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公开(公告)号：CN103477395A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201180070033.8
申请日：2011-04-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/20 , H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , H01L21/76898 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷的铜合金粒子、含有锡的粒子、玻璃粒子、溶剂、以及树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109641744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052353.8
申请日：2017-08-25
Applicant: 日立化成株式会社 , 国立大学法人北海道大学
Abstract: 一种氢气的制造方法，其具备对浸渍在水中的金属材料的表面照射光、从而生成含有氢的气体的光照射工序，金属材料含有铁，光的光谱中，强度最大的波长为360nm以上且小于620nm，伴随气体的生成，在所述表面上形成铁氧化物以及铁氢氧化物中的至少任一种。
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公开(公告)号：CN105047545B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201510323373.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/225 , H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN104488087B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201380037776.4
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN105551947A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510917152.2
申请日：2012-07-03
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00
CPC classification number: H01L21/2225 , C03C3/097 , C03C8/08 , C03C8/16 , C03C15/00 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105139917A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510350967.7
申请日：2011-04-28
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22 , H01L21/76898 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 本发明提供一种电极用糊剂组合物，其包含含有磷的铜合金粒子、含有锡的粒子、玻璃粒子、溶剂、以及树脂。另外，本发明还提供具有使用该电极用糊剂组合物而形成的电极的太阳能电池元件以及太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104733546A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310704705.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/048
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池以及含有所述太阳能电池的太阳能电池模块，所述太阳能电池，其具备布线连接部，所述布线连接部依次层叠有具有pn结的半导体基板、导电层以及布线构件，所述导电层具有包含金属部和玻璃部的电极部、以及树脂部，所述布线连接部中，所述导电层含有：所述电极部与所述布线构件接触的部分、和所述树脂部与所述布线构件接触的部分。
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公开(公告)号：CN104508830A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038106.4
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其包含通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物、和选自由脂肪酸酰胺、聚亚烷基二醇化合物及有机填料组成的组中的至少1种。M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN104488070A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380037755.2
申请日：2013-07-19
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/316 , C09K3/00 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02167 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR1)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。
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公开(公告)号：CN104471715A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036883.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , H01L31/1804
Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
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