公开(公告)号：CN105190793B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480017376.1

申请日：2014-03-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 西内武司 ,  国吉太 ,  石井伦太郎 ,  川田常宏

IPC: H01F1/08 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F1/0557 ,  B22F7/008 ,  C22C38/00 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577 ,  H01F7/02

Abstract: 为了解决B浓度降低所导致的Br大幅降低、以及HcJ不能充分满足近年来的要求的问题，本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R‑T‑B系烧结磁体。该R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，在R‑T‑B系烧结磁体中存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。

公开(公告)号：CN105074837A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480017399.2

申请日：2014-03-27

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 国吉太 ,  石井伦太郎 ,  西内武司 ,  川田常宏

IPC: H01F1/08 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  B22F9/04 ,  C22C33/02

CPC classification number: H01F1/0577 ,  C22C33/02 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/086

Abstract: 本发明提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，其中，R：29.0质量％以上且31.5质量％以下；B：0.86质量％以上且0.90质量％以下；Ga：0.4质量％以上且0.6质量％以下；Al：0.5质量％以下(包含0质量％)；余量由T和不可避免的杂质构成。