯视中央的第1方向和与所述第1方向正交的第2方向来测定SiC单晶(1)的原子排列面(2)的形状；及表面加工工序，对所述SiC单晶(1)的成为贴附面的第1面进行加工，所述表面加工工序具有对所述第1面进行磨削的磨削工序，在所述磨削工序中，使所述第1面和与所述第1面相对的第2面的表面状态具有差异，通过泰曼效应使所述原子排列面(2)平坦化。
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公开(公告)号：CN110878422A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910772738.2
申请日：2019-08-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 藤川阳平
Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制升华的原料气体在原料表面再结晶化、并抑制进行晶体生长的单晶内发生异种多形的单晶生长用坩埚和单晶生长方法。该单晶生长用坩埚具备用于收纳原料的内底部、与所述内底部相对的晶体设置部、以及在从所述晶体设置部俯视时至少覆盖所述内底部所收纳的所述原料的表面的中央区域的防析出构件，所述防析出构件至少在所述晶体设置部侧的表面包含金属碳化物，从所述晶体设置部俯视时，所述中央区域是与所述原料的表面的位置的截面形状相似、且从中心起算为所述截面的截面积的20面积％的区域。
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