-
公开(公告)号:CN100508407C
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN02813226.2
申请日:2002-06-24
Inventor: 宫城弘
Abstract: 本发明的目的在于提供一种接收机,当使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上一体形成时,可以降低所产生的低频噪声。构成FM接收机的高频放大电路(11)、混频电路(12)、本机振荡器(13)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)、限幅电路(17)、FM检波电路(18)和立体声解调电路(19)作为单芯片元件(10)形成。该单芯片元件(10)使用CMOS工艺或MOS工艺在半导体衬底上形成,使用p沟道FET形成混频电路(12)、中频滤波器(14、16)、中频放大器(15)和本机振荡器(13)所包含的放大元件。
-
公开(公告)号:CN100490306C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN01821352.9
申请日:2001-12-27
IPC: H03F1/26
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/1935 , H03F2200/324 , H03F2200/372 , H03F2200/541
Abstract: 一种AM广播用放大电路,是用场效应晶体管对所输入的AM广播信号进行放大并输出的AM广播用放大电路,以闪变噪声较小的P沟道MOS半导体场效应晶体管(4、5)构成该信号放大用场效应晶体管,以实现不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生,还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上,从而实现整体电路的小型化与低噪声化。
-
公开(公告)号:CN101431343A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200810170496.1
申请日:2008-11-04
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: H04B1/28 , H04B1/0039 , H04L27/0014 , H04L2027/0028 , H04L2027/003 , H04L2027/0055
Abstract: 一种接收器,能够准确地校正I信号和Q信号的相位误差及振幅误差,有效地抑制镜像噪声。包括:IF信号生成部(10),生成中间频率信号;振幅误差校正处理部(15),当切换器(7I)和(7Q)选择IF信号生成部(10)所生成的中间频率信号时,设定振幅校正部(12)的增益,使得消除用于I信号的第一信号处理系统所处理的信号及用于Q信号的第二信号处理系统所处理的信号的振幅误差。取代处理实际的接收信号而生成的中间频率信号,使用IF信号生成部(10)所生成的中间频率信号执行振幅误差的校正,使用不包含由于混频器(4I)和(4Q)及90°移相器(6)自身的元件偏差而造成的相位误差的信号,能够不受相位误差的影响而准确地检测振幅误差。
-
公开(公告)号:CN101223749A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200680025394.X
申请日:2006-02-08
IPC: H04L27/20
CPC classification number: H04L27/364 , H04L27/206
Abstract: 本发明公开一种调制电路,其中备有:第1正交调制部5,其将输入信号分割成I信号及与其成直角相位之Q信号,且将I信号及Q信号,藉由基频频率进行频率变换,从而进行正交调制;第2正交调制部8,其利用调频频率,并利用相位互相偏移90°的同相及正交的载波,对藉由第1正交调制部5所产生的I信号及Q信号,进行频率变换,从而进行正交调制;再藉由第2正交调制部8,对藉由第1正交调制部5使相位偏移90°而产生的I信号和Q信号之相位进一步偏移90°,藉此具有相位反转的频率成分,可使目标频率的失真侧中多余的高次谐波成分衰减。
-
公开(公告)号:CN101142744A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200680007746.9
申请日:2006-02-24
IPC: H03M1/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H03M1/0827 , H04B1/40 , H04B15/00
Abstract: 本发明旨在提供一种可防止混入噪声使信号质量下降并同时缩小电路规模的半导体装置。在半导体基片上形成进行接收和发送这两方动作的收发机的结构,上述接收动作和上述发送动作各自一部分通过模拟处理进行,另一部分通过数字处理进行。与上述接收动作和上述发送动作各自对应的上述数字处理通过共用数字处理部20进行。另外,与上述接收动作对应的接收处理部10配置在矩形形状的上述半导体基片100的一个角部附近,上述数字处理部20配置在与上述一个角部不相邻的另一个角部附近。
-
公开(公告)号:CN1222107C
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN01816933.3
申请日:2001-09-26
Applicant: 新泻精密株式会社
CPC classification number: H03H11/04 , H03H11/1213
Abstract: 本发明提供一种滤波器电路,具备连接于信号的输入端(IN)与输出端(OUT)之间的电容器(1)、及连接于电源(VDD)与地之间的MOS结构恒流电路(2),通过连接电容器(1)输出侧节点与恒流电路(2,3)的中间节点而构成滤波器,避免了因使用大电容值的电容器或大电阻值的电阻使得电路面积的增大,而只需通过调整流过恒流电路(2,3)的电流值即可降低滤波器的截止频率。
-
公开(公告)号:CN1528054A
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN02813224.6
申请日:2002-06-26
Applicant: 新泻精密株式会社
Inventor: 宫城弘
CPC classification number: H04B1/28 , H03J5/00 , H03J2200/17 , H04B1/26 , H04B15/04 , H04B15/06 , H04B2215/065
Abstract: 以提供一种可减少来自晶体振子的噪声串入的接收机为目的。作为单片部件10形成有构成FM接收机的高频放大电路11、混频电路12、本振13、中频滤波器14、16、中频放大器15、限幅电路17、FM检波电路18、立体声解调电路19、振荡器20、PLL电路21。作为外置部件的晶体振子31与振荡器20连接。该晶体振子31的固有振荡频率设定成其基本分量和谐波分量处于接收频带之外。
-
公开(公告)号:CN1483239A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN01821352.9
申请日:2001-12-27
Applicant: 新泻精密株式会社
IPC: H03F1/26
CPC classification number: H03F3/195 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/1935 , H03F2200/324 , H03F2200/372 , H03F2200/541
Abstract: 一种AM广播用放大电路,是用场效应晶体管对所输入的AM广播信号进行放大并输出的AM广播用放大电路,以闪变噪声较小的P沟道MOS半导体场效应晶体管(4、5)构成该信号放大用场效应晶体管,以实现不仅可以尽可能抑制闪变噪声的发生,还可以将AM广播用射频放大器与其他电路一起集成于一个芯片上,从而实现整体电路的小型化与低噪声化。
-
公开(公告)号:CN101416387A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200680054084.0
申请日:2006-11-08
CPC classification number: H03G3/3068 , H04B1/001
Abstract: 对频率混合电路(4)的输出信号进行A/D转换并输入至DSP(8),生成与该信号的电平相应的AGC控制数据(DL),控制LNA(3)的增益以使输入至A/D转换电路(7)的输入电压小于该A/D转换电路(7)的满量程电压,由此,超过A/D转换电路(7)的动态范围的过大电平的信号不会输入到A/D转换电路(7)。而且,与通过BPF(11)之前的宽带宽信号的电平相应地来控制LNA(3)的增益,并且与通过BPF(11)之后的窄带宽信号的电平相应地来控制IF放大器(12)的增益,由此,考虑希望波及干扰波二者的信号电平,能够整体上适当地控制AGC的增益。
-
公开(公告)号:CN1985456A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580021115.8
申请日:2005-06-08
Applicant: 新泻精密株式会社
IPC: H04H5/00
CPC classification number: H04B1/1646 , H04H40/63
Abstract: 本发明可不使动态范围变窄地对分离电平进行调整。在输入混合信号的MOS晶体管Q5和输入基准电压的MOS晶体管Q6的源极之间并联连接有被串联连接的电阻R1与开关元件SW1、R2与SW2、R3与SW3......。在直流工作中,电阻R1~R5不影响MOS晶体管Q5的输出电压,在交流工作时,改变并联连接的电阻R1~R5的值,由此,可对分离电平进行调整。
-
-
-
-
-
-
-
-
-